| Markenbezeichnung: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Lieferzeit: | 2-4 WOCHEN |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
Dieses kundenspezifische Siliziumkarbid-Keramikbauteil weist eine kreisförmige Plattengeometrie mit einer präzisionsgefertigten Stufenkante auf. Die Stufenstruktur ermöglicht eine genaue axiale Positionierung und eine stabile Integration in Halbleiterprozesskammern und fortschrittliche thermische Systeme.
Hergestellt aus hochreinem SiC-Keramik, bietet das Bauteil eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen, Plasmaexposition, chemische Korrosion und Thermoschock. Die Oberfläche ist absichtlich unpoliert, da das Bauteil für funktionale und strukturelle Zwecke und nicht für optische oder elektronische Anwendungen konzipiert ist.
Typische Anwendungen sind Kammerabdeckungen, Linerkappen, Stützplatten und schützende Strukturkomponenten in Halbleiterfertigungsanlagen, bei denen langfristige Dimensionsstabilität und Materialzuverlässigkeit entscheidend sind.
![]()
![]()
Hochreines Siliziumkarbid-Keramikmaterial
Stufenkantendesign für präzise Positionierung und Montage
Geschliffene, unpolierte Oberfläche, optimiert für funktionale Leistung
Ausgezeichnete thermische Stabilität und geringe thermische Verformung
Hervorragende Beständigkeit gegen Plasma, Chemikalien und korrosive Gase
Hohe mechanische Festigkeit und Steifigkeit
Geeignet für Vakuum- und Reinprozessumgebungen
Kundenspezifische Abmessungen und Geometrien verfügbar
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Material | Siliziumkarbid (SiC) |
| Reinheit | ≥ 99 % (typisch) |
| Dichte | 3,10 – 3,20 g/cm³ |
| Härte | ≥ 2500 HV |
| Biegefestigkeit | ≥ 350 MPa |
| Elastizitätsmodul | ~410 GPa |
| Wärmeleitfähigkeit | 120 – 200 W/m·K |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) | ~4,0 × 10⁻⁶ /K |
| Maximale Betriebstemperatur | > 1600°C (in inerter Atmosphäre) |
| Maximale Betriebstemperatur (Luft) | ~1400°C |
| Elektrischer Widerstand | Hoch (Isolationsgüte verfügbar) |
| Oberflächenbeschaffenheit | Geschliffen / Unpoliert |
| Ebenheit | Kundenspezifische Toleranz verfügbar |
| Kantenbearbeitung | Gefast oder kundenspezifisch |
| Umweltverträglichkeit | Vakuum, Plasma, korrosive Gase |
Hinweis: Die Parameter können je nach SiC-Güte, Formgebungsverfahren und Bearbeitungsanforderungen variieren.
Halbleiterprozesskammern (CVD, PECVD, LPCVD, Ätzsysteme)
Kammerabdeckungen und Linerkappen
Strukturstützplatten in Hochtemperaturanlagen
Plasma-exponierte oder plasma-nahe Keramikkomponenten
Fortschrittliche Vakuumverarbeitungssysteme
Kundenspezifische keramische Strukturteile für Halbleiter- und optoelektronische Geräte
Kundenspezifischer Außendurchmesser und Dicke
Kundenspezifische Stufenhöhe und -breite
Optionales Feinschleifen oder Polieren auf Anfrage
Bearbeitung nach Kundenzeichnungen oder Mustern
Kleinserien-, Prototypen- und Volumenproduktion unterstützt
A:
Dieses Bauteil wird hauptsächlich als strukturelles oder funktionelles Keramikteil, wie z. B. eine Kammerabdeckung, eine Stützplatte oder eine Linerkappe, in Halbleiter- und Hochtemperaturprozessanlagen verwendet. Das Stufendesign ermöglicht eine genaue Positionierung und eine stabile Montage innerhalb der Gerätekonstruktionen.
A:
Die unpolierte Oberfläche ist beabsichtigt. Dieses Bauteil wird nicht für optische oder elektronische Funktionen verwendet, sondern für strukturelle und schützende Zwecke. Geschliffene Oberflächen sind ausreichend und werden oft für eine verbesserte mechanische Stabilität und reduzierte Herstellungskosten in Prozesskammeranwendungen bevorzugt.
A:
Ja. Siliziumkarbid bietet eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Plasmaerosion und chemische Korrosion, wodurch es sich für Plasma-exponierte oder plasma-nahe Anwendungen in Halbleiterprozesskammern eignet.
A:
Ja. Das Material und der Herstellungsprozess sind mit Vakuumumgebungen kompatibel. SiC-Keramik weist ein geringes Ausgasungsverhalten auf und behält die Dimensionsstabilität unter Vakuum- und Temperaturwechselbedingungen bei.
A:
Absolut. Außendurchmesser, Dicke, Stufenhöhe, Stufenbreite und Kanteneigenschaften können alle nach Kundenzeichnungen oder Anwendungsanforderungen angepasst werden.
A:
Optionale Oberflächenbearbeitungen, einschließlich Feinschleifen oder Polieren, können auf Anfrage bereitgestellt werden. Beschichtungen können je nach Anwendung und Betriebsumgebung ebenfalls verfügbar sein.
A:
Diese Art von SiC-Keramikbauteil wird häufig in der Halbleiterfertigung, Optoelektronik, fortschrittlichen Vakuumsystemen und industriellen Hochtemperaturverarbeitungsanlagen verwendet.