4-Zoll-C-Plane SSP Sapphire Substrat Al2O3 für LED und optische Anwendungen

Übersicht

Unsere 4-Zoll-C-Plane-SSP (Single Side Polished) Saphirsubstrate sind hochreine, monokristalline Al2O3-Wafer, die für fortschrittliche Halbleiter-, Optoelektronik- und optische Anwendungen entwickelt wurden.mit einer außergewöhnlichen mechanischen FestigkeitDiese Wafer sind ideal für das epitaxiale Wachstum von GaN, AlN und anderen III-V oder II-VI-Verbindungen geeignet, die in LEDs, Laserdioden,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.

Wesentliche Merkmale

• Einkristallsafir von hoher Reinheit (Al2O3)

• C-Flächenorientierung (0001) mit enger ±0,3° Toleranz

• Einseitig polierte Oberfläche (SSP), vordere Ra < 0,2 nm

• Ausgezeichnete Flachheit und geringe Bögenlänge (< 15 μm)

• Hohe thermische und chemische Stabilität bei rauen Bedingungen

• Anpassbare Achse, Durchmesser und Dicke verfügbar

Spezifikationen

Mechanische und thermische Eigenschaften

• Mohs-Härte: 9 (nach dem Diamant)

• Wärmeleitfähigkeit: 25 W/m·K

• Schmelzpunkt: 2045°C

• Niedrige thermische Ausdehnung sorgt für die Stabilität der Abmessungen

Optische und elektronische Eigenschaften

• Optische Transparenz: 190 nm ∼ 5500 nm

• Brechungsindex: ~ 1.76

• Eigener Widerstand: 1E16 Ω·cm

• Ausgezeichneter Isolator mit geringem Dielektrverlust

Anwendungen

• Substrat für GaN, AlN und III-V oder II-VI-Epitaxialwachstum

• Blaue, grüne und weiße LED-Produktion

• Substrate für Laserdioden

• Infrarot-optische Komponenten und Fenster

• Hochpräzisionsoptik und Mikroelektronik

• SOS- (Silicon-on-Sapphire) und RFIC-Geräte

Warum wählen Sie C-Plane Sapphire?

C-Flächensafir weist eine hohe Anisotropie, eine hervorragende Kratzfestigkeit und einen geringen Dielektrverlust auf, was ihn ideal für Halbleiter-, optische und mikroelektronische Anwendungen macht.Seine kristalline Struktur ermöglicht ein hochwertiges epitaxielles Wachstum mit minimalem Gitterunterschied für GaN-basierte LEDs und andere Dünnschichtgeräte.

Verpackung und Versand

• Standardverpackung für Reinräume (Klasse 100), einzelne Wafer oder Kassettenbox

• Vakuumversiegelt für die kontaminierungsfreie Lieferung

• Auf Wunsch erhältliche individuelle Verpackung

Häufig gestellte Fragen

- Was ist das?Was ist der Unterschied zwischen SSP- und DSP-Saphirwafern?

A:SSP ist einseitig poliert und eignet sich für das epitaxiale Wachstum auf der polierten Seite; DSP ist doppelseitig poliert und bietet ultraflache Oberflächen auf beiden Seiten für High-End-optische Anwendungen.

- Was ist das?Kann die Wafer angepasst werden?

A:Ja, wir akzeptieren maßgeschneiderte Durchmesser, Dicken und Achsenorientierung nach Kundenvorgaben.

- Was ist das?Welche Anwendungen gibt es für 4-Zoll-C-Flächen-Saphir-Wafer?

A:Sie werden häufig für GaN-LED-Substrate, Laserdioden-Substrate, IR-Fenster, SOS-Geräte und andere hochpräzise optoelektronische oder Halbleiteranwendungen verwendet.

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