Einzelheiten zu den Produkten

Haus PRODUKTE

Premium 300mm Durchmesser 4H Polytyp N-Typ Dotierung Siliziumkarbid Substrat für Hochleistungsgeräte

Markenbezeichnung:	ZMSH
MOQ:	50
Lieferzeit:	2-4 WOCHEN
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai, China

Polytype:

Dopingart:

N-Typ

Durchmesser:

300 ± 0,5 mm

Dicke:

Grün: 600 ± 100 μm / Transparent: 700 ± 100 μm

Oberflächenorientierung:

4° in Richtung <11-20> ± 0,5°

Primäre Wohnung:

Kerbe / Vollrund

Kerbtiefe:

1 – 1,5 mm

Gesamtdickenvariation (TTV):

≤ 10 μm

Mikrorohrdichte (MPD):

≤ 5 Stück/cm²

Hervorheben:

SiC-Substrat mit 300 mm Durchmesser

4H-Polytyp-Siliziumkarbidsubstrat

N-Typ-dotierter 12-Zoll-SiC-Wafer

Produkt-Beschreibung

Premium 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC) Substratlösungen

Hochwertige 4H-N Siliziumkarbid-Substrate (12-Zoll/300 mm) für Hochleistungsgeräte

Umfassende Produkteinführung

Das 12-Zoll (300 mm) Siliziumkarbid (SiC)-Substrat stellt die aktuelle Grenze in der Wide-Bandgap (WBG)-Halbleitertechnologie dar. Während die globale Industrie in Richtung höherer Effizienz und höherer Leistungsdichte übergeht, bietet diese großformatige kristalline Plattform die wesentliche Grundlage für Leistungselektronik und HF-Systeme der nächsten Generation.

Wichtige strategische Vorteile

Massiver Durchsatz: Im Vergleich zu herkömmlichen 150-mm- (6-Zoll-) und 200-mm- (8-Zoll-)Wafern bietet das 300-mm-Format mehr als das 2,2-fache bzw. 1,5-fache der nutzbaren Oberfläche.
Kostenoptimierung: Reduziert die "Kosten pro Chip" drastisch, indem die Anzahl der Chips maximiert wird, die pro einzelnem Fertigungszyklus produziert werden.
Erweiterte Kompatibilität: Vollständig kompatibel mit modernen, vollautomatisierten 300-mm-Halbleiterfertigungslinien (Fabs), wodurch die gesamte betriebliche Effizienz verbessert wird.

Produktgüte-Angebote

4H SiC N-Typ Produktionsgüte: Entwickelt für eine hohe Ausbeute und die Herstellung von kommerziellen Leistungsgeräten.
4H SiC N-Typ Dummy-Güte: Eine kostengünstige Lösung für mechanische Tests, Gerätekalibrierung und thermische Prozessvalidierung.
4H SiC semi-isolierende (SI) Produktionsgüte: Speziell für HF-, Radar- und Mikrowellenanwendungen konzipiert, die eine extreme Resistivität erfordern.

Detaillierte Materialeigenschaften

4H-N Siliziumkarbid (leitfähiger Typ)

Der 4H-N-Polytyp ist eine stickstoffdotierte, hexagonale Kristallstruktur, die für ihre robusten physikalischen Eigenschaften bekannt ist. Mit einer großen Bandlücke von etwa 3,26 eV bietet er:

Hohe Durchbruchfeldstärke: Ermöglicht die Entwicklung dünnerer, effizienterer Hochspannungsgeräte.
Überlegene Wärmeleitfähigkeit: Ermöglicht den Betrieb von Hochleistungsmodulen mit vereinfachten Kühlsystemen.
Extreme thermische Stabilität: Behält stabile elektrische Parameter auch in rauen Umgebungen von über 200 °C bei.
Geringer Einschaltwiderstand: Optimiert für vertikale Leistungsstrukturen wie SiC-MOSFETs und SBDs.

4H-SI Siliziumkarbid (semi-isolierender Typ)

Unsere SI-Substrate zeichnen sich durch eine außergewöhnlich hohe Resistivität und minimale Kristallfehler aus. Diese Substrate sind die bevorzugte Plattform für GaN-on-SiC-HF-Geräte und bieten:

Hervorragende elektrische Isolation: Eliminiert parasitäre Substratleitung.
Signalintegrität: Ideal für Hochfrequenz-Mikrowellenanwendungen, bei denen geringe Signalverluste entscheidend sind.

Fortschrittlicher Kristallwachstums- und Herstellungsprozess

Unser Herstellungsprozess ist vertikal integriert, um eine vollständige Qualitätskontrolle vom Rohmaterial bis zum fertigen Wafer zu gewährleisten.

Sublimationswachstum (PVT-Verfahren): Die 12-Zoll-Kristalle werden mit dem Physical Vapor Transport (PVT)-Verfahren gezüchtet. Hochreines SiC-Pulver wird bei Temperaturen von über 2000 °C unter präzise kontrolliertem Vakuum und Temperaturgradienten sublimiert und auf einem hochwertigen Impfkristall rekristallisiert.
Präzises Schneiden und Kantenprofilierung: Nach dem Wachstum werden die Kristallbarren mit fortschrittlichem Mehrdraht-Diamantsägen in Wafer geschnitten. Die Kantenbearbeitung umfasst präzises Anfasen, um Ausbrüche zu verhindern und die mechanische Robustheit während der Handhabung zu verbessern.
Oberflächentechnik (CMP): Abhängig von der Anwendung setzen wir Chemical Mechanical Polishing (CMP) auf der Si-Seite ein. Dieser Prozess erzielt eine "Epi-Ready"-Oberfläche mit atomarer Glätte und entfernt alle Unterschäden, um ein hochwertiges Epitaxialwachstum zu ermöglichen.

Technische Spezifikationen & Toleranzmatrix

Artikel	N-Typ Produktion	N-Typ Dummy	SI-Typ Produktion
Polytyp	4H	4H	4H
Dotierungstyp	Stickstoff (N-Typ)	Stickstoff (N-Typ)	Semi-isolierend
Durchmesser	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Dicke (Grün/Trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Oberflächenorientierung	4,0° in Richtung <11-20>	4,0° in Richtung <11-20>	4,0° in Richtung <11-20>
Orientierungsgenauigkeit	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Primär-Flat	Notch / Vollrund	Notch / Vollrund	Notch / Vollrund
Notch-Tiefe	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm	1,0 - 1,5 mm
Ebenheit (TTV)	≤ 10 μm	N/A	≤ 10 μm
Mikropipen-Dichte (MPD)	≤ 5 Stk./cm²	N/A	≤ 5 Stk./cm²
Oberflächenbeschaffenheit	Epi-ready (CMP)	Präzisionsschleifen	Epi-ready (CMP)
Kantenbearbeitung	Abgerundete Fase	Keine Fase	Abgerundete Fase
Rissinspektion	Keine (3 mm Ausschluss)	Keine (3 mm Ausschluss)	Keine (3 mm Ausschluss)

Premium 300mm Durchmesser 4H Polytyp N-Typ Dotierung Siliziumkarbid Substrat für Hochleistungsgeräte 1

Qualitätssicherung & Messtechnik

Wir verwenden ein mehrstufiges Inspektionsprotokoll, um eine konsistente Leistung in Ihrer Produktionslinie zu gewährleisten:

Optische Messtechnik: Automatische Oberflächengeometriemessung für TTV, Bow und Warp.
Kristalline Auswertung: Polarisierte Lichtinspektion auf Polytypeinschlüsse und Spannungsanalyse.
Oberflächendefekt-Scannen: Hochintensives Licht und Laserstreuung zur Erkennung von Kratzern, Grübchen und Kantensplittern.
Elektrische Charakterisierung: Berührungslose Widerstandsmessung über die zentralen 8-Zoll- und vollen 12-Zoll-Zonen.

Branchenführende Anwendungen

Elektrofahrzeuge (EV): Entscheidend für Traktionswechselrichter, 800-V-Schnellladestapel und Onboard-Ladegeräte (OBC).
Erneuerbare Energien: Hocheffiziente PV-Wechselrichter, Windkraftumrichter und Energiespeichersysteme (ESS).
Smart Grid: Hochspannungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) und industrielle Motorantriebe.
Telekommunikation: 5G/6G-Makrostationen, HF-Leistungsverstärker und Satellitenverbindungen.
Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Hochzuverlässige Stromversorgungen für extreme Luft- und Raumfahrtumgebungen.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

F1: Wie verbessert das 12-Zoll-SiC-Substrat meinen ROI?

A: Durch die Bereitstellung einer viel größeren Oberfläche können Sie deutlich mehr Chips pro Wafer herstellen. Dies reduziert die Fixkosten für die Verarbeitung und die Arbeitskosten pro Chip, wodurch Ihre endgültigen Halbleiterprodukte wettbewerbsfähiger auf dem Markt werden.

F2: Was ist der Vorteil der 4-Grad-Off-Axis-Orientierung?

A: Die 4°-Orientierung in Richtung <11-20> Ebene ist für hochwertiges Epitaxialwachstum optimiert und hilft, die Bildung unerwünschter Polytypen zu verhindern und Basalebenenversetzungen (BPD) zu reduzieren.

F3: Können Sie eine kundenspezifische Lasermarkierung zur Rückverfolgbarkeit bereitstellen?

A: Ja. Wir bieten kundenspezifische Lasermarkierungen auf der C-Seite (Kohlenstoffseite) gemäß SEMI-Standards oder spezifischen Kundenanforderungen an, um die vollständige Chargenrückverfolgbarkeit zu gewährleisten.

F4: Ist die Dummy-Güte für Hochtemperaturglühen geeignet?

A: Ja, die N-Typ-Dummy-Güte weist die gleichen thermischen Eigenschaften wie die Produktionsgüte auf und eignet sich daher perfekt zum Testen von thermischen Zyklen, Ofenkalibrierung und Handhabungssystemen.

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Draht sah Maschine

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate