Industriequalität 6H SiC Substrate für Hochtemperatur-, UV- und Präzisionselektronik

6H-SiC-Substrate in Industriequalität für Hochtemperatur-, UV- und Präzisionselektronik

Produktübersicht

6H-Siliziumkarbid (SiC)-Substrate sind hochwertige einkristalline Wafer, die für Hochtemperatur-, Hochspannungs- und spezielle optoelektronische Anwendungen entwickelt wurden. Im Gegensatz zu 4H SiC bietet 6H einen anderen hexagonalen Polytyp mit etwas geringerer Elektronenmobilität, aber ausgezeichneter thermischer Stabilität, mechanischer Festigkeit und Kosteneffizienz für Nischenanwendungen wie UV-LEDs, Hochtemperatursensoren und Industrieelektronik.

Hauptmerkmale

• Sechseckige 6H-Kristallstruktur:Gewährleistet Dimensionsstabilität und mechanische Robustheit während der Waferverarbeitung.

• Elektrische Eigenschaften:Mäßige Elektronenmobilität, geeignet für Hochtemperatur- und Hochspannungsgeräte; unterstützt kleinere Geräteflächen.

• Wärmeleitfähigkeit (~390–450 W/m·K):Effiziente Wärmeableitung in Leistungsmodulen und rauen Umgebungen.

• Mechanische Festigkeit und chemische Beständigkeit:Hohe Härte und Korrosionsbeständigkeit für langfristige Zuverlässigkeit.

• Epi-Ready-Oberflächenoptionen:Kompatibel mit epitaktischem Wachstum, einschließlich Wasserstoffausheilen und CMP-Polieren.

• Anpassbare Größen und Dicke:Erhältlich in Standarddurchmessern oder maßgeschneidert für spezifische Produktionsanforderungen.

Anwendungen

• Hochtemperatur-Halbleiterbauelemente und -sensoren

• UV-LEDs und spezielle Optoelektronik

• Luft- und Raumfahrt- sowie Automobilelektronik sind extremen Bedingungen ausgesetzt

• Industrieelektronik erfordert kompakte und robuste Komponenten

• Forschung und Entwicklung im Bereich Wide-Bandgap-Halbleiter

Technische Spezifikationen (typisch und anpassbar)

Vorteile von quadratischen Substraten

• Hochtemperatursensoren und UV-LEDs:Quadratische Substrate ermöglichen eine präzise Ausrichtung von Elektroden und Gehäuseböden.

• Industrieelektronik:Ermöglicht ein kompaktes Design mit hoher Integration und reduziert Lücken zwischen Paket und Substrat.

• HF- und Mikrowellenschaltungen (SI-Option):Reduzierter Signalverlust für Hochfrequenzanwendungen.

Herstellungsprozess

1. Pulversynthese: Hochreiner SiC-Rohstoff.

2. Samenmontage: 6H-Samen in Wachstumsampulle befestigt.

3. Hochtemperaturwachstum: Durch Sublimation bei 2300–2500 °C entstehen SiC-Kügelchen.

4. Schneiden: Eine Diamantdrahtsäge schneidet Waffeln.

5. Polieren und Inspektion: CMP- oder Diamantpolieren für eine Epi-ready-Oberfläche; Messtechnik und Analysezertifikat (CoA) werden bereitgestellt.

Wichtige Anwendungen und Anwendungsfälle

• Hochtemperaturelektronik und Industriesensoren

• UV-Optoelektronik

• Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungselektronik unter extremen Bedingungen

• Kompakte, hochzuverlässige Stromversorgungsgeräte für Nischenmärkte

• Forschung und Entwicklung sowie Pilotproduktion von Halbleiterbauelementen mit großer Bandlücke

FAQ

1.Was unterscheidet 6H-SiC-Substrate von 4H-Substraten?

6H SiC hat einen anderen hexagonalen Polytyp, eine geringere Elektronenmobilität und kostengünstige Vorteile für Hochtemperatur- und Spezialanwendungen, während 4H Standard für Hochgeschwindigkeits-Leistungsgeräte mit hohem Wirkungsgrad ist.

2.Kann 6H SiC hohen Temperaturen standhalten?

Ja, es behält die mechanische und elektrische Stabilität in extremen thermischen Umgebungen bei.

3.Sind 6H-SiC-Substrate anpassbar?

Ja, Durchmesser, Dicke, Oberflächenbeschaffenheit und Leitfähigkeit können an die Anforderungen von Forschung und Entwicklung oder Produktion angepasst werden.

4.Welche Branchen verwenden 6H-SiC-Substrate?

Hochtemperatursensoren, UV-LEDs, Luft- und Raumfahrt-, Automobil- und Industrieelektronik, die unter extremen Bedingungen robuste Leistung erfordern.