Memorandum: Entdecken Sie den 10x10x0,5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Siliziumkarbid-Wafer, konzipiert für Hochleistungs-Leistungselektronik. Dieser Wafer bietet hohe Kristallqualität, geringe Defektdichten und anpassbare Optionen, um Ihre Anforderungen an die Bauelementefertigung zu erfüllen. Ideal für Transport, Energie und Industriemärkte.
Zugehörige Produktmerkmale:
Hohe Kristallqualität für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik.
Niedrige Defektdichten gewährleisten eine zuverlässige Leistung.
Anpassungsfähig, um spezifische Anforderungen an die Herstellung von Geräten zu erfüllen.
Große Durchmesser-Wafer für verbesserte Skaleneffekte.
Hergestellt unter Verwendung modernster Techniken des physikalischen Dampftransports (PVT).
Konsistente mechanische Eigenschaften für die Kompatibilität mit Fertigungsprozessen.
Optimiert Leistung und Gesamtbetriebskosten für Geräte der nächsten Generation.
Verfügbar in 150-mm-Größe für erhöhte Produktionseffizienz.
FAQ:
Was sind die Hauptmerkmale der 4H-SiC-Wafer?
Der Wafer zeichnet sich durch hohe Kristallqualität, geringe Defektdichten und anpassbare Optionen für die Bauelementefertigung aus, was ihn ideal für die Leistungselektronik macht.
Wie wird die SiC-Wafer hergestellt?
Der Wafer wird unter Verwendung proprietärer, hochmoderner physikalischer Dampftransport- (PVT-) Wachstumstechniken und fortschrittlicher Herstellungsprozesse hergestellt.
Kann der Wafer an spezifische Bedürfnisse angepasst werden?
Ja, der Wafer kann an Leistungs- und Kostenanforderungen angepasst werden, mit Optionen für niedrige Defektdichten und spezifische Toleranzen.
Welche Branchen profitieren von dieser Wafer?
Branchen wie Verkehr, Energie und Industriemärkte profitieren von den Hochleistungsfähigkeiten des Wafers in der Leistungselektronik.