4H-Semi sic

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August 22, 2024

Kategorieverbindung: Sic Substrat

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4H-Semi sic

Umbauten:

#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat

Memorandum: Entdecken Sie die 4H-SEMI SiC Substrate Cutting Disc, eine hochharte Lösung für das Präzisionsschneiden mit einem Durchmesser von 10 mm und einer Dicke von 5 mm.Elektrische Geräte mit hoher LeistungAnpassbar und langlebig, perfekt für industrielle und wissenschaftliche Anwendungen.

Zugehörige Produktmerkmale:

Hohe Härte, bis zu 9,2 Mohs, nur hinter Diamanten.
Hervorragende Wärmeleitfähigkeit, geeignet für Hochtemperaturumgebungen.
Breite Bandbreiten für Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte.
Anpassbar mit Design-Artwork, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.
Hergestellt aus SiC-Monokristall mit einer hexagonalen Kristallstruktur (4H SiC).
Geringe Ladungsträgerkonzentrationen und hohe Isolationseigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Geeignet für Leistungs-MOSFETs, Leistungsdioden, HF-Leistungsverstärker und fotoelektrische Sensoren.
Verfügbar in Prime-Qualität und Dummy-Qualität mit präzisen Spezifikationen.

FAQ:

Was ist der Herstellungsprozess von 4H-Semi-SiC-Schneidblättern?

Die Herstellung von 4H-semi-isolierenden Siliziumkarbid (SiC)-Schneidklingen erfordert eine Reihe komplexer Prozessschritte, darunter Kristallwachstum, Schneiden, Schleifen und Polieren.
Wie sehen die Zukunftsaussichten von 4H-SEMI SiC aus?

Die Zukunftsaussichten von 4H-SEMI SiC sehen vielversprechend aus, was auf seine einzigartigen Eigenschaften und die steigende Nachfrage nach Hochleistungs-Halbleitermaterialien in verschiedenen Branchen zurückzuführen ist.
Für welche Anwendungen sind 4H-SEMI SiC-Wafer geeignet?

4H-SEMI SiC-Wafer eignen sich für Leistungselektronik, HF- und Mikrowellengeräte, optoelektronische Geräte,und Hochtemperatur- und Hochdruckanwendungen aufgrund ihrer hohen Spannungsbeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit.