Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm

Silikonkarbidwafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Industrieanwendung mit Oberflächenrauheit ≤ 0,2 nm

Produktbeschreibung

ZMSH hat sich zu einem führenden Hersteller und Lieferanten von SiC-Substratwafern (Silicon Carbide) entwickelt.Wir sind stolz darauf, die wettbewerbsfähigsten Preise auf dem Markt für 2-Zoll- und 3-Zoll-Forschungsgrad SiC-Substrat-Wafer anzubieten., die ihren Kunden einen außergewöhnlichen Wert bieten.

SiC-Substratwafer finden Anwendungen in einer Vielzahl von elektronischen Gerätedesigns, insbesondere in Produkten, die hohe Leistung und hohe Frequenz erfordern.Diese Wafer spielen eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung fortschrittlicher und effizienter elektronischer Systeme.

Darüber hinaus werden Wafer aus SiC-Substrat im Bereich der LED-Technologie (Light Emitting Diode) weit verbreitet.LEDs sind Halbleitergeräte, die durch Kombination von Elektronen und Löchern energieeffizientes Licht mit geringer Hitze erzeugenSiC-Substratwafer tragen wesentlich zur Leistung und Zuverlässigkeit von LEDs bei und sind damit ein wesentlicher Bestandteil in der LED-Industrie.

Bei ZMSH sind wir bestrebt, hochwertige SiC-Substrat-Wafer zu den besten Preisen bereitzustellen, um den unterschiedlichen Bedürfnissen unserer Kunden in verschiedenen Branchen gerecht zu werden.

Produktparameter

Anwendung des Produkts

Silicon-Carbid-Wafer (SiC-Wafer) sind aufgrund ihrer Eignung für Automobilelektronik, optoelektronische Geräte und industrielle Anwendungen sehr begehrt.Diese Wafer umfassen sowohl SiC-Substrate des Typs 4H-N als auch SiC-Substrate zur Halbisolierung, die als entscheidende Komponenten in einer Vielzahl von Geräten dienen.

4H-N-SiC-Substrate besitzen außergewöhnliche Eigenschaften, einschließlich einer breiten Bandlücke, die eine effiziente Leistungsschaltung in der Elektronik ermöglicht.Sie weisen eine bemerkenswerte Beständigkeit gegen mechanischen Verschleiß und chemische Oxidation auf., so dass sie ideal für Anwendungen geeignet sind, die einen hohen Temperaturbetrieb und einen geringen Leistungsverlust erfordern.

Halbisolierende SiC-Substrate bieten eine hervorragende Stabilität und Wärmebeständigkeit und eignen sich daher für verschiedene optoelektronische Anwendungen.Ihre Fähigkeit, in Hochleistungsgeräten ihre Stabilität zu bewahren, ist besonders wertvollDarüber hinaus können halbisolierende SiC-Substrate als gebundene Wafer verwendet werden, die eine wichtige Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker mikroelektronischer Geräte spielen.

Die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Wafer machen sie für eine Vielzahl von Anwendungen, insbesondere in der Automobilindustrie, in der Optoelektronik und in der Industrie, sehr vielseitig.SiC-Wafer sind unentbehrliche Komponenten in der heutigen technologischen Landschaft und gewinnen weiterhin in verschiedenen Branchen an Popularität.

Häufig gestellte Fragen

Was ist ein SiC-Substrat?

Was sind SiC-Wafer und Substrate?

Siliziumkarbid (SiC) -Wafer und -Substrate sind spezielle Materialien, die in der Halbleitertechnik aus Siliziumkarbid hergestellt werden, einer Verbindung, die für ihre hohe Wärmeleitfähigkeit bekannt ist,ausgezeichnete mechanische Festigkeit, und breite Bandgap.

Ein SiC-Substrat oder Siliziumkarbid-Substrat ist ein kristallines Material, das als Fundament oder Basis verwendet wird, auf dem Halbleitergeräte hergestellt werden.Es besteht aus Silizium- und Kohlenstoffatomen, die in einer Kristallgitterstruktur angeordnet sindSiC-Substrate sind so konzipiert, dass sie spezifische elektrische, thermische,und mechanische Eigenschaften, die sie für eine Vielzahl elektronischer und optoelektronischer Anwendungen sehr geeignet machen.

SiC-Substrate bieten verschiedene Vorteile gegenüber herkömmlichen Halbleitermaterialien wie Silizium (Si), darunter:

Breite Bandbreite: SiC hat eine breite Bandbreite, typischerweise um 2,9 bis 3,3 Elektronenvolt (eV), was die Herstellung von Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten ermöglicht.Diese breite Bandbreite ermöglicht es Geräten, bei höheren Temperaturen und Spannungen effizient zu arbeiten und gleichzeitig den Leckstrom zu minimieren.
Hohe Wärmeleitfähigkeit: SiC-Substrate weisen eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit auf, die eine effiziente Ableitung der Wärme während des Betriebs des Geräts ermöglicht.Diese Eigenschaft ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts, insbesondere bei Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.
Chemische Stabilität: SiC ist chemisch stabil und korrosionsbeständig, was ihn für den Einsatz in rauen Umgebungen und reaktiven chemischen Prozessen geeignet macht.Diese Stabilität gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit und Stabilität des Geräts unter verschiedenen Betriebsbedingungen.
Mechanische Härte: SiC-Substrate weisen eine hohe mechanische Härte und Steifheit sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Abnutzung und Verformung auf.Diese Eigenschaften tragen zur Haltbarkeit und Langlebigkeit von Geräten bei, die auf SiC-Substraten hergestellt werden.
Hohe Ausfallspannung: SiC-Geräte können im Vergleich zu Silizium-Geräten höheren Ausfallspannungen standhalten.die Entwicklung robusterer und zuverlässigerer Leistungselektronik und Hochspannungsgeräte ermöglicht.
Hohe Elektronenmobilität: SiC-Substrate haben eine hohe Elektronenmobilität, was zu einem schnelleren Elektronentransport und höheren Schaltgeschwindigkeiten in elektronischen Geräten führt.Diese Eigenschaft ist für Anwendungen von Vorteil, die einen Hochfrequenzbetrieb und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern.

Insgesamt spielen SiC-Substrate eine entscheidende Rolle bei der Entwicklung fortschrittlicher Halbleitergeräte für Anwendungen in der Leistungselektronik, in der Funkfrequenzkommunikation, in der Optoelektronik, in derHochtemperatur-ElektronikDie einzigartige Kombination von elektrischen, thermischen,Sie sind daher unerlässlich, um elektronische und photonische Systeme der nächsten Generation in verschiedenen Branchen zu ermöglichen..