4H-N-Typ SiC-Substrat 10×10mm Kleine Wafer

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4H-N-Typ SiC-Substrat 10×10mm Kleine Wafer

sic crystal

July 30, 2025

Kategorieverbindung: Sic Substrat

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Der SiC 10×10 Kleinwafer ist ein Hochleistungs-Halbleiterprodukt, das auf der Basis des Halbleitermaterials der dritten Generation, Siliziumkarbid (SiC), entwickelt wurde. Hergestellt mit Physical Vapor Transport (PVT) oder High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD) Verfahren, bietet er zwei Polytyp-Optionen: 4H-SiC oder 6H-SiC. Mit einer Maßtoleranz von ±0,05 mm und einer Oberflächenrauheit Ra < 0,5 nm ist das Produkt in N-Typ- und P-Typ-dotierten Versionen erhältlich und deckt einen spezifischen Widerstandsbereich von 0,01-100 Ω·cm ab. Jeder Wafer durchläuft strenge Qualitätskontrollen, einschließlich Röntgenbeugung (XRD) zur Prüfung der Gitterintegrität und optischer Mikroskopie zur Erkennung von Oberflächenfehlern, um die Einhaltung der Qualitäts

Umbauten:

#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat

Memorandum: Entdecken Sie die 4H-N-Type SiC Substrate 10x10mm Wafer, ein leistungsstarkes Halbleiterprodukt für Leistungselektronik.Diese Wafer ist ideal für neue Energiefahrzeuge, 5G-Infrastruktur und Luft- und Raumfahrtanwendungen.

Zugehörige Produktmerkmale:

4H-N-SiC-Substrat mit Abmessungen von 10x10 mm und einer Toleranz von ±0,05 mm.
Wärmeleitfähigkeit bis 490 W/m*K, dreimal höher als bei Silizium.
Durchschlagsfeldstärke von 2-4 MV/cm, zehnmal höher als die von Silizium.
Stabile Leistung bei Temperaturen bis zu 600 °C mit geringer Wärmeausdehnung.
Vickershärte von 28-32 GPa und Biegefestigkeit von über 400 MPa.
Anpassbare Kristallorientierung, Dicke und Dotierungskonzentration.
Ideal für Leistungselektronik, HF-Geräte und optoelektronische Komponenten.
Strenge Qualitätsprüfungen einschließlich XRD und optischer Mikroskopie.

FAQ:

Was sind die wichtigsten Anwendungen von 10×10 mm SiC-Wafern?

10×10 mm SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und Spannungstoleranz hauptsächlich für Prototypen von Leistungselektronik (MOSFETs / Dioden), HF-Geräten und optoelektronischen Komponenten verwendet.
Wie ist SiC im Vergleich zu Silizium für Hochleistungs-Anwendungen?

SiC bietet eine 10-mal höhere Abbruchspannung und eine 3-mal bessere Wärmeleitfähigkeit als Silizium, was kleinere, effizientere Hochtemperatur-/Hochfrequenzgeräte ermöglicht.
Welche Anpassungsmöglichkeiten gibt es für das SiC-Substrat 10×10mm?

Zu den Anpassungsoptionen gehören nicht standardmäßige Formen (rund, rechteckig), spezielle Dotierungsprofile, Rückseitenmetallisierung sowie maßgeschneiderte Kristallorientierung, -dicke und -dotierungskonzentration.