Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

Hohe Härte und Verschleißfestigkeit Ausgezeichnete elektrische Isolierung Gute Wärmeleitung

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	4-Zoll-C-Plan-SSP-Saphirsubstrate
MOQ:	25
Preis:	Fluctuates with market
Lieferzeit:	4-9 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Kristallorientierung:

C-Ebene / A / R / M

Durchmesser:

2/4/6 Zoll

Dicke:

650 ± 15 um

Kristallwachstumsmethode:

KY / EFG / CZ

Oberfläche:

Poliert oder je nach Anwendung

Poliertyp:

SSP / DSP

Produkt-Beschreibung

Informationen zu Saphirsubstraten

Saphirsubstrate sind kritische Basismaterialien für LEDs und GaN-Bauteile. Obwohl ihre eigene Marktgröße (weltweit bis 2031 voraussichtlich rund 833 Millionen US-Dollar) relativ begrenzt ist, bilden sie die Grundlage für nachgelagerte Anwendungen im Wert von Billionen von Dollar und haben strategische und wegweisende Bedeutung.

Upstream: Hochreines Aluminiumoxid (hauptsächlich 4N5 und höher), Kristallwachstumsausrüstung (wie Kyropoulos-Öfen) und Wolfram-Molybdän-Wärmefelder. Einige hochwertige Rohstoffe und Kernausrüstungen sind noch teilweise importabhängig.

Midstream: Saphirkristallwachstum → Kernentnahme → Schneiden → Läppen → Polieren → gemustertes Saphirsubstrat (PSS). Dieses Segment weist die höchsten technischen Barrieren und die höchste Wertschöpfung auf.

Downstream: LED-Chips (machen über 80 % des Verbrauchs aus), Unterhaltungselektronik (Abdeckplatten, Kamakomponenten), Halbleiter der dritten Generation (GaN-Leistungs-/HF-Geräte), optische Fenster usw. Nachgelagerte Anwendungen erweitern sich von traditionellen LEDs hin zu diversifizierten Bereichen.

4-Zoll-C-Ebene-SSP-Saphirsubstrate sind Einkristall-Aluminiumoxid- (Al₂O₃) Wafer mit einer (0001) Kristallorientierung, die hauptsächlich über die Kyropoulos- (KY), HEM- oder EFG-Kristallwachstumsmethoden hergestellt werden. SSP steht für Single Side Polished: Die vordere, epitaxietaugliche Oberfläche wird ultrapräzise poliert, um eine extrem geringe Oberflächenrauheit zu erzielen, während die Rückseite fein geschliffen bleibt.

Hohe Härte und Verschleißfestigkeit Ausgezeichnete elektrische Isolierung Gute Wärmeleitung

Hauptmerkmale

Hochreines monokristallines Saphirmaterial

Unsere Saphirsubstrate werden aus hochreinem synthetischem Einkristall-Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einer Ultra-Hochreinheit von 4N5/5N hergestellt, das speziell für optoelektronische und Halbleiterfertigungsumgebungen mit hohen Standards entwickelt wurde. Das Material zeichnet sich durch hervorragende thermische Stabilität, chemische Inertheit, Beständigkeit gegen Plasmaerosion und herausragende mechanische Steifigkeit aus und behält stabile physikalische und optische Eigenschaften unter Hochtemperatur-Epitaxie, Vakuumverarbeitung und rauen chemischen Prozessbedingungen bei.

Mehrere Kristallorientierungsoptionen für diverse Geräte

Saphirsubstrate sind mit gängigen Kristallorientierungen erhältlich, um unterschiedlichen Anforderungen an Halbleiter- und optoelektronische Geräte gerecht zu werden. C-Ebenen-Substrate sind für die GaN-Epitaxie und die Massenproduktion von LEDs optimiert; R-Ebenen-Substrate unterstützen SOS- (Silicon-on-Sapphire) HF- und Hochgeschwindigkeits-Mikroelektronikgeräte; A-Ebenen- und M-Ebenen-Optionen bedienen nicht-polare/semi-polare GaN-Geräte und spezielle Laserkomponenten. Kundenspezifische Off-Angle-Spezifikationen sind erhältlich, um die Epitaxiewachstumsqualität und die Ausbeute der Geräte zu verbessern.

Ultrapräzise Polier- und Ebenheitsleistung

Erhältlich in SSP- (Single Side Polished) und DSP- (Double Side Polished) Qualitäten für verschiedene Prozessszenarien. Epitaxietaugliche polierte Oberflächen erzielen eine extrem geringe Oberflächenrauheit Ra < 0,3 nm, mit streng kontrollierten TTV-, BOW- und WARP-Werten. Die ultra-glatte, defektfreie Oberfläche erfüllt perfekt die MOCVD-Epitaxiewachstumsstandards und gewährleistet eine gleichmäßige GaN-Schichtabscheidung und eine hohe Konsistenz der Chip-Leistung.

Hervorragende elektrische und optische Eigenschaften

Saphirsubstrate bieten eine überlegene elektrische Isolierung und geringe dielektrische Verluste, wodurch Schaltungsstörungen für Hochfrequenz- und Leistungs-Halbleitergeräte effektiv isoliert werden. Sie weisen eine extrem breite UV-Vis-IR-Spektraldurchlässigkeit, eine geringe Ausgasungsrate und stabile optische Leistung auf, was sie ideal für optische Fensterkomponenten, präzise optoelektronische Verpackungen und Vakuum-Halbleiterprozessumgebungen macht.

Kundenspezifische Präzisionssubstratherstellung

Substratspezifikationen können vollständig nach den technischen Anforderungen des Kunden angepasst werden, einschließlich:

Waferdurchmesser: 2/3/4/6/8/12 Zoll
Standard- und kundenspezifische Dicke
Kristallorientierung und präziser Off-Angle
SSP / DSP Polierverfahren
Oberflächenrauheit und Ebenheitstoleranz
Kantenfasen und Kantenbearbeitung
Oberflächenfunktionsmusterung (PSS/NPSS)
Reinheitsgrad und Präzisionsreinigungsprozess

Funktionelle Verarbeitung und kundenspezifische Mehrwertdienste

Zusätzlich zu Standard-Saphirsubstraten bieten wir eine kundenspezifische funktionelle Verarbeitung über den gesamten Prozess an, um diversifizierte Kundenanwendungen zu unterstützen. Verfügbare Dienstleistungen umfassen:

Herstellung von PSS / NPSS gemusterten Substraten
Voll-/Kanten-/Ring-/Rahmen-/lokalisierte Metallisierung (Au/Ti/Cr/Ni-Beschichtung)
Ultra-dünne Wafer-Schneid- und Spannungsentlastungsverarbeitung
Hochpräzises Schneiden, Bohren und Formen
Kundenspezifische Oberflächenbearbeitung (Polieren/Schleifen/Sandstrahlen)
Strenge Qualitätskontrolle und vollständige COA-Zertifizierung

Kundenspezifische Ersatz- und OEM-Qualitäts-Substratlösungen

Wir unterstützen die kundenspezifische Entwicklung und Produktion von Saphirsubstraten basierend auf Kundenzeichnungen, Musterbenchmarks, Ausrüstungsprozessparametern, bestehenden Komponenten-Spezifikationen und Reverse-Engineering-Anforderungen. Alle Produkte entsprechen den RoHS- und REACH-Standards und bieten stabile, hochertragreiche Substratlösungen für die Aufwertung von Halbleiterprozessen, die Ausrüstungspaarung und lokale Ersatzprojekte.

Typische Anwendungen

Saphirsubstrate sind grundlegende Basismaterialien, die in der optoelektronischen und Halbleiterindustrie weit verbreitet sind und für die folgenden Geräte und Herstellungsprozesse eingesetzt werden:

Epitaxie und Chip-Herstellung von blauen/grünen/ultravioletten LEDs
Herstellung von Mini-LED / Micro-LED High-End-Display-Geräten
GaN-basierte Leistungs-Halbleiter und HF-Kommunikationsgeräte
SOS- (Silicon-on-Sapphire) Hochfrequenz-Integrierte Schaltkreise
Automobilbeleuchtung, fahrzeugmontierte optoelektronische Komponenten
AR/VR optische Fenster und präzise optische Komponenten
MEMS-Sensoren und Mikrofluidik-Chip-Träger
Hochpräzise optische Fenster und Infrarot-Übertragungskomponenten
Vakuum-Halbleitergeräte und Ausgasungsarme Isolierteile
Hochleistungs-Optoelektronik-Verpackung und Substrate für das Wärmemanagement

Saphirsubstrate werden für gängige optoelektronische und Halbleiterszenarien kommerziell in Massenproduktion hergestellt und zeichnen sich durch stabile Chargenkonsistenz, niedrige Fehlerraten und hervorragende Prozesskompatibilität aus.

Produktspezifikationen

Artikel	Spezifikation
Produkt	Saphirsubstrat / Wafer
Material	Synthetischer Saphir / Al₂O₃ Einkristall
Wachstumsmethode	Kyropoulos / Edge-Defined Film-Fed Growth (EFG)
Kristallstruktur	Hexagonal (α-Al₂O₃)
Durchmesser	2" / 3" / 4" / 6" / 8" oder kundenspezifisch
Dicke	Kundenspezifisch (z. B. 430 µm – 1000 µm)
Orientierung	c-Ebene (0001) / a-Ebene (11-20) / r-Ebene (1-102) / m-Ebene (10-10)
Oberflächenfinish	SSP (Single Side Polished) / DSP (Double Side Polished) / Geläppt / Geschliffen
Oberflächenqualität	Kratzer-Grube nach MIL-PRF-13830B (z. B. 40/20, 20/10)
TTV (Total Thickness Variation)	≤ 5 µm (oder nach Kundenwunsch)
Bow / Warp	≤ 10 µm (oder nach Kundenwunsch)
Rauheit (Ra)	Poliert: ≤ 0,2 nm / Geläppt: ≤ 0,5 µm
Kantentyp	Mit Primärflach / Ohne Flach (Vollrund)
Flachlänge	Kundenspezifisch (nach SEMI-Standard oder Kundenzeichnung)
Kantenprofil	Fasig / Abgerundet nach Bedarf
Dotierung / Reinheit	Hohe Reinheit (≥ 99,99 % Al₂O₃)
Beschichtung	Unbeschichtet / AR-Beschichtung / ITO-Beschichtung / Metallbeschichtung verfügbar
Anwendung	LED / Halbleiter / Optik / HF & Mikrowelle / Uhr / Unterhaltungselektronik

Warum Saphirsubstrate für Halbleiter- und Opto-Anwendungen wählen?

Saphirsubstrate sind grundlegende Basismaterialien, die in der Halbleiter-Epitaxie, der Herstellung von optoelektronischen Geräten und in Mikroelektronik-Verarbeitungssystemen weit verbreitet sind. Sie dienen als Träger für das Wachstum von GaN-, ZnO- und anderen Epitaxieschichten und arbeiten in extremen Fertigungsumgebungen mit hohen Temperaturen, starker Plasmaerosion, chemischer Korrosion und Hochfrequenz-Elektromagnetfeldern.

Im Vergleich zu traditionellen Silizium-, Quarz- und gängigen Keramiksubstratmaterialien integrieren hochreine Einkristall-Saphirsubstrate überlegene umfassende physikalische und chemische Eigenschaften, was sie für High-End-Halbleiter- und optoelektronische Prozesse unersetzlich macht. Zu den Hauptvorteilen gehören:

Extreme Hochtemperaturstabilität: Mit einem Schmelzpunkt von bis zu 2050°C behält es eine stabile Kristallstruktur und Dimensionsgenauigkeit bei langfristigen Hochtemperatur-Epitaxie- und Glühprozessen bei und vermeidet effektiv Substratverformungen und Geräteausfälle.
Ultrahohe mechanische Steifigkeit und Härte: Mit einer Mohs-Härte von 9, nur von Diamant übertroffen, bietet es eine hervorragende Verschleißfestigkeit und strukturelle Stabilität und widersteht mechanischen Beschädigungen und Verzug während des Präzisionsschneidens, Ätzens und Dünnschichtwachstums.
Überlegene chemische Inertheit: Es ist beständig gegen Korrosion durch verschiedene saure, alkalische und reaktive Prozessgase, die in der Halbleiterfertigung verwendet werden, ohne chemische Reaktionen oder Oberflächenverschlechterungen, was extrem saubere Prozessbedingungen gewährleistet.
Hervorragende Plasma- und Strahlungsbeständigkeit: Es widersteht langfristiger Plasmaeinwirkung und ultravioletter Strahlung bei Dünnschichtabscheidungs- und Ätzprozessen mit geringer Oberflächenschädigungsrate und stabiler Leistung.
Isolierende und dielektrische Eigenschaften: Mit hohem spezifischem Widerstand und geringen dielektrischen Verlusten bietet es eine zuverlässige elektrische Isolierung für Hochfrequenz- und Hochleistungs-Optoelektronikgeräte und reduziert effektiv Signalstörungen.
Hohe optische Durchlässigkeit: Erreicht eine hervorragende Lichtdurchlässigkeit in ultravioletten, sichtbaren und infraroten Bändern und passt sich perfekt an die Herstellung von lichtemittierenden und Fotodetektorgeräten an.
Langfristige Prozesshaltbarkeit: Es behält eine konsistente Oberflächenebene und Kristallqualität bei wiederholten und strengen Halbleiterproduktionsprozessen bei, reduziert die Häufigkeit des Substratwechsels und die Produktionskosten erheblich.

Aus diesen Gründen sind Saphirsubstrate zum bevorzugten Mainstream-Material für LED-Epitaxiewafer, Leistungs-Halbleitergeräte, Mikrowellen-Radiofrequenzgeräte und andere Kern-Halbleiterkomponenten geworden.

Kundenspezifische Saphirsubstratherstellung

Wir sind spezialisiert auf kundenspezifische und standardisierte Saphirsubstratherstellung für Halbleiter- und Optoelektronikgeräte und konzentrieren uns auf hochpräzise, maßgeschneiderte Lösungen für die industrielle Produktion und die Forschung und Entwicklung im Labor. Wir durchbrechen die Grenzen fester Standard-Spezifikationen und passen Substrate vollständig an die tatsächlichen Prozessparameter, Ausrüstungspaarungsanforderungen und Gerätedesignstandards der Kunden an.

Umfassende Anpassungsoptionen decken Substratparameter und unterstützende Strukturen über den gesamten Prozess ab:

Kernparameter von Saphirsubstraten

Waferdurchmesser (2/4/6/8 Zoll und spezielle kundenspezifische Größen)
Substratdicke
Kristallorientierung (C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene, M-Ebene und kundenspezifische spezielle Kristall-Ebenen)
Kantenform und Fasenspezifikationen
Design der Flach-/Kerbpositionierung
Oberflächenrauheit und Ebenheit
Anforderungen an doppelseitige/einseitig polierte Oberflächen
Ultra-saubere Oberflächenbehandlung und Spannungsentlastungsverarbeitung

Passende Strukturkomponenten

Kundenspezifische Anpassung der Substratträger-Vorrichtung
Bearbeitung von Positionierlöchern und -nuten
Metall-Passbasis und Hülsenstruktur
Spezifikationen der Montage- und Befestigungsschnittstelle
Integrierte Montage von Substrat und Hilfsteilen

Wir können fertige integrierte Komponenten liefern, die mit Saphirsubstraten und passenden Metall-/Keramikteilen montiert sind, um die direkten Installations- und Nutzungbedürfnisse der Kunden zu erfüllen.

Ersatz- und Reverse-Engineering-Service

Für eingestellte Saphirsubstrate, schwer zu beschaffende Originalteile und nicht standardmäßige kundenspezifische Substrate für spezielle Halbleitergeräte bieten wir professionelle Reverse-Engineering- und Ersatzfertigungsdienste an. Kunden können die folgenden Informationen zur Bewertung und Angebotserstellung bereitstellen:

Original-Teilenummer der Ausrüstung
Detaillierte technische Zeichnungen und Parameterspezifikationen
Klare Produktfotos und physische Muster (neu/gebraucht)
Wichtige Dimensions- und Kristallparameterdaten
Informationen zu unterstützender Ausrüstung und Chargennummer
Spezifische Anwendungsszenarien und Prozessumgebungsparameter

Unser professionelles Ingenieurteam wird eine umfassende Bewertung der Substratstruktur, der Kristallleistung, der Verarbeitungsschwierigkeit und der Fertigungsfähigkeit durchführen, bevor ein formelles Angebot erstellt wird. Alle kundenspezifischen Ersatzsubstrate werden auf Prozesskompatibilität optimiert. Die endgültige passende Leistung wird gemäß der tatsächlichen Ausrüstungskonfiguration und den Produktionsstandardprozessen des Kunden bestätigt, um eine Null-Differenz im Nutzungseffekt zu gewährleisten.

Qualitätskontrolle

Wir führen eine präzise Qualitätsprüfung über den gesamten Prozess für alle Saphirsubstrate durch und können gezielte Prüfposten und vollständige Testberichte gemäß den Projektanforderungen des Kunden und den Industriestandards bereitstellen. Kernprüfinhalte umfassen:

Vollständige Dimensionsprüfung (Durchmesser, Dicke, Toleranzkalibrierung)
Erkennung der Kristallorientierungsgenauigkeit
Prüfung der Oberflächenebene, des Verzugs und der Rauheit
Visuelle Fehlerprüfung (Kratzer, Gruben, Risse, Einschlüsse)
Erkennung von Sauberkeit und Oberflächenspannung
Prüfung der Montagegenauigkeit und der Passungstoleranz
Prüfung der professionellen Anti-Kollisions- und staubdichten Verpackung

Formelle Inspektionsberichte mit vollständigen Testdaten können zur Unterstützung der Wareneingangsprüfung des Kunden und der Rückverfolgbarkeit der Produktionsqualität bereitgestellt werden.

Welche Informationen sollten Sie für ein Angebot senden?

Um eine genaue Angebotserstellung zu gewährleisten und den Lieferzyklus zu verkürzen, stellen Sie bitte die folgenden detaillierten Informationen bei der Beratung zur Verfügung:

Vollständige technische Zeichnungen und Parameterblätter des Produkts
Anforderungen an Durchmesser, Dicke und Toleranz des Substrats
Standards für Kristallorientierung und Oberflächenbearbeitung
Anforderungen an Oberflächenfinish, Poliergrad und Sauberkeit
Parameter der passenden Hilfskomponenten (falls vorhanden)
Gerätemarke, Modell und unterstützende Prozessbedingungen
Original-OEM-Teilenummer (falls verfügbar)
Erforderliche Menge und Chargenbedarf
Spezifischer Anwendungsprozess und extreme Umgebungsanforderungen

Wenn keine vollständigen technischen Zeichnungen verfügbar sind, stellen Sie bitte klare hochauflösende Fotos und physische Muster des Substrats zur Verfügung, damit unser Team Parameterprüfungen und Schemevaluierungen durchführen kann.

FAQ

Wofür werden Saphirsubstrate hauptsächlich verwendet?

Saphirsubstrate sind Kern-Trägermaterialien für die Herstellung von Halbleiter- und optoelektronischen Geräten, die hauptsächlich in GaN-basierten LED-Epitaxiewafern, Leistungselektronikgeräten, Mikrowellen-HF-Chips, ultravioletten photoelektrischen Geräten, Halbleiter-Plasma-Verarbeitungsgeräten und anderen Bereichen eingesetzt werden und für Hochtemperatur-Epitaxie, Dünnschichtabscheidung und Präzisionsätzprozesse geeignet sind.

Können Sie kundenspezifische integrierte Substratmontageteile liefern?

Ja. Neben einzelnen Saphirsubstrat-Wafern können wir verschiedene passende Vorrichtungen, Metallbasen, Positionierkomponenten und fertige integrierte Montagen nach Zeichnungen und Musteranforderungen kundenspezifisch anfertigen und eine One-Stop-Unterstützungsversorgung realisieren.

Können Sie Ersatzsubstrate für alte und spezielle Geräte herstellen?

Ja. Wir unterstützen die kundenspezifische Fertigung mit vollem Service, einschließlich zeichnungsbasierter Produktion und Muster-Reverse-Engineering. Kunden können Original-Teilenummern, technische Parameter, physische Muster und Ausrüstungsinformationen bereitstellen, und unser Team wird die Leistungsanpassung und alternative Fertigung abschließen.

Können alle Kernparameter von Saphirsubstraten angepasst werden?

Ja. Alle Schlüsselparameter, einschließlich Substratgröße, Dicke, Kristallorientierung, Kantenbearbeitung, Oberflächenrauheit, Ebenheit und Poliergrad, können vollständig nach den Prozessanforderungen des Kunden angepasst werden, um personalisierte F&E- und Produktionsanforderungen zu erfüllen.

Unterstützen Sie Kleinserien- und Prototypenbestellungen?

Ja. Wir unterstützen vollumfänglich die Prototypenentwicklung, Kleinserientests im Labor, Ersatzteile für die Wartung von Geräten und Massenproduktionschargen. Wir werden das Produktionsschema und die Angebotserstellung gemäß den kundenspezifischen Parametern und der Verarbeitungsschwierigkeit bewerten.

Umbauten:

TGV-Saphir-Substrat mit präzisen durchlaufenden Mikro-Löchern und individueller Anordnung für hohe mechanische Festigkeit

Erhalten Sie besten Preis

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

Gallium-Nitrid-Oblate

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Hauptmerkmale

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