hBN-Einkristall in Gerätequalität für 2D-Materialien, Graphen-Elektronik und Tief-UV-Anwendungen

hBN-Einkristall in Gerätequalität für 2D-Materialien, Graphen-Elektronik und Tief-UV-Anwendungen

Einkristall aus hexagonalem Bornitrid (hBN) in Gerätequalität ist ein hochreines Massenkristallmaterial, das mithilfe eines proprietären Wachstumsprozesses bei Atmosphärendruck gezüchtet wird. Diese Kristalle wurden speziell für die fortgeschrittene Forschung und elektronische und photonische Geräte der nächsten Generation entwickelt und bieten eine ultrareine, atomar flache Plattform für Graphen-Heterostrukturen, Van-der-Waals-Geräte, Nanophotonik und Optoelektronik im tiefen Ultraviolett.

Das Material weist eine außergewöhnliche Kristallqualität, eine geringe Defektdichte, eine hervorragende Durchschlagsfestigkeit und hervorragende optische Eigenschaften auf. Eine unabhängige Validierung durch Dritte hat gezeigt, dass die Leistung elektronischer Geräte mit dem aktuellen akademischen Benchmark der führenden Hersteller von hBN-Kristallen vergleichbar ist oder diesen übertrifft.

Der hBN-Einkristall in Gerätequalität ist als millimetergroße Volumenkristalle mit natürlichen Wachstumsfacetten erhältlich und ein ideales Substrat- und Einkapselungsmaterial für hochmobile Graphengeräte und neue zweidimensionale Materialsysteme.

Hauptmerkmale

• Hochwertiges einkristallines hexagonales Bornitrid (hBN)
• Proprietäre Kristallwachstumstechnologie bei Atmosphärendruck
• Kristallqualität in Gerätequalität für fortgeschrittene Forschungsanwendungen
• Typische laterale Kristallgröße ≥ 1 mm
• Ausgezeichnete dielektrische Durchschlagfestigkeit
• Extrem niedrige Raman-Linienbreite, was auf eine geringe Defektdichte hinweist
• Geeignet für die Graphenverkapselung und die Herstellung von Heterostrukturen
• Starke Emission im tiefen UV um 215 nm
• Hohe optische Transparenz und große Einzeldomänenbereiche
• Lieferung in Chipträgerverpackung zur bequemen Handhabung

Technische Spezifikationen

Elektrische Eigenschaften

Optische und Raman-Eigenschaften

Geräteleistung (Referenz)

Anwendungen

Graphen-Elektronik

hBN in Gerätequalität wird häufig als Verkapselungsschicht und Substratmaterial für Graphentransistoren, Hall-Geräte und elektronische Hochfrequenzkomponenten verwendet. Seine atomar glatte Oberfläche minimiert die Ladungsstreuung und ermöglicht eine extrem hohe Ladungsträgermobilität.

Zweidimensionale Heterostrukturen

Das Material dient als entscheidender Baustein in Van-der-Waals-Heterostrukturen mit Graphen, Übergangsmetalldichalkogeniden (TMDs) und anderen neuen zweidimensionalen Materialien.

Nanophotonik

Hochwertiges hBN unterstützt die Ausbreitung von Phonon-Polaritonen und wird zunehmend in nanophotonischen Geräten, optischen Metaoberflächen und der Quantenphotonikforschung eingesetzt.

Optoelektronik im tiefen Ultraviolett

Mit einer charakteristischen Bandkantenemission nahe 215 nm sind hBN-Einkristalle vielversprechende Materialien für Emitter, Detektoren und photonische Systeme der nächsten Generation im tiefen UV.

Quantenmaterialforschung

Forscher nutzen hBN als ultrareine dielektrische Plattform zur Untersuchung neuartiger Quantenphänomene, darunter Moiré-Übergitter, korrelierte Elektronensysteme und Quantentransport.

Vorteile von hBN-Einkristallen in Gerätequalität

Im Vergleich zu herkömmlichen polykristallinen Bornitridmaterialien bieten hBN-Einkristalle in Gerätequalität:

• Geringere Fehlerdichte
• Größere einkristalline Domänen
• Hervorragende elektrische Isolierung
• Verbesserte Trägermobilität in Graphen-Geräten
• Bessere optische und lumineszierende Leistung
• Verbesserte Reproduzierbarkeit für Forschung und Geräteherstellung

Diese Eigenschaften machen hBN zu einem der wichtigsten Basismaterialien für moderne zweidimensionale Elektronik und photonische Technologien.

Verpackung und Lieferung

hBN-Einkristalle in Gerätequalität werden in schützenden Chipträgern geliefert, um einen sicheren Transport und eine bequeme Handhabung im Labor zu gewährleisten. Jede Packung enthält typischerweise 5–10 Kristalle mit repräsentativen lateralen Abmessungen von mehr als 1 mm.

Auf Anfrage sind eine individuelle Kristallauswahl und die Beschaffung von Materialien in Forschungsqualität möglich.

FAQ

Was ist ein hBN-Einkristall in Gerätequalität?

hBN in Gerätequalität ist ein hochreiner, defektarmer Einkristall aus hexagonalem Bornitrid, der speziell für die Herstellung elektronischer, photonischer und Quantengeräte optimiert ist.

Warum wird hBN in Graphengeräten verwendet?

hBN bietet eine atomar glatte und elektrisch isolierende Oberfläche, die die Mobilität des Graphenträgers und die Geräteleistung im Vergleich zu herkömmlichen Substraten deutlich verbessert.

Kann hBN für Anwendungen im tiefen Ultraviolett verwendet werden?

Ja. Hochwertiges hBN weist eine Bandkantenemission nahe 215 nm auf, was es für Photonik, Detektoren und optoelektronische Geräte im tiefen UV attraktiv macht.

Welche Kristallgröße ist verfügbar?

Standardkristalle in Gerätequalität weisen typischerweise laterale Abmessungen von mehr als 1 mm auf. Je nach Produktionscharge sind möglicherweise größere Kristalle und kundenspezifische Auswahlmöglichkeiten verfügbar.

Ist das Material für Forschung und Prototypenentwicklung geeignet?

Ja. hBN-Einkristalle in Gerätequalität werden häufig in der akademischen Forschung, in fortgeschrittenen Materialstudien, in der Graphenelektronik, in der Nanophotonik und bei der Herstellung von Geräteprototypen eingesetzt.