2-Zoll Zn-dotiertes Galliumarsenid (GaAs) Wafer für LED- und Laserdiode-Anwendungen

Produktübersicht

Der 2-Zoll Zn-dotierte Galliumarsenid (GaAs) Wafer ist ein hochwertiger p-Typ Halbleiterwafer, der mit der Vertical Gradient Freeze (VGF) Kristallzuchtmethode hergestellt wird. Zinkdotierung bietet stabile und gleichmäßige elektrische Eigenschaften vom p-Typ, was eine zuverlässige Leistung in der Herstellung von LEDs, Laserdioden, optoelektronischen und mikroelektronischen Bauelementen ermöglicht.

Als Direktbandlücke-III–V-Halbleiter bietet GaAs eine hohe Ladungsträgermobilität, schnelles elektronisches Ansprechverhalten und eine ausgezeichnete optische Effizienz. Dieser Wafer wird mit (100) Kristallorientierung, kontrollierter Ladungsträgerkonzentration, geringer Ätzgrubendichte und polierten Oberflächen geliefert, was eine konsistente Prozessleistung und einen hohen Bauelementausbeute gewährleistet. Eine strenge Kontrolle von Ebenheit, Durchbiegung, Verformung und Partikelkontamination unterstützt fortschrittliche Waferbearbeitung und Epitaxie-Wachstum unter Verwendung von MBE- oder MOCVD-Techniken.

Mit optionalen Orientierungsflächen, Notch-Konfigurationen und Lasermarkierung auf der Rückseite bietet der 2-Zoll Zn-dotierte GaAs Wafer Flexibilität für verschiedene Prozessabläufe und Identifikationsanforderungen. Seine stabilen elektrischen Eigenschaften und die zuverlässige Oberflächenqualität machen ihn sowohl für Forschungs- als auch für Volumenproduktionsumgebungen in der optoelektronischen und hochfrequenten Bauelementeherstellung geeignet.

Technische Spezifikationen – 2-Zoll Zn-dotierter GaAs Wafer

Anwendungen

• LED-Wafer-Verarbeitung

• Laserdiode-Wafer-Herstellung

• Optoelektronische Bauelemente-Wafer

• HF- und Hochfrequenz-Elektronik-Wafer

Häufig gestellte Fragen

Ist dieser GaAs-Wafer für die Herstellung von LEDs und Laserdioden geeignet?
Ja. Die Zn-dotierten elektrischen Eigenschaften vom p-Typ, kombiniert mit der (100) Orientierung und der kontrollierten Ladungsträgerkonzentration, unterstützen eine stabile Lichtemission und eine konsistente Bauelementleistung in der Herstellung von LEDs und Laserdioden.

Kann dieser Wafer direkt für das Epitaxie-Wachstum verwendet werden?
Ja. Der Wafer wird mit polierten Oberflächen, geringer Partikelkontamination und strenger Ebenheitskontrolle geliefert, was die direkte Verwendung in MBE- oder MOCVD-Epitaxie-Wachstumsprozessen ermöglicht.

Können die Waferspezifikationen an unterschiedliche Prozessanforderungen angepasst werden?
Ja. Optionen wie Orientierungsflächen, Notch-Konfiguration, Lasermarkierung auf der Rückseite, Oberflächenausführung und ausgewählte elektrische Parameter können auf Anfrage angepasst werden, um spezifische Geräte- und Prozessanforderungen zu erfüllen.

Verwandte Produkte

Customized" width="400">

InAs Wafer Doped Zn 2 Zoll Indiumarsenid Wafer Dia 50mm Dicke 500um <100> Kundenspezifisch