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Einzelheiten zu den Produkten

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keramisches Substrat
Created with Pixso. Kundenspezifische Stufenkeramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) für Halbleitergeräte

Kundenspezifische Stufenkeramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) für Halbleitergeräte

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 WOCHEN
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
SHANGHAI, CHINA
Material:
Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit:
≥ 99 % (typisch)
Dichte:
3,10 – 3,20 g/cm³
Härte:
≥ 2500 HV
Biegefestigkeit:
≥ 350 MPa
Elastizitätsmodul:
~410 GPa
Wärmeleitfähigkeit:
120 – 200 W/m·K
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE):
~4,0 × 10⁻⁶ /K
Hervorheben:

Spezialanfertigung SiC-Keramikplatte für Halbleiter

,

Gestufte Keramiksubstrate für Halbleiterausrüstung

,

Siliziumkarbidplatte mit hoher Wärmeleitfähigkeit

Produkt-Beschreibung

Kundenspezifische Siliziumkarbid (SiC) Keramikplatte mit Stufen für Halbleiterausrüstung


Produktübersicht


Dieses kundenspezifische Siliziumkarbid-Keramikbauteil weist eine kreisförmige Plattengeometrie mit einer präzisionsgefertigten Stufenkante auf. Die Stufenstruktur ermöglicht eine genaue axiale Positionierung und eine stabile Integration in Halbleiterprozesskammern und fortschrittliche thermische Systeme.


Hergestellt aus hochreinem SiC-Keramik, bietet das Bauteil eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen, Plasmaexposition, chemische Korrosion und Thermoschock. Die Oberfläche ist absichtlich unpoliert, da das Bauteil für funktionale und strukturelle Zwecke und nicht für optische oder elektronische Anwendungen konzipiert ist.


Typische Anwendungen sind Kammerabdeckungen, Linerkappen, Stützplatten und schützende Strukturkomponenten in Halbleiterfertigungsanlagen, bei denen langfristige Dimensionsstabilität und Materialzuverlässigkeit entscheidend sind.


Kundenspezifische Stufenkeramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) für Halbleitergeräte 0Kundenspezifische Stufenkeramikplatte aus Siliziumkarbid (SiC) für Halbleitergeräte 1


Hauptmerkmale


  • Hochreines Siliziumkarbid-Keramikmaterial

  • Stufenkantendesign für präzise Positionierung und Montage

  • Geschliffene, unpolierte Oberfläche, optimiert für funktionale Leistung

  • Ausgezeichnete thermische Stabilität und geringe thermische Verformung

  • Hervorragende Beständigkeit gegen Plasma, Chemikalien und korrosive Gase

  • Hohe mechanische Festigkeit und Steifigkeit

  • Geeignet für Vakuum- und Reinprozessumgebungen

  • Kundenspezifische Abmessungen und Geometrien verfügbar


Technische Parameter (Typisch)


Parameter Spezifikation
Material Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit ≥ 99 % (typisch)
Dichte 3,10 – 3,20 g/cm³
Härte ≥ 2500 HV
Biegefestigkeit ≥ 350 MPa
Elastizitätsmodul ~410 GPa
Wärmeleitfähigkeit 120 – 200 W/m·K
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) ~4,0 × 10⁻⁶ /K
Maximale Betriebstemperatur > 1600°C (in inerter Atmosphäre)
Maximale Betriebstemperatur (Luft) ~1400°C
Elektrischer Widerstand Hoch (Isolationsgüte verfügbar)
Oberflächenbeschaffenheit Geschliffen / Unpoliert
Ebenheit Kundenspezifische Toleranz verfügbar
Kantenbearbeitung Gefast oder kundenspezifisch
Umweltverträglichkeit Vakuum, Plasma, korrosive Gase

Hinweis: Die Parameter können je nach SiC-Güte, Formgebungsverfahren und Bearbeitungsanforderungen variieren.


Typische Anwendungen


  • Halbleiterprozesskammern (CVD, PECVD, LPCVD, Ätzsysteme)

  • Kammerabdeckungen und Linerkappen

  • Strukturstützplatten in Hochtemperaturanlagen

  • Plasma-exponierte oder plasma-nahe Keramikkomponenten

  • Fortschrittliche Vakuumverarbeitungssysteme

  • Kundenspezifische keramische Strukturteile für Halbleiter- und optoelektronische Geräte


Anpassungsmöglichkeiten


  • Kundenspezifischer Außendurchmesser und Dicke

  • Kundenspezifische Stufenhöhe und -breite

  • Optionales Feinschleifen oder Polieren auf Anfrage

  • Bearbeitung nach Kundenzeichnungen oder Mustern

  • Kleinserien-, Prototypen- und Volumenproduktion unterstützt


FAQ


Q1: Was ist die Hauptfunktion dieser SiC-Keramikplatte mit Stufen?

A:
Dieses Bauteil wird hauptsächlich als strukturelles oder funktionelles Keramikteil, wie z. B. eine Kammerabdeckung, eine Stützplatte oder eine Linerkappe, in Halbleiter- und Hochtemperaturprozessanlagen verwendet. Das Stufendesign ermöglicht eine genaue Positionierung und eine stabile Montage innerhalb der Gerätekonstruktionen.


Q2: Warum ist die Oberfläche unpoliert?

A:
Die unpolierte Oberfläche ist beabsichtigt. Dieses Bauteil wird nicht für optische oder elektronische Funktionen verwendet, sondern für strukturelle und schützende Zwecke. Geschliffene Oberflächen sind ausreichend und werden oft für eine verbesserte mechanische Stabilität und reduzierte Herstellungskosten in Prozesskammeranwendungen bevorzugt.


Q3: Ist dieses Bauteil für Plasmaumgebungen geeignet?

A:
Ja. Siliziumkarbid bietet eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Plasmaerosion und chemische Korrosion, wodurch es sich für Plasma-exponierte oder plasma-nahe Anwendungen in Halbleiterprozesskammern eignet.


Q4: Kann dieses Teil in Vakuumsystemen verwendet werden?

A:
Ja. Das Material und der Herstellungsprozess sind mit Vakuumumgebungen kompatibel. SiC-Keramik weist ein geringes Ausgasungsverhalten auf und behält die Dimensionsstabilität unter Vakuum- und Temperaturwechselbedingungen bei.


Q5: Können Abmessungen und Stufengeometrie angepasst werden?

A:
Absolut. Außendurchmesser, Dicke, Stufenhöhe, Stufenbreite und Kanteneigenschaften können alle nach Kundenzeichnungen oder Anwendungsanforderungen angepasst werden.


Q6: Bieten Sie polierte oder beschichtete Versionen an?

A:
Optionale Oberflächenbearbeitungen, einschließlich Feinschleifen oder Polieren, können auf Anfrage bereitgestellt werden. Beschichtungen können je nach Anwendung und Betriebsumgebung ebenfalls verfügbar sein.


Q7: Welche Branchen verwenden typischerweise diese Art von Bauteil?

A:
Diese Art von SiC-Keramikbauteil wird häufig in der Halbleiterfertigung, Optoelektronik, fortschrittlichen Vakuumsystemen und industriellen Hochtemperaturverarbeitungsanlagen verwendet.


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