SiC-Chip für fortgeschrittene Elektronik

Produktübersicht:

Das rechteckige Substrat aus Siliziumcarbid (SiC) ist ein fortschrittliches einkristallines Halbleitermaterial, das entwickelt wurde, um die strengen Anforderungen moderner Leistungselektronik, optoelektronischer Geräte,und HochfrequenzanwendungenSiC ist bekannt für seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, seine breite elektronische Bandbreite und seine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, was ihn ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen macht.wie hohe TemperaturenDieses SiC-Substrat wird häufig in Forschungs- und Entwicklungslaboren, Prototypenentwicklung und der Herstellung spezialisierter Geräte verwendet.

Herstellungsprozess von Siliziumkarbid (SiC) -Substratchips

Die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) Substraten beinhaltet fortschrittliche Kristallwachstumstechniken wie physikalischen Dampftransport (PVT) oder Sublimation.

• Herstellung von Rohstoffen:Ultrareines SiC-Pulver wird zur Sublimierung in einen Graphit-Kiegel mit hoher Dichte gelegt.

• Kristallwachstum:Bei Temperaturen von mehr als 2.000 °C sublimiert und kondensiert das SiC-Material auf einen Samenkristall, um eine große SiC-Kugel zu bilden.

• Schnitt von Ingots:Diamantdrahtsägen werden verwendet, um die Kugel in dünne Wafer oder Chips in rechteckiger Form zu schneiden.

• Schleifen und Schleifen:Die Oberflächenplanisierung sorgt für eine gleichmäßige Dicke und entfernt Schneidspuren.

• Chemische mechanische Polierung (CMP):Das Substrat wird bis zu einer spiegelglatten Oberfläche poliert, geeignet für die Ablagerung der epitaxialen Schicht.

• Optionale Doping:N- oder P-Typ-Doping ist verfügbar, um die elektrischen Eigenschaften je nach Anwendungsanforderung anzupassen.

• Qualitätssicherung:Durch strenge Prüfungen der Flachheit, Defektdichte und Dicke wird die Einhaltung der Halbleiterstandards gewährleistet.

Materialeigenschaften von Siliziumcarbid (SiC)

SiC ist hauptsächlich in 4H-SiC- und 6H-SiC-Kristallstrukturen erhältlich, die jeweils für spezifische Anwendungen optimiert sind:

• 4H-SiC:Bietet eine höhere Elektronenmobilität und ist ideal für Hochspannungselektronik wie MOSFETs und Schottky-Dioden.

• 6H-SiC:Ideal für HF- und Mikrowellenanwendungen, mit geringeren Leistungsverlusten bei Hochfrequenzbetrieben.

Zu den wichtigsten Vorteilen von SiC-Substraten gehören:

• Weite Bandbreite:Die Leistungsspannung beträgt ca. 3,2 ∼ 3,3 eV und bietet eine hohe Ausfallspannung und Effizienz in Leistungseinrichtungen.

• Wärmeleitfähigkeit:3.0·4.9 W/cm·K, die eine hervorragende Wärmeableitung bei Stromanwendungen gewährleistet.

• Mechanische Festigkeit:Mohs-Härte von ~9.2, wodurch SiC sehr abnutzungsbeständig ist.

Anwendungen von Chips für Rechtecksubstrate aus Siliziumcarbid (SiC)

• Leistungselektronik:Ideal für MOSFETs, IGBTs und Schottky-Dioden, die in Antrieben für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersystemen und Stromumwandlung verwendet werden.

• Hochfrequenz- und HF-Geräte:Perfekt für Radarsysteme, Satellitenkommunikation und 5G-Basisstationen.

• Optoelektronik:Geeignet für UV-LEDs, Laserdioden und Photodetektoren aufgrund ihrer hervorragenden UV-Transparenz.

• Luft- und Raumfahrt:Funktioniert in strahlungsgefährdeten und hochtemperaturen Umgebungen.

• Wissenschaftliche und industrielle Forschung:Ausgezeichnet für die Entwicklung neuer Materialien, Prototypen und Geräte.

Technische Spezifikationen

Anpassungsmöglichkeiten:

• Benutzerdefinierte Abmessungen:Erhältlich in einer Vielzahl von Größen und Formen, einschließlich maßgeschneiderter rechteckiger Formate.

• Dopingprofile:N- oder P-Typ-Doping zur individuellen elektrischen Leistung.

• Oberflächenbehandlungen:Einseitige oder doppelseitige Polierung sowie eigene Epitaxialschichten.

Verpackung und Lieferung:

• Verpackung:Maßgeschneiderte Verpackungslösungen zur sicheren Lieferung.

• Lieferzeit:Normalerweise innerhalb von 30 Tagen nach Auftragsbestätigung.

Häufig gestellte Fragestellungen

• F1: Warum wählen Sie SiC-Substrate gegenüber traditionellem Silizium?
  SiC bietet eine überlegene thermische Leistung, eine höhere Zerfallsfestigkeit und deutlich geringere Schaltverluste im Vergleich zu Silizium, was es ideal für hocheffiziente Anwendungen mit hoher Leistung macht.

• F2: Können diese Substrate mit epitaxialen Schichten versehen werden?
  Ja, wir bieten epi-ready und kundenspezifische Epitaxy-Optionen für Hochleistungs-, HF- oder optoelektronische Geräteanwendungen.

• Q3: Können Sie die Abmessungen und Doping anpassen?
  Es gibt maßgeschneiderte Größen, Dopingprofile und Oberflächenbehandlungen, um spezifische Anwendungsbedürfnisse zu erfüllen.

• F4: Wie funktionieren SiC-Substrate unter extremen Bedingungen?
  SiC-Substrate erhalten bei Temperaturen über 600°C Strukturintegrität und elektrische Stabilität und eignen sich somit für raue Umgebungen wie Luft- und Raumfahrt, Verteidigung,und Hochleistungsindustrieanwendungen.

Verwandte Produkte

Sic Siliziumkarbid Substrat 5.0*5.0mm Quadrat 6H-P-Typ Dicke 350μm Null-Grad Dummy-Grad