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10x10x0,5mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Siliziumkarbid Wafer

sic crystal
September 09, 2022
Kategorieverbindung: Sic Substrat
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#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat
Memorandum: Nehmen Sie an einer Nahaufnahme der 10x10x0,5 mm SiC 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Siliziumkarbid-Wafer teil und entdecken Sie, wie seine hohe Kristallqualität den Anforderungen der Leistungselektronik gerecht wird. Dieses Video zeigt seine zuverlässige Leistung und fortschrittliche Fertigungstechniken.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Optimiert Leistung und Kosten für Leistungselektronikgeräte der nächsten Generation.
  • Wafer mit großem Durchmesser verbessern die Skaleneffekte in der Halbleiterfertigung.
  • Verfügbar in verschiedenen Toleranzstufen, um spezifischen Fertigungsanforderungen gerecht zu werden.
  • Hohe Kristallqualität gewährleistet überragende Leistung.
  • Geringe Defektdichten für eine zuverlässige Geräteherstellung.
  • Die Wafergröße von 150 mm verbessert die Produktionseffizienz.
  • Anpassbar, um spezifische Leistungs- und Kostenanforderungen zu erfüllen.
  • Hergestellt mit modernsten PVT-Wachstumstechniken.
FAQ:
  • Was sind die Versandmöglichkeiten und -kosten?
    Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und andere. Wenn Sie Ihr eigenes Express-Konto haben, kann dieses verwendet werden.
  • Wie kann ich das Produkt bezahlen?
    Zahlungsmethoden umfassen T/T, PayPal, West Union, MoneyGram und Zahlungsgarantie. Bankgebühren variieren je nach Methode und Betrag.
  • Welche Lieferzeit hat das Produkt?
    Für Lagerartikel dauert die Lieferung 5 Werktage. Kundenspezifische Produkte benötigen 7 bis 25 Werktage, abhängig von der Menge.
  • Kann das Produkt angepasst werden?
    Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung an Ihre Bedürfnisse anpassen.
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