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Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Test-Grad-Wafer für Laserschneiden

Produkt-Details

Herkunftsort: China

Markenname: ZMSH

Modellnummer: SiC-Substrat

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Packaging Details: customzied plastic box

Lieferzeit: 2-4 Wochen

Payment Terms: T/T

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:

Dichte Materialien Siliziumkarbid Substrat

,

Laserschneiden mit Siliziumkarbid-Substrat

,

mit einer Breite von mehr als 20 mm

Oberfläche:
Si-Oberflächen-CMP; C-Gesicht Mp;
Abbruchspannung:
5,5 MV/cm
Dichte:
3.21 G/cm3
Wärmeleitfähigkeit:
4,9 W/mK
Dielektrische Konstante:
9,7
Widerstand:
0,015 ~ 0,028 Ohm.cm; Oder >1E7ohm.cm;
Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dotierstoff:
N/A
Oberfläche:
Si-Oberflächen-CMP; C-Gesicht Mp;
Abbruchspannung:
5,5 MV/cm
Dichte:
3.21 G/cm3
Wärmeleitfähigkeit:
4,9 W/mK
Dielektrische Konstante:
9,7
Widerstand:
0,015 ~ 0,028 Ohm.cm; Oder >1E7ohm.cm;
Oberflächenhärte:
HV0,3>2500
Dotierstoff:
N/A
Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Test-Grad-Wafer für Laserschneiden

Silikonkarbid (SiC) Substrat 6 Zoll 8 Zoll Laserschnitt Für die epitaxielle Vorbereitung

Beschreibung des Produkts:

Das umfassende Angebot von Coherent an SiC-Epitaxialwafern beschleunigt nicht nur die Produktentwicklung, sondern senkt auch die Produktionskosten erheblich und verbessert die Gesamtleistung der Geräte.mit einem Durchmesser von nicht mehr als 200 mmDie Flexibilität bei der Anpassung umfasst Optionen wie dicke Epilager,mit oder ohne PufferschichtenDie Technologie von Coherent ermöglicht zudem die Integration komplexer Strukturen wie mehrschichtiger Konfigurationen,P-n-KreuzungenDiese Anpassung gewährleistet, dass die Kunden die Substrat-Eigenschaften genau auf ihre Anforderungen abstimmen können.so die Funktionalität und Effizienz des Geräts optimiert werden- Darüber hinaus zeigt das Engagement von Coherent, Kunden von der Forschungsphase bis zur Serienproduktion zu unterstützen, einen starken Partnerschaftsansatz,Erleichterung eines reibungsloseren Übergangs von Prototypen zu marktfähigen ProduktenDiese ganzheitliche Lösung ermöglicht es den Halbleiterherstellern, in wettbewerbsfähigen Märkten voranzukommen, indem sie hochleistungsfähige Materialien nutzen, die für zukünftige Technologien entwickelt wurden.

Eigenschaften:

Spezifizierung Wert
Produktbezeichnung SiC-Substrat
Abbruchspannung 5.5 MV/cm
Zugfestigkeit > 400 MPa
Koeffizient der thermischen Ausdehnung 4.5 X 10-6/K
Dielektrische Konstante 9.7
Oberfläche Si-Seite CMP; C-Seite Mp

Anwendungen:

Siliziumkarbid (SiC) Substrate, insbesondere solche mit größeren Durchmessern wie 6 Zoll und 8 Zoll, sind in der Halbleiterindustrie immer wichtiger.besonders für Anwendungen, bei denen epitaxiale Schichten erforderlich sindDiese Substrate sind bekannt für ihre hervorragenden Materialeigenschaften, die hohe Wärmeleitfähigkeit, hervorragende elektrische Isolierung und überlegene mechanische Festigkeit umfassen.Die größeren SiC-Substrate ermöglichen eine höhere Ausbeute bei der Herstellung von Geräten, was sie für die Großproduktion sehr effizient macht.

Bei der Epitaxialvorbereitung auf SiC wird eine kristalline Schicht aus Siliziumcarbid auf das SiC-Substrat abgelagert, um einen strukturell und chemisch konsistenten Einzelkristall zu bilden.Dieser Prozess ist für Anwendungen in der Leistungselektronik und Optoelektronik von entscheidender Bedeutung., wobei die Leistung des Geräts durch die Qualität der Epitaxialschicht erheblich verbessert wird.Die Verwendung der Laserschnitttechnologie bei der Herstellung dieser Substrate sorgt für präzise Abmessungen und minimale Materialverschwendung, was die Effizienz des Herstellungsprozesses insgesamt erhöht.

Anpassung:

  • Markenbezeichnung: ZMSH
  • Modellnummer: SIC-Substrat
  • Herkunftsort: CHINA
  • Mindestbestellmenge: 10%
  • Preis: je nach Fall
  • Verpackungsdetails: maßgeschneiderte Plastikbox
  • Lieferzeit: 2-4 Wochen
  • Zahlungsbedingungen: T/T
  • Versorgungsfähigkeit: 1000 Stück/Monat
  • Oberflächenrauheit: Ra<0,5 nm
  • Wärmeleitfähigkeit: 4,9 W/mK
  • Substratart: Epitaxialpräparat
  • Besondere Größen verfügbar:6 Zoll,8 Zoll

Verpackung und Versand:

Jedes 6- und 8-Zoll-Substrat aus Siliziumcarbid (SiC) ist individuell und mit größter Sorgfalt verpackt, um einen maximalen Schutz zu gewährleisten.Der Prozess beginnt mit einer gründlichen Reinigung und Inspektion, um sicherzustellen, dass nur defektefreie Substrate verpackt werdenJedes Substrat wird dann in ein antistatisches Material gewickelt, um es vor Kratzer und statischen Schäden zu schützen.Starrer Behälter, der so konstruiert ist, dass die Bewegung minimiert und physische Schäden verhindert werdenDieser Behälter wird dann mit Schaum- oder Blasenfolie in einer Sekundärbox gepolstert, die fest versiegelt ist und mit wesentlichen Handhabungs- und Inhaltsinformationen klar gekennzeichnet ist.Für Substrate, die an Umweltbedingungen anfällig sind, werden Maßnahmen wie Silikagelpakete hinzugefügt, um die Luftfeuchtigkeit zu kontrollieren, um sicherzustellen, dass die SiC-Substrate in einem optimalen Zustand ankommen, bereit für hochpräzise Anwendungen in der Halbleiterherstellung.

Das SiC-Substrat wird über einen seriösen Kurierdienst versandt, wobei die Versandart vom Standort und den Vorlieben des Kunden abhängt.Kunden erhalten eine Tracking-Nummer, um den Fortschritt ihrer Sendung zu überwachen.Die Lieferzeiten variieren je nach Bestimmungsort, aber Kunden können erwarten, dass ihre Bestellung innerhalb von 7-10 Werktagen eintrifft.