| Markenbezeichnung: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
Ungepolsterte Saphirstange Einkristall Al2O3 Optik- und Industriebauteile
Produktübersicht:
Hochreine Saphirstangen (Al2O3, 99,999%) sind für fortschrittliche optische, Halbleiter- und industrielle Anwendungen konzipiert, die eine außergewöhnliche Härte, thermische Beständigkeit,und chemische StabilitätDiese Saphirstangen, die durch die Kyropoulos- (KY) oder Pulling-Down- (PD) -Methoden hergestellt werden, weisen eine einheitliche Gitterorientierung, hohe Präzision und eine hervorragende mechanische Integrität auf.
Mit hervorragender optischer Übertragung von UV auf IR, hoher Verschleißbeständigkeit und der Fähigkeit, in Umgebungen mit2000°C, Saphirstangen werden in optischen Instrumenten, Halbleitergeräten, LED-Herstellung, Hochtemperaturöfen, Lasersystemen und präzisen mechanischen Komponenten weit verbreitet.
Für spezielle technische, Forschungs- und Industrieanforderungen sind kundenspezifische Durchmesser (bis zu 0,3 mm), Längen (bis zu 600 mm) und Kristallorientierungen erhältlich.
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Monokristalline Al2O3 von ultrahoher Reinheit (99,999%)
Mohs-Härte 9∆ extrem verschleißfest und kratzfest
Wärmestabilität bis zu 2000°Cmit geringer thermischer Verformung
Ausgezeichnete optische Transparenz0,17 ∼5,5 μm, UV ∼IR
Chemische und Plasmabeständigkeitgegen Säuren, Alkalien, geschmolzenen Metallen, Gase
Hohe Dielektrische Festigkeitfür elektronische und HF-Anwendungen
Anpassbarin Größe, Ausrichtung, Veredelung und Geometrie
| Artikel | Spezifikation |
|---|---|
| Material | 99.999% hochreine monokristalline Al2O3 |
| Kristallorientierung | C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), M-Ebene (10-10), R-Ebene (1-102), N-Ebene (11-23), V-Ebene (22-43) |
| Durchmesser | 0.3 mm 8 Zoll (auf Wunsch) |
| Länge | bis zu 600 mm |
| Dichte | 30,97 ‰ 4,1 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | 2000°C bis 2050°C |
| Oberflächenbearbeitung | Unpoliert / poliert |
| Koeffizient der thermischen Ausdehnung | 5.0·8.4 × 10−6 /K |
| Optische Übertragungsbereiche | 00,17 ∼5,5 μm |
| Brechungsindex (0,532 μm) | n0 = 1.7717, ne = 1.76355 |
| Kristallstruktur | Hexagonal (Rhomboeder) |
| Härte | Mohs-Wert 9 |
| Young's Modulus | 345 GPa |
| Scherenmodul | 145 GPa |
| Massenmodule | 240 GPa |
| Absorption von Wasser | Niedrig |
| Verpackung | Einzelige Schutzverpackung |
mit einer Breite von nicht mehr als 30 mm
mit einer Breite von nicht mehr als 30 mm
MOCVD/LED-Unterstützungskomponenten
Plasmabeständige Vorrichtungen
mit einer Breite von mehr als 10 mm
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
UV-IR-Fenster und Komponenten
mit einer Breite von mehr als 20 mm
Präzisionslager
mit einer Breite von mehr als 20 mm
mit einer Breite von mehr als 20 mm
Hochtemperaturversuchsstützen
mit einer Leistung von mehr als 1000 W
Durchmesser:0.3 mm 8
Längen:5 mm 600 mm
Kristallorientierung (C/A/M/R/N/V)
Endform:flache / abgerundete / spitze / Sattelnadel
Oberfläche:Feingemahlen / einseitig oder doppelseitig poliert
OEM- und technische Unterstützung verfügbar
1Was macht Saphirstangen für Hochtemperaturanwendungen geeignet?
Saphir hält die Kristallintegrität bei bis zu 2000 °C, bietet eine geringe thermische Expansion, hohe Festigkeit und chemische Trägheit bei extremer Hitze.
2Sind Saphirstangen korrosions- und plasmabeständig?
Ja, Saphir ist inert gegenüber Säuren, Alkalien, Plasma und den meisten geschmolzenen Metallen, weshalb es ideal für Halbleiterkammern und raue chemische Umgebungen geeignet ist.
3Können Saphirstangen angepasst werden?
Ja, es gibt maßgeschneiderte Durchmesser, Längen, polierte Oberflächen, Kristallorientierungen und komplexe Formen, um die Anforderungen an Optik, Halbleiter und Mechanik zu erfüllen.
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