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2 Zoll 4H-SEMI SiC

SiC-Substrat
August 04, 2024
Stichwort: Sic Substrat
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#sic Oblate #sic Substrat #Silikonkarbidsubstrat
Videobeschreibung:
Entdecken Sie das 4H-SEMI Siliziumkarbid (SiC)-Substrat, einen Hochleistungswafer, der sich ideal für Leistungselektronik, Automobilelektronik und HF-Geräte eignet. Erhältlich in 2-Zoll-Durchmesser mit Dickenoptionen von 350 µm oder 500 µm, bietet dieses Substrat in Prime- oder Dummy-Qualität außergewöhnliche Härte und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Anwendungen.
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