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HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

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HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

HVPE Gallium Nitride GaN Wafer , Gan Chip Free Standing 10 x 10 mm Size
HVPE Gallium Nitride GaN Wafer , Gan Chip Free Standing 10 x 10 mm Size HVPE Gallium Nitride GaN Wafer , Gan Chip Free Standing 10 x 10 mm Size

Großes Bild :  HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Modellnummer: GaN-001

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10pcs/month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Einzelner Kristall GaN Industrie: Halbleiterwafer, LED
Anwendung: Halbleiterbauelement, LD-Oblate, LED-Oblate, Forscherdetektor, Laser, Typ: HVPE-Schablone
Kundenspezifische: O.K. Größe: 10X10,5X5,20X20,30X30, DIA45MM,
Markieren:

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Gallium-Nitrid GaN-Oblate Methode 2inch HVPE, freie stehende GaN-Substrate für LD, 10x10mm Größe GaN-Chips, Oblate HVPE GaN

 

Über GaN-Eigenschaft führen Sie ein

 Die steigende Nachfrage nach den Hochgeschwindigkeits-, Hochtemperatur- und hohen macht-Behandlungsfähigkeiten lässt madethe Halbleiterindustrie die Materialauswahl überdenken benutzt als Halbleiter. Zum Beispiel,                      

während verschiedene schnellere und kleinere Datenverarbeitungsgeräte entstehen, macht der Gebrauch des Silikons es schwierig, Moores Gesetz zu stützen. Aber auch in der Leistungselektronik, also in GaN-Halbleiterwafer wird heraus für den Bedarf gewachsen.              

 An seiner einzigartigen Durchbruchsspannung der Eigenschaften (hohes maximales gegenwärtiges, hohes und an hohen Schaltfrequenz), Gallium-Nitrid GaN liegt das einzigartige Material der Wahl, zum von Energieproblemen der Zukunft zu lösen.   GaN basierte Systeme haben Leistungsfähigkeit der höheren Energie, so schalten verringern Leistungsabfälle, bei höherer Frequenz und so verringern Größe und Gewicht.    

                                                                                                                                                                           

   GaN-Technologie wird in den zahlreichen starken Anwendungen wie industrieller, Verbraucher- und Serverstromversorgung, Solar-, Wechselstrom-Antrieb und UPS-Invertern und Kreuzung und Elektroautos eingesetzt. Außerdem,                       

GaN wird ideal für Rf-Anwendungen wie zelluläre Basisstationen, Radare und Kabelfernsehen entsprochen                             

Infrastruktur in der Vernetzung, Aerospace- und Verteidigungssektoren, dank seine hohe Zusammenbruchstärke, lärmarme Zahl und hohe Linearitäten.

 

 

 

Spezifikationen für GaN-Substrate

 

 

2" GaN-Substrate  
Einzelteil GaN-Rumpfstation-n GaN-RUMPFSTATION-SI
Maße ± 1mm Ф 50.8mm
Marco-Defekt-Dichte Ein Niveau ≤ 2 cm-2
B-Niveau > 2 cm-2
Stärke 330 ± 25 µm
Orientierung C-Achse (0001) ± 0.5°
Orientierung flach (1-100) ± 0.5°, ± 16,0 1.0mm
Sekundärorientierung flach (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1.0mm
TTV (Gesamtstärke-Veränderung) µm ≤15
BOGEN µm ≤20
Leitungs-Art N-artig Halb-Isolieren
Widerstandskraft (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Versetzungsdichte Kleiner als 5x106 cm-2
Verwendbare Fläche > 90%
Polnisch Vordere Oberfläche: Ra < 0="">
Hintere Oberfläche: Feiner Boden
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre.

P-GaN auf Saphir

Wachstum MOCVD/HVPE
Leitfähigkeit P-Art
Dopant Magnesium
Konzentration > 5E17 cm-3
Stärke 1 | 5 um
Widerstandskraft < 0="">
Substrat Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" Saphiroblate

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe 0

Anwendungen

  1. - Verschiedene LED: weiße LED, violette LED, ultraviolette LED, blaue LED
  2. - Klimaentdeckung
  3. Substrate für Epitaxie durch MOCVD usw.
  4. - Laserdioden: violetter LD, grüner LD für ultra kleine Projektoren.
  5. - Energieelektronische geräte
  6. - Hochfrequenzelektronische geräte
  7. Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
  8. Datumsspeicher
  9. Energiesparende Beleuchtung
  10. Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte
  11. Neue Energie solor Wasserstofftechnologie
  12. Lichtquelle terahertz Band

HVPE-Gallium-Nitrid GaN-Oblate, Gan-Chip-freie Stellung 10 x 10 Millimeter-Größe 1

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