2 Zoll 4H-SEMI SiC

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2 Zoll 4H-SEMI SiC

SiC-Substrat

August 05, 2024

Kategorieverbindung: Sic Substrat

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2 Zoll 4H-SEMI SiC

Umbauten:

#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat

Memorandum: Entdecken Sie das 4H-SEMI Siliziumkarbid (SiC)-Substrat, einen Hochleistungswafer, der sich ideal für Leistungselektronik, Automobilelektronik und HF-Geräte eignet. Erhältlich in 2-Zoll-Durchmesser mit Dickenoptionen von 350 µm oder 500 µm, bietet dieses Substrat in Prime- oder Dummy-Qualität außergewöhnliche Härte und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Anwendungen.

Zugehörige Produktmerkmale:

Hergestellt aus SIC-Monokristall für höchste Qualität und Leistung.
Unterstützt kundenspezifische Designs mit spezifischen Artwork-Anforderungen.
Hohe Härte von ca. 9,2 Mohs für die Langlebigkeit.
Weit verbreitet in Hightech-Industrien wie Energie und Automobilelektronik.
Erhältlich sowohl in erstklassiger als auch in dummy-Klasse, um verschiedenen Bedürfnissen gerecht zu werden.
Double Side Polish mit Si Face CMP für eine glatte Oberfläche.
Mikropipendichte von ≤ 5 Mikropipen/cm2 für hochwertige Anwendungen.
Anpassungsfähige Spezifikationen, um den einzigartigen Anforderungen des Projekts gerecht zu werden.

FAQ:

Wie stellt 4H-SiC Semi die Qualität seiner Wafer sicher?

4H-SiC Semi verwendet fortschrittliche Fertigungstechniken, einschließlich Chemical Vapor Deposition (CVD) und Physical Vapor Transport (PVT), und befolgt strenge Qualitätskontrollprozesse, um hochwertige Wafer zu gewährleisten.
Was ist der Hauptunterschied zwischen 4H-N SiC und 4H-SEMI SiC?

Der Hauptunterschied besteht darin, dass 4H-N SiC (Stickstoff-dotiert) ein n-Typ-Halbleiter aus Siliziumkarbid ist, während 4H-Semi SiC semi-isolierendes Siliziumkarbid ist, das so verarbeitet wurde, dass es einen sehr hohen spezifischen Widerstand aufweist.
Kann das 4H-SEMI SiC-Substrat angepasst werden?

Ja, das 4H-SEMI SiC-Substrat unterstützt maßgeschneiderte Designs mit spezifischen Kunstwerken und Spezifikationen, um die einzigartigen Projektanforderungen zu erfüllen.