Ultra-große Quadrat-Saphir-Substrat 310 × 310 × 1 mm für Halbleiter- und Luftfahrtanwendungen

Ultra-große quadratische Saphirsubstrate 310 × 310 × 1 mm für Halbleiter- und Luft- und Raumfahrtanwendungen

Produktübersicht

Das 310 × 310 × 1 mm Ultra-Large Square Saphirsubstrat stellt die Obergrenze des aktuellen synthetischen Saphirkristallwachstums und der großflächigen Präzisionsbearbeitungstechnologie dar. Hergestellt aus 99,99 % hochreinem einkristallinem Aluminiumoxid (Al₂O₃), bietet diese Saphirplatte außergewöhnliche Ebenheit, thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und mechanische Festigkeit über eine ausgedehnte Oberfläche.

Im Gegensatz zu Standard-Saphirwafern, die für die direkte Halbleiterproduktion entwickelt wurden, ist dieses Produkt in erster Linie als Trägersubstrat, Grundplatte oder großflächige Saphirplatte konzipiert. Es wird häufig in der GaN-Epitaxie, Hochtemperatur-Halbleiterumgebungen, fortschrittlichen optischen Systemen und Luft- und Raumfahrtanwendungen eingesetzt, bei denen Dimensionsstabilität und Haltbarkeit entscheidend sind.

Wichtige Anwendungen

• Halbleiter-Wafer-Trägerplatten

  • GaN-on-Sapphire-Epitaxie (MOCVD)

  • Hochtemperatur-Prozesshandhabung

• Großflächige optische Fenster und Sichtfenster

• Luft- und Raumfahrt- und Vakuumbeobachtungsfenster

• Laser-System-Grundplatten

• Präzisions-Bonding-Substrate

• Kundenspezifische industrielle und Forschungs-Saphirplattformen

Technische Daten

Wesentliche Vorteile

Ultra-Large-Format-Fähigkeit

Behält eine ausgezeichnete Ebenheit und Dickengleichmäßigkeit im 310-mm-Maßstab bei, was eine zuverlässige Leistung in großflächigen Anwendungen ermöglicht.

Außergewöhnliche mechanische Haltbarkeit

Mit einer Mohs-Härte von 9 widersteht die Saphir-Oberfläche Kratzern und Abnutzung während der Handhabung und Hochlastverarbeitung.

Überlegene thermische Stabilität

Konzipiert, um wiederholten Hochtemperaturzyklen standzuhalten, die üblicherweise in MOCVD und anderen Epitaxie-Wachstumsprozessen auftreten.

Oberflächenqualität in optischer Güte

Doppelseitiges Polieren erzielt eine Oberflächenrauheit im Sub-Nanometer-Bereich, wodurch die Platte ideal für optische Fenster und hochfeste Bonding-Anwendungen ist.

Hervorragende chemische Beständigkeit

Bietet eine deutlich höhere Haltbarkeit als Quarzglas oder Glas in korrosiven und rauen Prozessumgebungen.

Herstellung & Qualitätskontrolle

• Großskaliges Saphir-Boule-Wachstum

• Präzises Schneiden und Spannungsabbau

• Doppelseitiges Polieren (DSP)

• Vollflächige interferometrische Ebenheitsprüfung

• 100 % Sicht- und Dimensionsprüfung vor dem Versand

FAQ

Q1: Ist dieses Produkt ein Standard-Saphirwafer?
Nein. Dieses Produkt wird als Ultra-Large-Saphirsubstrat oder Trägerplatte klassifiziert, nicht als Standard-Halbleiterwafer. Es ist für Träger-, optische oder strukturelle Anwendungen konzipiert.

Q2: Können Sie Größen herstellen, die größer als 310 mm sind?
Unsere aktuelle Fähigkeit für quadratische Saphirsubstrate reicht von 250 mm bis 310 mm pro Seite, abhängig von der Ausrichtung und Dicke.

Q3: Ist es für das GaN-Epitaxiewachstum geeignet?
Ja. Dieses Saphirsubstrat wird häufig als Trägerplatte für GaN-on-Sapphire-Epitaxieprozesse verwendet, insbesondere in Hochdurchsatz-MOCVD-Systemen.

Q4: Wie wird die Ebenheit auf einer so großen Oberfläche garantiert?
Wir verwenden großformatige doppelseitige Poliergeräte und überprüfen jede Platte mit Laserinterferometrie, um eine Ebenheit von λ/10 bei 633 nm zu gewährleisten.

Q5: Wie wird das Substrat für den Versand verpackt?
Jede Platte wird in einer kundenspezifischen, stoßdämpfenden Vakuumverpackung mit hoher Reinheit verpackt, um Schäden während des internationalen Transports zu vermeiden.