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4H-N-Typ SiC-Substrat 10×10mm Kleine Wafer

sic crystal
July 30, 2025
Kategorieverbindung: Sic Substrat
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#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat
Memorandum: Haben Sie sich jemals gefragt, wie das 4H-N Typ SiC-Substrat 10×10mm Small Wafer die Leistungselektronik revolutionieren kann? Dieses Video zeigt seine Hochleistungsmerkmale, Anpassungsoptionen und strengen Qualitätskontrollen und macht es ideal für B2B-Anwendungen in neuen Energiefahrzeugen, 5G-Infrastruktur und mehr.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Hochleistungs-Halbleiterprodukt auf Siliziumkarbid (SiC)-Basis mit 4H-SiC- oder 6H-SiC-Polytyp-Optionen.
  • Die Maßtoleranz wird innerhalb von ±0,05 mm kontrolliert und die Oberflächenrauheit Ra < 0,5 nm für Präzisionsanwendungen.
  • Verfügbar in N-Typ- und P-Typ-dotierten Versionen mit einem spezifischen Widerstandsbereich von 0,01-100 Ω*cm.
  • Hervorragendes Wärmemanagement mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 490 W/m*K, dreimal höher als bei Silizium.
  • Hervorragende elektrische Eigenschaften, einschließlich einer Durchschlagsfeldstärke von 2-4 MV/cm und einer Elektronen-Sättigungsdriftgeschwindigkeit von 2×10^7 cm/s.
  • Extreme Umweltanpassungsfähigkeit, Beibehaltung stabiler Leistung bei Temperaturen bis zu 600 °C.
  • Hervorragende mechanische Leistung mit einer Vickers-Härte von 28-32 GPa und einer Biegefestigkeit von über 400 MPa.
  • Kundenspezifische Dienstleistungen für Kristallorientierung, Dicke und Dotierungskonzentration basierend auf Kundenanforderungen.
FAQ:
  • Was sind die wichtigsten Anwendungen von 10×10 mm SiC-Wafern?
    10×10 mm SiC-Wafer werden aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und Spannungstoleranz hauptsächlich für Prototypen von Leistungselektronik (MOSFETs / Dioden), HF-Geräten und optoelektronischen Komponenten verwendet.
  • Wie ist SiC im Vergleich zu Silizium für Hochleistungs-Anwendungen?
    SiC bietet eine 10-mal höhere Abbruchspannung und eine 3-mal bessere Wärmeleitfähigkeit als Silizium, was kleinere, effizientere Hochtemperatur-/Hochfrequenzgeräte ermöglicht.
  • Welche Anpassungsmöglichkeiten gibt es für das SiC-Substrat 10×10mm?
    Zu den Anpassungsoptionen gehören nicht standardmäßige Formen (rund, rechteckig usw.), spezielle Dotierungsprofile, Rückseitenmetallisierung sowie maßgeschneiderte Lösungen für Kristallorientierung, Dicke und Dotierungskonzentration.
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