Einzelheiten zu den Produkten

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Saphirwafer:Hohe Härte Ausgezeichnete elektrische Isolierung Gute Wärmeleitfähigkeit

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	4-Zoll-C-Plan-SSP-Saphirsubstrate
MOQ:	25
Preis:	Fluctuates with market
Lieferzeit:	4-9 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Kristallorientierung:

C-Ebene / A / R / M

Durchmesser:

2/4/6 Zoll

Dicke:

650 ± 15 um

Kristallwachstumsmethode:

KY / EFG / CZ

Oberfläche:

Poliert oder je nach Anwendung

Poliertyp:

SSP / DSP

Produkt-Beschreibung

Informationen über Saphirsubstrate

Saphirsubstrate sind kritische Grundmaterialien für LEDs und GaN-Geräte.Es unterstützt nachgelagerte Anwendungen im Wert von Billionen von Dollar, die eine strategische und wegweisende Bedeutung haben. Saphirwafer:Hohe Härte Ausgezeichnete elektrische Isolierung Gute Wärmeleitfähigkeit

Vorwärts: Hochreine Aluminiumoxid (hauptsächlich 4N5 und höher), Kristallwuchsgeräte (wie Kyropoulos-Öfen) und Wolfram-Molybdän-Wärmefelder.Einige hochwertige Rohstoffe und Kerngeräte sind nach wie vor teilweise auf Importe angewiesen.

Midstream: Wachstum von Saphirkristallen → Kerngewinnung → Schneiden → Schleifen → Polieren → gemustertem Saphirsubstrat (PSS). Dieses Segment weist die höchsten technischen Barrieren und den höchsten Mehrwert auf.

Im nachgelagerten Bereich: LED-Chips (über 80% des Verbrauchs), Unterhaltungselektronik (Abdeckplatten, Kamerabauteile), Halbleiter der dritten Generation (GaN-Leistungs-/HF-Geräte), optische Fenster usw.Die nachgelagerten Anwendungen erweitern sich von traditionellen LEDs in verschiedene Bereiche.

4 Zoll C-Ebene SSP Saphir Substrate sind Einkristall-Aluminiumoxid (Al2O3) Wafer mit einer (0001) Kristallorientierung, die hauptsächlich mit Hilfe der Kyropoulos (KY), HEM oder EFG Kristallwachstumsmethoden hergestellt werden.SSP steht für Single Side Polished: die vordere epi-fähige Oberfläche wird hochpräzisen Polieren unterzogen, um eine sehr geringe Oberflächenrauheit zu erreichen, während die Rückseite weiterhin feinen Boden besitzt.

Wesentliche Merkmale

Hochreines monokristallines Saphirmaterial

Unsere Saphir-Substrate sind aus hochreinem synthetischem Einkristall-Aluminium (Al2O3) hergestellt.h 4N5/5N ultra-hohe Reinheit, speziell für die Herstellung von optoelektronischen Geräten und Halbleitern entwickelt.Plasmakorrosionsbeständigkeit, und eine hervorragende mechanische Steifigkeit, die eine stabile physikalische und optische Leistung bei hoher Temperatur, Vakuumverarbeitung und harten chemischen Prozessbedingungen gewährleistet.

Mehrere Kristallorientierungsoptionen für verschiedene Geräte

Saphirsubstrate sind mit üblichen Kristallorientierungen erhältlich, um unterschiedlichen Anforderungen an Halbleiter und optoelektronische Geräte gerecht zu werden.C-Ebene Substrate sind für GaN-Epitaxie und LED-Massenproduktion optimiert; R-Ebene Substrate unterstützen SOS (Silicon-on-Sapphire) RF und Hochgeschwindigkeits-mikroelektronische Geräte; A-Ebene und M-Ebene Optionen für nicht-polare/halbpolare GaN-Geräte und spezielle Laser-Komponenten.Spezifikationen für den abgelegenen Winkel sind verfügbar, um die Qualität des epitaxialen Wachstums und die Leistung des Geräts zu verbessern.

Ultrapräzise Polierung und Flachheit

Erhältlichin SSP- (Single Side Polished) und DSP- (Double Side Polished) Qualitäten für verschiedene Prozessszenarien. Epi-ready polierte Oberflächen erzielen eine extrem geringe Oberflächenrauheit Ra < 0,3 nm,mit streng kontrollierter TTVDie ultra-glatte, defektfreie Oberfläche entspricht perfekt den MOCVD-Epitaxy-Wachstumsstandards und gewährleistet eine einheitliche GaN-Schichtdeposition und eine hohe Konsistenz der Chipleistung.

Ausgezeichnete elektrische und optische Eigenschaften

Saphirsubstrate bieten eine überlegene elektrische Isolierung und einen niedrigen DielEcktRic-Verlust, der Wirkungsstörungen für Hochfrequenz- und Leistungshalbleiter effektiv isoliertSie verfügen über eine ultrabreite UV-Vis-IR-Spektraldurchlässigkeit, eine geringe Abgasrate und eine stabile

EOptische Leistung, die sie ideal für optische Fensterkomponenten, präzise optoelektronische Verpackungen undVakuumhalbleiterprozessumgebungen.

Spezielle Präzisionssubstratherstellung

Die Spezifikationen des Substrats können vollständig an die technischen Anforderungen des Kunden angepasst werden, einschließlich:

Durchmesser der Wafer: 2/3/4/6/8/12 Zoll
Standard- und individuell angepasste Dicke
Kristallorientierung und präzise Abwinkelung
SSP- und DSP-Poliermodi
Oberflächenrauheit und Toleranz gegenüber Flachheit
Kanten- und Kantenveredelung
Funktionale Oberflächenmusterung (PSS/NPSS)
Reinheitsgrad und Präzisionsreinigungsprozess

Funktionale Verarbeitung und kundenspezifische Mehrwertdienste

Zusätzlich zu den standardmäßigen, nackten Saphir-Substraten bieten wir eine vollständige, maßgeschneiderte funktionelle Verarbeitung, um die unterschiedlichsten Anwendungen der Kunden zu unterstützen.

Herstellung von Substraten mit PSS/NPSS-Muster
Voll/Kante/Ring/Rahmen/lokalisierte Metallisierung (Au/Ti/Cr/Ni-Beschichtung)
Ultradünne Waferschneidung und Spannungsentlastung
Schneiden, Bohren und Formen von hoher Präzision
Spezielle Oberflächenbearbeitung (Pochen/Schleifen/Sandstrahlen)
Strenge Qualitätskontrolle und vollständige COA-Zertifizierung

Zusammensetzung und Ausstattung

Wir unterstützen die individuelle Entwicklung und Produktion von Saphir-Substraten basierend auf Kundenzeichnungen, Proben-Benchmarks, Prozessparametern von Geräten,bestehende Komponentenspezifikationen und Anforderungen an das Reverse EngineeringAlle Produkte entsprechen den RoHS- und REACH-Normen und bieten stabile, leistungsstarke Substratlösungen für Halbleiterprozess-Upgrades, Ausrüstungsabgleich und lokalisierte Ersatzprojekte.

Typische Anwendungen

Saphirsubstrate sind in der optoelektronischen und Halbleiterindustrie weit verbreitete Grundmaterialien, die für folgende Geräte und Herstellungsprozesse geeignet sind:

Blau/Grün/Ultraviolett-LED-Epitaxie und Chipherstellung
Produktion von High-End-Anzeigegeräten mit Mini-LED/Micro-LED
Geräte für Leistungshalbleiter und HF-Kommunikation auf Basis von GaN
Hochfrequente integrierte Schaltkreise mit SOS (Silicon-on-Sapphire)
Fahrzeugbeleuchtung, optoelektronische Fahrzeugkomponenten
AR/VR-Optikfenster und optische Präzisionskomponenten
MEMS-Sensoren und Mikrofluidische Chipträger
Hochpräzise optische Fenster und Infrarotübertragungskomponenten
Halbleitervakuumausrüstung und Isolationsteile mit geringer Abgasemission
Verpackungen und Substrate für die thermische Verwaltung von optoelektronischen Geräten mit hoher Leistung

Saphirsubstrate wurden in kommerziellen Serienproduktionen für gängige optoelektronische und Halbleiter-Szenarien hergestellt, die eine stabile Chargenkonsistenz aufweisen.geringe Fehlerquote und ausgezeichnete Prozesskompatibilität.

Produktspezifikationen

Artikel	Spezifikation
Erzeugnis	Saphir-Substrat / Wafer
Material	Synthetischer Saphir / Al2O3 Einzelkristall
Wachstumsmethode	Kyropoulos / Randdefiniertes Wachstum durch Filme (EFG)
Kristallstruktur	Hexagonal (α-Al2O3)
Durchmesser	2 " / 3 " / 4 " / 6 " / 8 " oder angepasst
Stärke	Zusammengestellte (z. B. 430 μm ¥ 1000 μm)
Orientierung	c-Ebene (0001) / a-Ebene (11-20) / r-Ebene (1-102) / m-Ebene (10-10)
Oberflächenbearbeitung	SSP (einseitig poliert) / DSP (zweiseitig poliert) / Lapped / Ground
Oberflächenqualität	Schablonschrauben nach MIL-PRF-13830B (z. B. 40/20, 20/10)
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 5 μm (oder je Kundenanforderung)
Bogen / Warp	≤ 10 μm (oder je Kundenanforderung)
Rauheit (Ra)	Poliert: ≤ 0,2 nm / Lapped: ≤ 0,5 μm
Typ der Kante	Mit Primärfläche / ohne Fläche (vollrund)
Flachlänge	Individuell (nach SEMI-Standard oder Zeichnung des Kunden)
Randprofil	Nach Bedarf abgerundet
Dopant / Reinheit	Hohe Reinheit (≥ 99,99% Al2O3)
Beschichtung	Nicht beschichtet / AR-Beschichtung / ITO-Beschichtung / Metallbeschichtung verfügbar
Anwendung	LED / Halbleiter / Optik / HF und Mikrowelle / Uhr / Unterhaltungselektronik

Warum Saphirsubstrate für Halbleiter- und Optoelektronik-Anwendungen wählen?

Saphirsubstrate sind Kerngrundstoffe, die in der Halbleiter-Epitaxie, der Herstellung optoelektronischer Geräte und in mikroelektronischen Verarbeitungssystemen weit verbreitet sind.Als Träger für GaN dient, ZnO und andere epitaxiale Schichtwachstum, sie arbeiten in extremen Produktionsumgebungen mit hoher Temperatur, starker Plasmaerosion, chemischer Korrosion,und hochfrequente elektromagnetische Felder.

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-, Quarz- und gewöhnlichen keramischen Substratmaterialien weisen hochreine Einkristallsafirsubstrate überlegene physikalische und chemische Eigenschaften auf.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Zu den wichtigsten Vorteilen gehören:

Extreme Hochtemperaturstabilität: Mit einem Schmelzpunkt von bis zu 2050°C beibehält es eine stabile Kristallstruktur und eine dimensionale Genauigkeit bei langfristigen Hochtemperatur-Epitaxie- und Glühenverfahren,Wirksam verhindert Substratdeformation und Geräteversagen.
Überhöhte mechanische Steifigkeit und Härte: Mit einer Mohs-Härte von 9, nur hinter dem Diamanten, bietet es eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit und strukturelle Stabilität und widersteht mechanischen Beschädigungen und Krümmungen beim Präzisionsschneiden.Ätzung und Dünnschichtwachstum.
Überlegene chemische Trägheit: Es ist gegen Korrosion durch verschiedene saure, alkalische und reaktive Prozessgase bei der Herstellung von Halbleitern beständig, ohne chemische Reaktionen oder Oberflächenverschlechterung,Gewährleistung ultra-sauberer Prozessbedingungen.
Ausgezeichnete Plasma- und Strahlungsbeständigkeit: Es widersteht langfristigem Plasmabombardement und ultravioletter Strahlung bei Dünnschicht-Ablagerungs- und Ätzverfahren, mit geringer Oberflächenschädenrate und stabiler Leistung.
Isolier- und dielektrische Eigenschaften: Mit hohem Widerstand und geringem dielektrischen Verlust bietet es eine zuverlässige elektrische Isolierung für optoelektronische Geräte mit hoher Frequenz und hoher Leistung und reduziert so die Signalstörungen.
Hohe optische Übertragbarkeit: Erreicht eine hervorragende Lichtübertragung im ultravioletten, sichtbaren und Infrarotband und eignet sich hervorragend für die Herstellung von Licht- und Lichtdetektorgeräten.
Langfristige Prozessbeständigkeit: Bei sich wiederholenden und strengen Halbleiterproduktionsprozessen erhalten sie eine gleichbleibende Oberflächenfläche und Kristallqualität, wodurch die Substratwechselfrequenz und die Produktionskosten erheblich reduziert werden.

Aus den oben genannten Gründen sind Saphirsubstrate zum bevorzugten Hauptmaterial für LED-Epitaxialwafer, Leistungshalbleiter,Mikrowellenfunkfrequenzgeräte und andere Kern-Halbleiterkomponenten.

Herstellung von Saphir-Substraten nach Maßgabe

Wir sind spezialisiert auf die Herstellung von Saphir-Substraten für Halbleiter und optoelektronische Geräte.mit Schwerpunkt auf hochpräzisen, maßgeschneiderten Lösungen für die industrielle Produktion und Laborforschung und -entwicklungWir überwinden die Grenzen festgelegter Standardspezifikationen und passen Substrate vollständig an die tatsächlichen Prozessparameter der Kunden an.Anforderungen an die Übereinstimmung von Geräten und Konstruktionsnormen für Geräte.

Die umfassenden Anpassungsmöglichkeiten umfassen die Parameter des gesamten Prozesssubstrats und die Stützstrukturen:

Parameter des Saphir-Substratkerns

Waferdurchmesser (2/4/6/8 Zoll und spezielle Maßgrößen)
Substratdicke
Kristallorientierung (C-Fläche, A-Fläche, R-Fläche, M-Fläche und maßgeschneiderte spezielle Kristallflächen)
Grenzform und Gelenkspezifikation
Flat/Notch-Positionierung
Oberflächenrauheit und Flachheit
Doppelseitige/polierte einseitige Anforderungen
Ultra-reine Oberflächenbehandlung und Bearbeitung zur Belastungsentlastung

Entsprechende Strukturkomponenten

Anpassung der Größe der Substratträgeranlage
Verarbeitung von Positionslöchern und Rillen
Metallvergleichsbasis und -hülle
Spezifikationen für die Montage und Befestigung von Schnittstellen
integrierte Montage von Substraten und Hilfsteilen

Wir können fertige integrierte Komponenten liefern, die mit Saphir-Substraten und passenden Metall-/Keramikteilen zusammengebaut sind, um den Bedürfnissen der Kunden für die direkte Installation und Verwendung gerecht zu werden.

Ersatz- und Umkehrtechnikdienst

Für nicht mehr hergestellte Saphirsubstrate, schwer zu beschaffende Originalteile und nicht standardmäßige kundenspezifische Substrate für spezielle HalbleitergeräteWir bieten professionelle Reverse Engineering und Ersatzteilherstellung DienstleistungenDie Kunden können folgende Informationen zur Bewertung und Angebotserstellung bereitstellen:

Nummer des Originalgeräteteils
Ausführliche technische Zeichnungen und Parameterbeschreibungen
Übersichtliche Produktfotos und physikalische Proben (neu/verwendet)
Kennmaß- und Kristallparameterdaten
Unterstützungsausrüstungsmodell und Chargeninformationen
Spezifische Anwendungsszenarien und Prozessumgebungsparameter

Unser professionelles Ingenieurteam wird vor dem offiziellen Angebot eine umfassende Bewertung der Substratstruktur, der Kristallleistung, der Verarbeitungsschwierigkeit und der Fertigungsmöglichkeit durchführen.Alle maßgeschneiderten Ersatzsubstrate werden für die Prozesskompatibilität optimiertDie endgültige Übereinstimmungsleistung wird nach den tatsächlichen Ausrüstungskonfigurations- und Produktionsprozessstandards der Kunden bestätigt, um einen Nullunterschied im Gebrauchseffekt zu gewährleisten.

Qualitätskontrolle

Wir führen die Qualitätsprüfung für alle Saphirsubstrate durch.und kann zielgerichtete Inspektionspunkte und vollständige Prüfberichte gemäß den Anforderungen des Kundenprojekts und den Industriestandards bereitstellenZu den wichtigsten Kontrollinhalten gehören:

Volldimensionale Präzisionskontrolle (Durchmesser, Dicke, Toleranzkalibrierung)
Messung der Kristallorientierungsgenauigkeit
Prüfung der Oberflächenflächigkeit, Verformung und Raue
Sichtfehlerprüfung (Kratzer, Gruben, Risse, Einschlüsse)
Reinheit und Oberflächenbelastungserkennung
Prüfung der Montagepräzision und der Abgleichstoleranzen
Professionelle Kontrollen von kollisions- und staubdichten Verpackungen

Es können formale Inspektionsberichte mit vollständigen Prüfdaten zur Unterstützung der Überprüfung des vom Kunden eingehenden Materials und der Rückverfolgbarkeit der Produktionsqualität bereitgestellt werden.

Welche Informationen sollten Sie für ein Angebot senden?

Zur Gewährleistung eines genauen Angebots und zur Verkürzung des Lieferzyklus geben Sie bei der Abfrage bitte folgende detaillierte Informationen an:

Vollständige technische Zeichnungen und Parameterblätter
Anforderungen an Durchmesser, Dicke und Toleranz des Substrats
Normen für Kristallorientierung und Oberflächenbearbeitung
Oberflächenveredelung, Polierklasse und Reinheitsanforderungen
Parameter der passenden Hilfsbauteile (falls vorhanden)
Marke und Modell der Ausrüstung und Bedingungen für die unterstützenden Verfahren
Originalnummer des OEM-Teils (falls vorhanden)
Notwendige Menge und Nachfrage nach Chargen
Spezifisches Antragsverfahren und extreme Umweltanforderungen
Falls keine vollständigen technischen Zeichnungen vorliegen, bitte klare hochauflösende Fotos und physikalische Proben des Substrats für unser Team zur Durchführung von Parameterprüfungen und Schema-Evaluierung.

Häufig gestellte Fragen

Zu welchen Zwecken werden Saphirsubstrate hauptsächlich verwendet?

Saphirsubstrate sind Kernträgermaterialien für die Herstellung von Halbleitern und optoelektronischen Geräten, hauptsächlich in GaN-basierten LED-Epitaxialwafern, Leistungselektronikgeräten, Mikrowellen-HF-Chips,ultraviolette Fotoelektrische Geräte, Halbleiter-Plasma-Verarbeitungsanlagen und andere Bereiche, geeignet für Hochtemperatur-Epitaxie, Dünnschicht-Ablagerung und Präzisions-Etzverfahren.

Können Sie maßgeschneiderte integrierte Bauteile für Substrate liefern?

Zusätzlich zu einzelnen Saphir-Substrat-Wafern, können wir verschiedene passende Armaturen, Metallbasen,Positionierungskomponenten und fertige integrierte Baugruppen gemäß Zeichnungen und Musteranforderungen, um eine einheitliche Versorgung zu realisieren.

Können Sie Ersatzsubstrate für alte und spezielle Geräte herstellen?

Ja, wir unterstützen eine vollständige kundenspezifische Fertigung, einschließlich Zeichnungs- und Probe-Reverse Engineering.physische Proben und Ausrüstungsinformationen, und unser Team wird die Leistungsabgleichung und die alternative Fertigung abschließen.

Können alle Kernparameter von Saphir-Substraten angepasst werden?

Alle wichtigen Parameter, einschließlich Substratgröße, Dicke, Kristallorientierung, Randverarbeitung, Oberflächenrauheit,Flachheit und Polierklasse können vollständig an Kundenprozessanforderungen angepasst werden, um personalisierte F&E- und Produktionsanforderungen zu erfüllen.

Unterstützen Sie die Bestellung von Prototypen und Kleinserien?

Ja, wir unterstützen die Entwicklung von Prototypen, Labortests, den Ersatz von Geräten und die Massenproduktion.Wir bewerten das Produktionsschema und das Angebot nach den maßgeschneiderten Parametern und der Verarbeitungsschwierigkeit.

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

GaAs-Oblate