Siliziumkarbid-Rechtecksubstrat-SiC-Chip für fortschrittliche Elektronik

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December 09, 2025
Kategorieverbindung: Sic Substrat
Memorandum: Wir zeigen Ihnen die praktischen Schritte und Ergebnisse, damit Sie schnell die Eignung beurteilen können. Dieses Video zeigt den Herstellungsprozess von Silicon Carbide Rectangle Substrate SiC Chips,vom Kristallwachstum durch PVT bis zur endgültigen PolierungSie werden sehen, wie diese fortschrittlichen Halbleiter-Substrate für Hochleistungselektronik, HF-Geräte und optoelektronische Anwendungen hergestellt werden.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Erhältlich in den Polytypen 4H-SiC und 6H-SiC für Hochspannungs-Leistungselektronik und HF-Anwendungen.
  • Verfügt über eine große Bandlücke von 3,2–3,3 eV für hohe Durchbruchspannung und Effizienz.
  • Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit (3,0–4,9 W/cm*K) sorgt für eine hervorragende Wärmeableitung.
  • Hohe mechanische Festigkeit mit einer Mohs-Härte von ~9,2 für Haltbarkeit in rauen Umgebungen.
  • Anpassbare Abmessungen und Dicke (330–500 μm), um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
  • Erhältlich mit N-Typ- oder P-Typ-Dotierungsoptionen für maßgeschneiderte elektrische Leistung.
  • Ein- oder beidseitig polierte Oberfläche, einschließlich Epi-Ready-Optionen.
  • Ideal für Leistungselektronik, HF-Geräte, Optoelektronik und Luft- und Raumfahrtanwendungen.
FAQ:
  • Warum SiC-Substrate gegenüber herkömmlichem Silizium bevorzugen?
    SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine überlegene thermische Leistung, eine höhere Durchschlagsfestigkeit und deutlich geringere Schaltverluste und ist somit ideal für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistung.
  • Können diese Substrate mit Epitaxieschichten versehen werden?
    Ja, wir bieten Epi-Ready- und kundenspezifische Epitaxieoptionen für Hochleistungs-, HF- oder optoelektronische Geräteanwendungen.
  • Können Sie die Abmessungen und die Dotierung anpassen?
    Absolut. Kundenspezifische Größen, Dotierungsprofile und Oberflächenbehandlungen sind verfügbar, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
  • Wie verhalten sich SiC-Substrate unter extremen Bedingungen?
    SiC-Substrate behalten ihre strukturelle Integrität und elektrische Stabilität bei Temperaturen über 600 °C und eignen sich daher für raue Umgebungen wie Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und industrielle Hochleistungsanwendungen.