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GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

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GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

GaN Template Grow Application SSP Sapphire Carrier Substrate Chip Custom Orientation
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Großes Bild :  GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: kundengebundener Orientierungssaphir

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 25pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: cassettle 25pcs Fall im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Saphir crysyal Anwendungen: LED, epi-bereiter Test
Orientierung: A, M, R, C, durch besonders angefertigt Größe: 2-4inch o.k.
Dicke: 430um, 500um, Verpackung: Kasten der Kassette 25pcs durch Vakuumverpackung
Markieren:

gan substrate

,

aln template

kundengebundener Orientierung 2inch SSP Saphir-Trägersubstratchip für GaN-Schablone wachsen Anwendung

 

Saphiroblatenfördermaschinen werden zu anspruchsvollen Spezifikationen hergestellt und eine stabile Fördermaschine für die Verarbeitung von GaAs, von GaN, von AlN und von anderer Halbleiter Schablone anbieten. Saphiroblatenfördermaschinen sind dauerhaft, Chip, Chemikalie und verkratzen beständiges und werden wiederholtem Gebrauch standhalten. Wegen der extremen Härte des Saphirs liefert er stärkere und dauerhaftere Fördermaschine als Quarz und andere Materialien.

 

Die Spezifikation des Saphirs, den wir anbieten können:

Größe: Durchmesser von 2" bis 6"
Material: Optischer Grad hoher Reinheitsgrad-Saphir
Form: Gewohnheit machen Lochgrößen und -muster halb Standardebenen und verfügbare Lasermarkierung

Orientierungen: C-Achse, Ein-Achse, M-Achse, R-Achse oder andere Speical-Achse wie wie 1-10°off C-plane±0.1°,

Durchmesser: 2inch 50.8mm, 3inch 76.2mm oder größeres

Oberfläche: SSP/DSP (durch Ihren Bedarf)

Stärke: 330um oder 430um für 2inch; 350um oder 500um oder 650um für 4inch, 

Stärke Tolerace: ±10um

Ra: Rückseite des Vorderseite Ra<0.3nm/hüllte Ra0.8~1.2um ein (oder die Doppeltseite poliert)

TTV/bow: <10um

Paket: Kasten der Kassette 25pcs in 100 Gradreinigungsräumen 

 

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP 0

 

Das templateof GaN AlN, das wir auch anbieten können:

 

Einzelteil GaN-T-N GaN-T-S

Maße Ф 2" Dia50.8mm

GaN-Stärke 15 μm, 20 μm, 30 μm, 40 μm 30 μm, μm 90

Orientierungsc$c-achse (0001) ± 1°

Leitungs-Art N-artiges Halb-Isolieren

Widerstandskraft (300K)< 0=""> 106 Ω·cm

Versetzungsdichte kleiner als cm2 1x108

Substratstruktur starkes GaN auf Saphir 430um oder 330um (0001)

Verwendbare Fläche > 90%

Polierstandard: SSP/Wahl: DSP

Paket verpackte in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den Kassetten 25pcs

                          oder einzelne Oblatenbehälter, unter einer Stickstoffatmosphäre.

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP 1

GaN-Schablone wachsen Saphir-Trägersubstrat-Chip-Gewohnheits-Orientierung der Anwendungs-SSP 2

FAQ:

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

A: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.

(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.

Fracht ist in Übereinstimmung mit der tatsächlichen Regelung oder durch UHRKETTE.

 

Q: Wie man zahlt?

A: T/T,

 

Q: Was ist Ihr MOQ?

A: (1) ist unsere Standardgröße für Inventar, das MOQ 25pcs in einer Kassette

(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 25pcs oben.

 

Q: Was ist die Lieferfrist?

Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 4 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.

 

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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