Sic Tray:Hochtemperaturstabilität Einheitliche Wärmeleitung

Produktübersicht
    SiC-Tabletts (Siliziumkarbid-Tabletts) sind Hochleistungs-Hochtemperatur-Trägerkomponenten aus polykristalliner Siliziumkarbid-Ingenieurkeramik, die durch fortschrittliche Sinterverfahren wie reaktionsgebundenes (RBSiC), rekristallisiertes (RSiC) und siliziumnitridgebundenes (N-SiC) Verfahren hergestellt werden. Als verbesserte Alternative zu herkömmlichen Aluminiumoxid-Keramiktabletts und Quarzglas-Tabletts zeichnen sie sich durch hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, ausgezeichnete thermische Schockstabilität, gleichmäßige Wärmeleitfähigkeit und lange Lebensdauer aus. Sie werden häufig als Träger und Setzplatten in Hochtemperatur-Sinter-, Glüh- und Wärmebehandlungsverfahren in den Branchen Halbleiter, Elektronikkeramik, neue Energie und Industrieöfen eingesetzt. Kundenspezifische Formen, Strukturen und Präzisionsgrade sind erhältlich, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen.

Kerntechnische Merkmale

1. Ultrahohe Temperatur- und Thermoschockbeständigkeit
       Erhältlich in mehreren Materialqualitäten mit einer Langzeittemperaturbeständigkeit von 1400℃ bis 1700℃. Ein extrem niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient gewährleistet keine Rissbildung bei schnellen Temperaturwechseln und starken thermischen Schocks, wodurch die strukturelle Integrität nach wiederholten Heiz- und Kühlzyklen erhalten bleibt.
2. Gleichmäßige und hohe Wärmeleitfähigkeit
       Eine hohe Wärmeleitfähigkeit (20–120 W/m·K je nach Güte) sorgt für eine schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung über die gesamte Tablettoberfläche, was eine konsistente Temperaturverteilung für Werkstücke gewährleistet und die Sintergleichmäßigkeit und Produktausbeute effektiv verbessert.
3. Hohe mechanische Festigkeit und Verschleißfestigkeit
       Hohe Biegefestigkeit (250–450 MPa je nach Güte) und ausgezeichnete Verschleißfestigkeit ermöglichen eine hohe Belastbarkeit und langfristige Erosionsbeständigkeit. Die Struktur bleibt bei hohen Temperaturen und gestapelter Belastung dimensionsstabil, ohne Verformung oder Durchhängen.
4. Ausgezeichnete chemische Inertheit und geringe Kontamination
       Hochbeständig gegen die meisten Säuren, Laugen und korrosiven Atmosphären bei hohen Temperaturen. Die dichte Keramikstruktur erzeugt keine Partikelabscheidung und gibt keine Verunreinigungen bei hohen Temperaturen ab, wodurch eine Kontamination der bearbeiteten Werkstücke vermieden wird, was den Sauberkeitsanforderungen von Halbleiter- und Elektronikkeramikprozessen entspricht.
5. Leichtes und stapelbares Design
       Eine hohe spezifische Festigkeit ermöglicht ein dünneres und leichteres Konstruktionsdesign bei gleicher Tragfähigkeit. Die stapelbare Konstruktion reduziert den Platzbedarf im Ofen, erhöht die Kapazität der Einzelchargenverarbeitung und senkt den Energieverbrauch bei der Produktion.
    

Anpassbare Struktur und Präzision
    Unterstützt runde, quadratische, rechteckige und speziell geformte Profile. Optionale Strukturen umfassen Flachplatten, erhöhte Kanten, Nuten, mit Positionierungslöchern/Nuten und mehrschichtige Stufen. Präzisionsbearbeitung ist erhältlich, um hohe Ebenheitsanforderungen für Halbleiterprozesse zu erfüllen.

Standard Spezifikationen

Typische Anwendungen
1.Halbleiterfertigung
    Wird als Waferträger für Siliziumwafer, Saphirwafer und SiC-Substrate in Hochtemperaturprozessen wie Glühen, Oxidation, Diffusion und Niederdruck-Chemiephasenabscheidung (LPCVD) verwendet, um eine stabile Waferpositionierung und gleichmäßige Erwärmung zu gewährleisten.
2.Elektronikkeramikindustrie
    Sinterträger für MLCC (Mehrlagen-Keramikkondensatoren), Keramiksubstrate, piezoelektrische Keramiken, Ferrit-Magnetmaterialien und dielektrische Komponenten, verbessert die Sinterkonsistenz und reduziert die Verformung von Produkten.
3.Neue Energie & Lithiumbatterie
    Wärmebehandlungs- und Sintertablett für Kathoden-/Anodenmaterialien von Lithiumbatterien, Festelektrolyte und Materialien für Solarzellen, mit ausgezeichneter Alkalikorrosionsbeständigkeit für die N-SiC-Güte.
4.Hochtemperatur-Industrieöfen
    Wird in der Pulvermetallurgie, Wärmebehandlung von Metallen, Hochtemperaturmaterialexperimenten und Ofenauskleidungen verwendet und ersetzt herkömmliche Aluminiumoxid- und Mullit-Tabletts, um die Lebensdauer erheblich zu verlängern.
5.Photovoltaikindustrie
    Träger für monokristalline Siliziumwafer und Solarzellen-Scheiben während Hochtemperatur-Diffusions-, Glüh- und Beschichtungsprozessen, unterstützt die Massenproduktion.

Qualitätskontrolle

    Ein durchgängiges Qualitätsmanagementsystem wird von der Rohstoffinspektion bis zur Auslieferung des Fertigprodukts implementiert, mit strengen Inspektionsstandards für jede Produktcharge.

1.Rohstoffkontrolle:
    Hochreines Siliziumkarbidpulver wird verwendet, mit Eingangsprüfung von Partikelgröße, Reinheit und Zusammensetzung, um die Materialkonsistenz zu gewährleisten.
2.Maßprüfung:
    Vollständige Prüfung der Außenmaße, Dicke und Ebenheit mit hochpräzisen Messinstrumenten, um die Einhaltung der Toleranzanforderungen zu gewährleisten.
3.Aussehen & Fehlerprüfung:
    100% Sichtprüfung auf Risse, Kantenabsplitterungen, Poren und Oberflächenfehler, um ein intaktes Aussehen und strukturelle Integrität zu gewährleisten.
4.Materialleistungsprüfung:
    Regelmäßige Stichproben von Dichte, Biegefestigkeit und Hochleistung bei hohen Temperaturen, um die Materialgüte und Zuverlässigkeit zu überprüfen.
5.Qualitätsdokumentation:
    Jeder Lieferung wird ein Analysezertifikat (COA) mit wichtigen Maß- und Leistungsindikatoren beigefügt, und Prüfberichte von Drittanbietern sind auf Anfrage erhältlich.

FAQ

F1: Wie wähle ich die richtige SiC-Güte für meine Anwendung?
A1: ①Wählen Sie RBSiC für kostensensitive konventionelle Sinterprozesse, mechanische Verschleißszenarien und Temperaturen ≤1400℃
②Wählen Sie RSiC für Hochtemperaturöfen über 1500℃, starke thermische Zyklen und Anforderungen an lange Lebensdauer
③Wählen Sie N-SiC für Lithiumbatteriematerialien, Keramiksinterung mit alkalischer Atmosphäre und hohe Festigkeitsanforderungen
 

F2: Welche Ebenheitstoleranz und Oberflächengüte können Sie erreichen?

A2:①Standard-als-gebrannte Güte: Ebenheit ±0,1 mm – ±0,2 mm, matte Oberfläche

②Präzisionsbearbeitete Güte: Ebenheit ±0,05 mm, fein geschliffene Oberfläche

③Hochpräzisions-Halbleitergüte: Engere Ebenheit und polierte Oberfläche auf Anfrage erhältlich
 

F3: Was ist die maximale Dauerbetriebstemperatur von SiC-Tabletts?

A3: Dies hängt von der Materialgüte ab:
①RBSiC: 1400℃ Langzeit-Dauerbetrieb

②RSiC: Bis zu 1650℃ Langzeit, ideal für Ultrahochtemperaturöfen

③N-SiC: Bis zu 1550℃ mit ausgezeichneter Alkalikorrosionsbeständigkeit Kurzzeitige Spitzentemperaturen können etwas höher sein, aber anhaltende Überhitzung verkürzt die Lebensdauer.
 

F4: Können SiC-Tabletts im Ofen gestapelt werden? Werden sie unter Last verformt?

A4: Ja, stapelbare Designs sind erhältlich. SiC-Keramiken haben eine hohe Biegefestigkeit (250–450 MPa) und hohe Temperatursteifigkeit. Mit einer geeigneten Dicke behalten sie die Dimensionsstabilität unter gestapelter Last bei hohen Temperaturen ohne Durchhängen oder Verformung.
 

F5: Akzeptieren Sie Musterbestellungen? Was ist das MOQ?

A5: Ja, Musterbestellungen sind für Standardgrößen von Tabletts zur Leistungsüberprüfung erhältlich. Für Standardprodukte wird ein niedriges MOQ unterstützt. Für kundenspezifische Größen und spezielle Strukturen hängt das MOQ von der Komplexität ab. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für Details.
 

F6: Was ist die typische Lieferzeit für SiC-Tabletts?

A6: Standard-Lagerartikel können innerhalb von 3–7 Werktagen versendet werden. Kundenspezifisch bearbeitete Standardgrößen dauern 10–20 Werktage. Spezielle kundenspezifische Formen und große Mengenbestellungen erfordern 20–35 Werktage, abhängig von der Bestellmenge und der Komplexität der Struktur.

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