4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

Hochleistungshalbleiterlösung für fortschrittliche Elektronik

Der10×10 mm großes Siliziumkarbid-Substrat (SiC) vom Typ 4H-Nist ein Hochleistungshalbleitermaterial basierend auf der SiC-Technologie der dritten Generation. Hergestellt überPhysikalischer Dampftransport (PVT)oderChemische Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD)Es bietet außergewöhnliche thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften. Mit einer Maßtoleranz von±0,05 mmund OberflächenrauheitRa < 0,5 nmEs ist ideal für das Prototyping von Leistungsgeräten, HF-Komponenten und optoelektronischen Systemen. Das Substrat ist erhältlich in4H-SiCoder6H-SiCPolytypen mit N-Typ- oder P-Typ-Dotierungsoptionen und werden strengen Qualitätsprüfungen (z. B. XRD, optische Mikroskopie) unterzogen, um eine Zuverlässigkeit auf Halbleiterniveau zu gewährleisten.

Tabelle 1: Schlüsselparameter des 10×10 mm großen SiC-Substrats vom Typ 4H-N

• Überlegenes Wärmemanagement: Mit einer Wärmeleitfähigkeit von490 W/m·K(3x höher als Silizium) ermöglicht das Substrat eine effiziente Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen der Geräte und erhöht die Lebensdauer des Systems.

• Hochspannungstoleranz: Eine Durchschlagsfeldstärke von2–4 MV/cm(10-mal höher als Silizium) unterstützt Hochleistungsanwendungen, während eine hohe Elektronensättigungsdriftgeschwindigkeit (2×10⁷ cm/s) kommt Hochfrequenzdesigns zugute.

• Mechanische Robustheit: Vickershärte von28–32 GPaund Biegefestigkeit >400 MPabieten eine 5–10-mal längere Lebensdauer als herkömmliche Materialien.

• Umweltstabilität: Betriebstemperaturen bis zu600°Cund ein niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient (4,0×10⁻⁶/K) sorgen für Leistung unter extremen Bedingungen.

Tabelle 2: Kernanwendungsbereiche von 10×10 mm SiC-Substraten

• Geometrie: Runde, rechteckige oder benutzerdefinierte Formen.

• Doping: N-Typ oder P-Typ mit Konzentrationen von10¹⁵ bis 10¹⁹ cm⁻³.

• Dicke: 100–500 μm, mit optionaler Rückseitenmetallisierung für verbesserte Integration.

Das 10×10 mm große SiC-Substrat vom Typ 4H-N kombiniert fortschrittliche Materialeigenschaften mit Flexibilität im Design und ist damit ein entscheidender Wegbereiter für die Elektronik der nächsten Generation in Automobil-, Kommunikations- und Energiesystemen. Seine Kompatibilität mit Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen macht ihn zu einem Eckpfeiler der Halbleiterinnovation.

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