Memorandum: Entdecken Sie die Hochleistungs-3''- und 4''-SIC-Epitaxiesubstrate, erhältlich in den Dicken 350 µm und 500 µm, konzipiert für Forschungs- und Dummy-Grade-Anwendungen. Diese SSP- und DSP-Substrate verfügen über 4H- und 6H-Polytypen und bieten überlegene Wärmeleitfähigkeit, hohe Leistungsdichte und geringe Schaltverluste für Industrie-, Automobil- und Luft- und Raumfahrtanwendungen.
Zugehörige Produktmerkmale:
Breitbandlücke-Siliziumkarbid-Halbleiter für die Steuerung von Hochleistungs-Elektrogeräten.
Höhere Betriebstemperaturen und Abbruchspannungen im Vergleich zu traditionellen Siliziumgeräten.
Schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringerer Ein-Aus-Widerstand für eine höhere Effizienz.
Drei Mal die Wärmeleitfähigkeit von Silizium für eine bessere Wärmeableitung.
Hohe Leistungsdichte reduziert Systemgröße und -gewicht.
Extrem geringe Schaltverluste verbessern die Leistung des Systems.
Erhältlich in 3' und 4' Durchmesser mit 350um und 500um Dicke.
Geeignet für industrielle, Verkehrs-, Automobil-, medizinische, Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen.
FAQ:
Was ist die Mindestbestellmenge (MOQ) für diese SIC-Epitaxiesubstrate?
Für Lagerbestände beträgt die MOQ 1 Stück. Für kundenspezifische Produkte beträgt die MOQ 5 Stück oder mehr.
Welche Versandmethoden bieten Sie an und wie werden die Kosten ermittelt?
Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS und andere Spediteure. Wenn Sie Ihr eigenes Express-Konto haben, können wir es verwenden; andernfalls können wir beim Versand behilflich sein. Die Frachtkosten werden auf der Grundlage der tatsächlichen Gebühren abgerechnet.
Wie lange dauert die Lieferung dieser Substrate?
Für Bestandsartikel dauert die Lieferung 5 Werktage nach Bestellung. Für kundenspezifische Produkte dauert die Lieferung 2-3 Wochen nach Bestellbestätigung.
Kann ich die SIC-Epitaxialsubstrate anhand meiner spezifischen Anforderungen anpassen?
Ja, wir können das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung Ihrer Komponenten an Ihre Bedürfnisse anpassen.