Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

Typische Dicke 350 μm. Maßgeschneiderte Dicke, SSP/DSP-Polierung verfügbar, PV- und Energiespeicherinverter

Markenbezeichnung:	ZMSH
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai, China

Grundmaterial:

SIC

Größe:

Besonders angefertigt entsprechend Zeichnung

Dicke:

Maßgeschneidert

Form:

Rund, quadratisch oder nach Maß

Oberfläche:

Poliert oder je nach Anwendung

Kerben lokalisieren:

Menge, Größe und Position anpassbar

Produkt-Beschreibung

Dieser hochreine 4H-N-Typ-Siliziumkarbid-(4H-N-SiC)-Wafer ist ein Einkristallsubstrat, das für die Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen entwickelt wurde, die eine hohe Durchbruchspannung, hohe Wärmeleitfähigkeit, Bandlückenleistung, chemische Inertheit und geringe Defektdichte erfordern. Das Produkt zeichnet sich durch einen kreisförmigen Einkristallkörper, präzise Dickenkontrolle, eine epi-fähige polierte Oberfläche, eine kontrollierte kristallographische Off-Axis-Ausrichtung und eine sorgfältig profilierte Waferkante aus.

Anstatt einer einfachen flachen Scheibe enthält der Wafer mehrere präzise kontrollierte Materialparameter, die ein konsistentes epitaktisches Wachstum, eine zuverlässige Bauteilleistung, gleichmäßige elektrische Eigenschaften und ein stabiles Wärmemanagement innerhalb eines Halbleiterherstellungsprozesses ermöglichen. Die epi-fähige Oberfläche bietet eine defektminimierte Basis für die nachfolgende epitaktische Abscheidung, während die kontrollierte Off-Axis-Ausrichtung das Step-Flow-Wachstum unterstützen und eine definierte kristalline Qualität über den aktiven Bauteilbereich aufrechterhalten kann. Typische Dicke 350 μm. Maßgeschneiderte Dicke, SSP/DSP-Polierung verfügbar, PV- und Energiespeicherinverter

Die Wafer-Spezifikation umfasst mehrere anpassbare Parameter und Toleranzkontrollen. Diese können so konzipiert werden, dass sie den entsprechenden Bauteilherstellungsprozessen, den Anforderungen an das epitaktische Wachstum, den Standards für Lithografiegeräte oder den Leistungszielen der Endanwendung entsprechen. Durchmesser, Dicke, Off-Axis-Winkel, spezifischer Widerstandsbereich, Dotierkonzentration, Oberflächengüte, Kantenprofil, Ebenheit (TTV) und Planheit/Verzug können alle gemäß den technischen Spezifikationen des Kunden angepasst werden.

Dieser 4H-N-SiC-Wafer eignet sich für Leistungs-MOSFETs, Schottky-Barrier-Dioden, IGBTs, Bipolartransistoren und andere Leistungshalbleiterbauelemente, die in Traktionswechselrichtern für Elektrofahrzeuge, in Wandlern für erneuerbare Energien (Solar und Wind), in industriellen Motorantrieben, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Hochspannungs-Schaltsystemen und Hochtemperatur-Elektronikanwendungen eingesetzt werden, bei denen herkömmliche Siliziumsubstrate an ihre Grenzen hinsichtlich Durchbruchspannung, Wärmeleitfähigkeit oder Schaltfrequenz stoßen können.

Technische Spezifikationen

Artikel	Spezifikation
Produkt	4H-N SiC Substrat / Wafer
Material	4H N-Typ Siliziumkarbid Einkristall
Wachstumsmethode	Physikalische Dampftransport (PVT)
Kristallstruktur	Hexagonal (4H-SiC Polytyp)
Durchmesser	4" / 6" / 8" oder kundenspezifisch
Dicke	Kundenspezifisch (z.B. 350 μm – 1000 μm)
Ausrichtung	(0001) Si-Fläche / C-Fläche, kundenspezifischer Off-Axis-Winkel (typisch 4° / 8° in Richtung <11-20>)
Oberflächengüte	SSP (einseitig poliert) / DSP (doppelseitig poliert) / geläppt / geschliffen
Oberflächenqualität	Kratzer-Gruben gemäß SEMI-Standard (z.B. 40/20, 20/10)
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 5 μm (oder nach Kundenwunsch)
Planheit / Verzug	Poliert: ≤ 0,2 nm / Geläppt: ≤ 0,5 μm
Rauheit (Ra)	Poliert: ≤ 0,2 nm / Geläppt: ≤ 0,5 μm
Kantentyp	Abgeschrägt / Abgerundet nach Bedarf
Länge der Planfläche	Kundenspezifisch (gemäß SEMI-Standard oder Kundenzeichnung)
Kantenprofil	Abgeschrägt / Abgerundet nach Bedarf
Dotierstoff / Reinheit	Stickstoffdotiertes N-Typ, hochreiner Einkristall
Beschichtung	Unbeschichtet / Kundenspezifische funktionale Beschichtung auf Anfrage erhältlich
Anwendung	Leistungs-MOSFET, SBD, EV-Traktionswechselrichter, erneuerbarer Energieumwandler, industrielle Stromversorgung, Hochtemperatur-Elektronik

Warum 4H-N SiC-Substrate für Leistungshalbleiteranwendungen wählen?

4H-N SiC-Substrate sind fortschrittliche Kernmaterialien mit großer Bandlücke, die weit verbreitet in der Leistungshalbleiter-Epitaxie, der Hochspannungs-Elektronikfertigung und neuen Energiesystemen zur Leistungsverarbeitung eingesetzt werden. Als optimaler Träger für das Wachstum von GaN- und SiC-Epitaxieschichten ermöglichen sie den Betrieb in extremen Fertigungsumgebungen mit ultrahoher Spannung, Hochfrequenzschaltung, hoher Strombelastung und langandauerndem Hochtemperaturbetrieb.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-, Saphir- und Keramiksubstraten integrieren hochreine Einkristall-4H-N-SiC-Substrate überlegene umfassende physikalische und elektrische Eigenschaften, was sie für High-End-Leistungshalbleiter- und neue Energieindustrieprozesse unersetzlich macht. Zu den Hauptvorteilen gehören:

Extreme Hochtemperaturstabilität: Mit einem Schmelzpunkt von bis zu 2830°C behält es eine stabile Kristallstruktur und elektrische Leistung unter langandauernder Hochtemperatur-Epitaxie, Ausglühen und Bauteilbetriebsbedingungen bei und vermeidet effektiv Substratversagen und thermisches Durchgehen von Leistungshalbleitern. Typische Dicke 350 μm. Maßgeschneiderte Dicke, SSP/DSP-Polierung verfügbar, PV- und Energiespeicherinverter

Ultrahohe Durchbruchspannung: Mit einem 10-mal höheren elektrischen Durchbruchfeld als Siliziummaterialien unterstützt 4H-N SiC das Design von Ultrahochspannungsbauteilen, reduziert die Chipdicke erheblich und ermöglicht die Miniaturisierung von Hochleistungsmodulen.

Überlegene Wärmeleitfähigkeit

: Mit einer Wärmeleitfähigkeit, die 3-4 Mal höher ist als die von Silizium, leitet es die Betriebswärme von Leistungshalbleitern schnell ab, senkt effektiv die Sperrschichttemperatur und verbessert die kontinuierliche Betriebsstabilität der Ausrüstung.

Hervorragende Hochfrequenzleistung

: Geringe Schaltverluste und geringe parasitäre Kapazitäten ermöglichen einen stabilen Betrieb unter Hochfrequenzschaltbedingungen und verbessern signifikant die Energieumwandlungseffizienz für Hochleistungsgeräte.

Stabile N-Typ-Leitfähigkeitseigenschaften

: Gleichmäßige Stickstoffdotierung sorgt für eine konsistente Leitfähigkeit mit niedrigem spezifischem Widerstand und gewährleistet eine hervorragende Stromleitung und Erdungsleistung für vertikale Leistungshalbleiter.Überlegene chemische und Plasmaresistenz

: Es widersteht der Korrosion durch verschiedene Halbleiterprozessgase und starke Plasmaätzumgebungen und behält einen ultra-stabilen Oberflächenzustand während der Epitaxie, des Ätzens und der Dünnschichtabscheidung bei.

Langzeit-Zuverlässigkeit und Strahlungswiderstand: Mit ausgezeichneter struktureller Stabilität und Strahlungsbeständigkeit passt es sich an raue Arbeitsbedingungen von neuen Energiefahrzeugen, Luft- und Raumfahrt sowie industriellen Hochleistungsgeräten an und verlängert die Lebensdauer der Bauteile.

Aus diesen Gründen sind 4H-N SiC-Substrate zum bevorzugten Mainstream-Material für Automotive-Grade-Leistungs-MOSFETs, Schottky-Dioden, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher-Leistungsmodule und andere Kernkomponenten für hocheffiziente Leistungshalbleiter geworden.Kundenspezifische Herstellung von 4H-N SiC-Substraten

Wir sind spezialisiert auf die kundenspezifische und standardisierte Herstellung von 4H-N SiC-Substraten für Leistungshalbleiter- und optoelektronische Geräte und konzentrieren uns auf hochpräzise, maßgeschneiderte Lösungen für die industrielle Massenproduktion und die Forschung und Entwicklung im Labor. Wir durchbrechen die Grenzen fester Standard-Spezifikationen und passen SiC-Substrate vollständig an die tatsächlichen Epitaxieprozessparameter, die Anforderungen an die Waferfertigung und die Bauteildesignstandards der Kunden an. Typische Dicke 350 μm. Maßgeschneiderte Dicke, SSP/DSP-Polierung verfügbar, PV- und Energiespeicherinverter

Umfassende Anpassungsoptionen decken vollständige Substratparameter und unterstützende Strukturen ab:Kernparameter von 4H-N SiC-Substraten

Waferdurchmesser (2/4/6/8 Zoll und spezielle kundenspezifische Größen)

Substratdicke

Kristallorientierung (Si-Fläche / C-Fläche, kundenspezifischer Off-Axis-Winkel 0°–8°)

Spezifischer Widerstandsbereich und Stickstoffdotierkonzentration

Kantenform und Fasenspezifikationen

Design der Planflächen-/Kerbposition

Oberflächenrauheit, Ebenheit, TTV und Verzug/Planheit-Indikatoren

Anforderungen an doppelseitige/einseitig polierte Oberflächen (SSP/DSP)

Ultra-saubere Oberflächenbehandlung und Spannungsentlastungsprozesse

Passende Strukturkomponenten

Kundenspezifische Anpassung der Wafer-Trägerhalterungsgröße

Bearbeitung von Positionierlöchern und -nuten

Metall-Passbasis und Hülsenstruktur

Spezifikationen der Montage- und Befestigungsschnittstelle

Integrierte Montage von Substrat und Hilfsteilen

Wir können fertige integrierte Komponenten liefern, die mit 4H-N SiC-Substraten und passenden Metall-/Keramikteilen montiert sind, um die direkten Installations- und Nutzungsanforderungen der Kunden zu erfüllen.

Ersatz- und Reverse-Engineering-Service

Für nicht mehr lieferbare 4H-N SiC-Substrate, schwer zu beschaffende Original-Wafer und nicht standardmäßige kundenspezifische Substrate für spezielle Halbleiterprozessanlagen bieten wir professionelle Reverse-Engineering- und Ersatzfertigungsdienste an. Kunden können die folgenden Informationen für die Bewertung und Angebotserstellung bereitstellen:

Original-Teilenummer der Ausrüstung

Detaillierte technische Zeichnungen und Parameterspezifikationen

Klare Produktfotos und physische Muster (neu/gebraucht)

Wichtige Dimensions-, Kristall- und elektrische Parameterdaten

Informationen zum unterstützenden Epitaxiegeräte-Modell und zur Charge

Spezifische Anwendungsszenarien und Prozessumgebungsparameter

Unser professionelles Ingenieurteam führt eine umfassende Bewertung der Substrat-Kristallqualität, der elektrischen Leistung, der Verarbeitungsschwierigkeit und der Fertigungsfähigkeit durch, bevor ein formelles Angebot erstellt wird. Alle kundenspezifisch gefertigten Ersatz-SiC-Substrate werden für die Epitaxie-Kompatibilität und die Ausbeute der Bauteile optimiert. Die endgültige passende Leistung wird gemäß der tatsächlichen Gerätekonfiguration und den Produktionsprozessstandards des Kunden bestätigt, um eine Null-Differenz im Nutzungseffekt zu gewährleisten.

Qualitätskontrolle

Wir führen eine präzise Qualitätsprüfung über den gesamten Prozess für alle 4H-N SiC-Substrate durch und können gezielte Prüfposten und vollständige Testberichte gemäß den Projektanforderungen des Kunden und den SEMI-Industriestandards bereitstellen. Die Kerninspektionsinhalte umfassen:

Vollständige Dimensionsprüfung (Durchmesser, Dicke, Toleranzkalibrierung)

Erkennung der Genauigkeit von Kristallorientierung und Off-Axis-Winkel

Prüfung der Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands und der Dotierkonzentration

Prüfung von Oberflächenebene, TTV, Verzug/Planheit und Rauheit

Visuelle Defektprüfung (Kratzer, Gruben, Risse, Polytyp-Einschlüsse)

Erkennung von Oberflächensauberkeit und inneren Spannungen

Prüfung der Montagegenauigkeit und der Passungstoleranzen Typische Dicke 350 μm. Maßgeschneiderte Dicke, SSP/DSP-Polierung verfügbar, PV- und Energiespeicherinverter

Prüfung der professionellen Antikollisions- und staubdichten Waferverpackung

Formelle Inspektionsberichte mit vollständigen Testdaten können zur Unterstützung der Wareneingangsprüfung und der Rückverfolgbarkeit der Produktionsqualität des Kunden bereitgestellt werden.

Welche Informationen sollten Sie für ein Angebot senden?

Um eine genaue Angebotserstellung zu gewährleisten und den Lieferzyklus zu verkürzen, geben Sie bitte die folgenden detaillierten Informationen bei der Beratung an:

Vollständige technische Zeichnungen und Parameterblätter des Produkts

Anforderungen an Waferdurchmesser, Dicke und Toleranzen

Kristallorientierung, Off-Axis-Winkel und spezifischer Widerstandsbereich

Anforderungen an Oberflächengüte, Poliergrad und Sauberkeit

Parameter der passenden Hilfskomponenten (falls vorhanden)

Marke, Modell und unterstützende Prozessbedingungen der Epitaxieanlage

Original-OEM-Teilenummer, falls verfügbar

Benötigte Menge und Chargenbedarf

Spezifische Anwendungsprozesse und Anforderungen an extreme Umgebungen

Wenn keine vollständigen technischen Zeichnungen verfügbar sind, stellen Sie bitte klare hochauflösende Fotos und physische Muster des SiC-Substrats zur Verfügung, damit unser Team Parameterprüfungen und Schemevaluierungen durchführen kann.

FAQ

Wofür werden 4H-N SiC-Substrate hauptsächlich verwendet?

4H-N SiC-Substrate sind Kernmaterialien mit großer Bandlücke für die Leistungshalbleiterfertigung, die hauptsächlich in SiC-MOSFETs, Schottky-Barrier-Dioden, Hochspannungs-Leistungsmodulen, elektrischen Steuerungssystemen für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik- und Windkraftwechselrichtern, industriellen Hochfrequenzstromversorgungen und Hochtemperatur-Elektronikgeräten für die Luft- und Raumfahrt eingesetzt werden und für Epitaxie- und Chipfertigungsprozesse mit hoher Spannung, hoher Frequenz und hohem Wärmefluss geeignet sind.

Können Sie kundenspezifische integrierte SiC-Substrat-Baugruppen liefern?

Ja. Neben einzelnen 4H-N SiC-Substrat-Wafern können wir verschiedene passende Waferhalterungen, Metallbasen, Positionierkomponenten und fertige integrierte Baugruppen gemäß Zeichnungen und Musteranforderungen kundenspezifisch anfertigen und so eine One-Stop-Unterstützungsversorgung realisieren.

Können Sie Ersatz-SiC-Substrate für alte und spezielle Geräte herstellen?

Ja. Wir unterstützen kundenspezifische Fertigungsdienstleistungen, einschließlich zeichnungsbasierter Produktion und Muster-Reverse-Engineering. Kunden können Original-Teilenummern, technische Parameter, physische Muster und Geräteinformationen bereitstellen, und unser Team wird die Leistungsanpassung und die alternative Fertigung abschließen.

Können alle Kernparameter von 4H-N SiC-Substraten angepasst werden?

Ja. Alle Schlüsselparameter, einschließlich Wafergröße, Dicke, Kristallorientierung, Off-Axis-Winkel, spezifischer Widerstand, Kantenbearbeitung, Oberflächenrauheit und Ebenheit, können vollständig an die Epitaxieprozessanforderungen des Kunden angepasst werden, um personalisierte F&E- und Massenproduktionsanforderungen zu erfüllen.

Unterstützen Sie Kleinserien- und Prototypenbestellungen?

Ja. Wir unterstützen vollumfänglich die Prototypenentwicklung, Labortests in Kleinserien, den Ersatz von Geräten und Massenproduktionschargen. Wir bewerten das Produktionsschema und das Angebot gemäß den kundenspezifischen Parametern und der Verarbeitungsschwierigkeit.

Umbauten:

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate