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SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Zertifizierung: rohs

Modellnummer: SrLaAlO4-Substrat

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Hervorheben:

Zusammengestelltes SrLaAlO4-Substrat

,

5x5x1mmt SrLaAlO4-Substrat

,

10x10x0

Kristallsystem::
Quadrat
Wachstums-Methode::
Tiraph
Größe::
Individualisiert
Kristallorientierung::
Die
Positionsgenauigkeit::
±0.5°
Verpackung::
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 saubere Raum
Kristallsystem::
Quadrat
Wachstums-Methode::
Tiraph
Größe::
Individualisiert
Kristallorientierung::
Die
Positionsgenauigkeit::
±0.5°
Verpackung::
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 saubere Raum
SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst

SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst 0

Abstract

 

 

SrLaaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0,5 mmt, 5x5x1 mmt individuell angepasst

 

 

The lanthanum strontium aluminate (LaSrAlO4) crystal substrate has emerged as the preferred choice for high-temperature superconducting thin film deposition due to its exceptional lattice matching characteristicsMit einer stabilen tetragonalen Kristallstruktur behält dieses Material auch bei einem hohen Schmelzpunkt von 1650°C seine strukturelle Integrität, während seine hohe Dichte (5.92 g/cm3) und dielektrische Konstante (16.8) bieten optimale Grundbedingungen für das Wachstum eines supraleitenden Films.hochwertige Kristallsubstrate mit unterschiedlichen Ausrichtungen und Abmessungen erhalten werden können, um unterschiedliche Forschungs- und Anwendungsanforderungen zu erfüllenDieses Material weist insbesondere keine Phasenübergänge über einen breiten Temperaturbereich hinweg auf und verhindert so wirksam kristalline Strukturfehler, die durch thermische Schwankungen verursacht werden.

 

 


 

Technische Parameter

 

 

Haupteigenschaftsparameter
Kristallsystem Quadrat
Wachstumsmethode Tiraph
Gitterkonstante a=3,756Å c=12,63 Å
Schmelzpunkt (°C) 1650
Dichte 5.92 (g/cm)3)
Härte 6-6,5 (Mohs)
Die dielektrische Konstante ε ~ 22 Jahre
Größe 10 × 3, 10 × 5, 10 × 10, 15 × 15, 20 × 15, 20 × 20
F15, F20, F1′′, F2′′
Stärke 0.5 mm,1.0 mm
Polstern mit einer Breite von mehr als 30 mm
Kristallorientierung Die
Genauigkeit der Ausrichtung der Ebene: ±0,5°
Genauigkeit der Randorientierung: 2° (bis zu 1° bei besonderen Anforderungen)
mit einer Dicke von mehr als 0,15 mm Wafer mit randorientierten Kristallflächen, die in bestimmten Winkeln (1°-45°) geneigt sind, können nach spezifischen Bedürfnissen verarbeitet werden
- Ich weiß nicht. ≤ 5 μm × 5 μm
Verpackung Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 saubere Raum

 

 


 

 

SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst 1

Wesentliche Merkmale

 

 

Eigenschaften der kristallinen Struktur:Ein Perovskit-Konfiguration ähnlich SrTiO3, während überlegene strukturelle Integrität und reduzierte Gitterdefektdichte.

 

Epitaxial Kompatibilität:Zeigt hochkompatible Gitterparameter mit Cuprat-Supraleitern wie YBCO und bietet eine ideale Vorlage für ein hochwertiges Supraleitungs-Epitaxialfilmwachstum.

 

Thermodynamische Stabilität:Er weist im Vergleich zu herkömmlichen Perovskitmaterialien ein moderateres thermisches Expansionsverhalten auf und minimiert die thermische Mismatch-Spannung während heteroepitaxialer Prozesse signifikant.

 

Dielektrische Eigenschaften:Seine geringe dielektrische Konstante macht ihn für Mikrowellen- und Hochfrequenzanwendungen besonders geeignet.

 

 

SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst 2

 

Anwendungen

 

-Elektrische Supraleitergeräte:Mit außergewöhnlicher Gitterkompatibilität dient es als bevorzugtes Substratmaterial für die Herstellung von REBCO-supraleitenden dünnen Filmen.

 

-Hochfrequente elektronische Komponenten:Seine einzigartigen dielektrischen Eigenschaften machen ihn für 5G/6G-Kommunikationsgeräte von entscheidendem Wert.

 

-Heteroepitaxiale Technologie:Bietet eine atomar flache und stabile Schnittstelle für das Wachstum komplexer Oxid dünner Folien.

 

-Forschung über modernste Materialien:Unterstützt die Vorbereitung und Charakterisierung neuartiger Quantenmaterialien wie topologischer Isolatoren.

 

 


 

Produktanzeige

 

ZMSH bietet kundenspezifische Strontium-Lanthan-Aluminat- (SrLaAlO4) Kristallwafer an, die speziell entwickelt wurden, um die hohen Anforderungen an Hochtemperatur-Supraleiter und Hochfrequenzanwendungen zu erfüllen.Unsere maßgeschneiderten Kristallsubstrate sind so konzipiert, dass sie Spitzenforschungsinitiativen unterstützen und hochwertige Grundlagen für verschiedene fortschrittliche Technologien gewährleisten.

 

 

SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst 3SrLaAlO4 Strontium-Lanthan-Aluminat Substrat 10x10x0.5mmt 5x5x1mmt individuell angepasst 4

 

 


 

Fragen und Antworten

 

1F: Was macht SrLaAlO4-Kristallwafer ideal für Supraleiteranwendungen?
A: Durch ihre außergewöhnliche Gittermatching mit REBCO-Supraleitern (Missmatch <3%) und ihre thermische Stabilität wird ein hochwertiges epitaxielles Dünnschichtwachstum ermöglicht.

 

 

2. F: Wie verhält sich SrLaAlO4 im Vergleich zu LaAlO3 als Substratmaterial?
A: SrLaAlO4 bietet eine überlegene Phasenstabilität (keine Zwillingsbildung unter 1000°C) und eine engere Gitterverknüpfung mit Cuprat-Supraleitern als LaAlO3.


 


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