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Einzelheiten zu den Produkten

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Saphir-Oblate
Created with Pixso. Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen

Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Shanghai, China
Kristallmaterial:
Einzelkristall Al₂o₃
Kristallstruktur:
Trigonal (Sechseckig)
Orientierungsoptionen:
C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102), M-Ebene (10-10), Benutzerdefiniert
Größenbereich (quadratisch):
5 × 5 mm – 150 × 150 mm
Dickenbereich:
0,2–10 mm (im Schnitt)
Oberflächenzustand:
As-Cut (ungeschliffen), optionales Läppen/SSP/DSP
Oberflächenrauheit (RA):
Im Schnitt: 0,5–2,0 µm (je nach Schnitt)
Härte (Mohs):
9
Dichte:
30,98 g/cm3
Elastizitätsmodul:
345–400 GPa
Wärmeleitfähigkeit:
25–35 W/m·K bei 20 °C
Wärmeleitkoeffizient:
5,0–8,4 ×10⁻⁶ /K (orientierungsabhängig)
Optischer Übertragungsbereich:
0,15–5,5 μm
Dielektrizitätskonstante:
9,4–11,5
Produkt-Beschreibung

Sapphire Square Raw Wafer Blank für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen


Produktübersicht


Saphir-Quadrat-Rohwaferblätter sind halbfertige, einkristalline Saphirplatten, die direkt aus orientierten Saphirkugeln geschnitten werden.unpolierte Oberfläche mit natürlichen Sägemarken und Rauheit, so dass sie ideal für die nachgelagerte Präzisionsverarbeitung einschließlich Schleifen, Lappen, CMP-Polieren, Ausdünnen und Spezialformbearbeitung geeignet sind.


Das Material besteht aus α-Al2O3 Einzelkristall, bekannt für seine außergewöhnliche Härte (Mohs 9), hohe thermische Stabilität, starke chemische Beständigkeit und einen breiten optischen Übertragungsbereich.Diese Eigenschaften machen Saphir zum bevorzugten Werkstoff für Halbleiterwafer, optische Fenster, Infrarotkomponenten und leistungsstarke Schutzdecken.


ZMSH liefert Saphir-Rohblöcke in einer Vielzahl von Abmessungen, Ausrichtungen und Dicken und bietet eine vollständige Anpassung an die Anforderungen der Kunden.

Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen 0Saphir-Quadrat-Rohwafer-Rohling für optische, Halbleiter- und Hochtemperaturanwendungen 1


Wesentliche Merkmale


  • Extreme Härte (Mohs 9)- Nur hinter dem Diamanten. Kratzfest, verschleißfest.

  • Ausgezeichnete optische Übertragung∆ umfasst 0,15 ∆ 5,5 μm (UV ∆ Sichtbar ∆ Infrarot).

  • Hohe thermische Stabilität- Schmelzpunkt 2053°C; widersteht schnellen thermischen Zyklen.

  • Chemische Trägheit- unlöslich in den meisten Säuren und Basen (außer HF und heißem H3PO4).

  • Überlegene elektrische Isolierung- stabile dielektrische Eigenschaften bei hohen Temperaturen.

  • Niedrige Defektdichte- ideal für die Halbleiter- und optoelektronische Verarbeitung.


Technische Spezifikation


Kategorie Spezifikation
Kristallmaterial Einkristall Al2O3
Kristallstruktur Trigonal (Sechseckig)
Orientierungsmöglichkeiten C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102), M-Ebene (10-10), individuell
Größenbereich (Quadrat) 5 × 5 mm ¢ 150 × 150 mm
Dickenbereich 0.2·10 mm (aufgeschnitten)
Oberflächenzustand Als geschnitten (nicht poliert), optional Lapping/SSP/DSP
Oberflächenrauheit (Ra) Schnitt: 0,5 bis 2,0 μm (abhängig vom Schneiden)
Härte (Mohs) 9
Dichte 30,98 g/cm3
Young's Modulus 345­400 GPa
Wärmeleitfähigkeit 25 ̊35 W/m·K @ 20°C
Schmelzpunkt 2053°C
Koeffizient der thermischen Ausdehnung 5.0?? 8.4 ×10−6 /K (orientierungsabhängig)
Brechungsindex n0=1.768, ne=1.760
Optische Übertragungsbereiche 00,15 ∼5,5 μm
Dielektrische Konstante 9.4 ¢ 11.5
Chemische Resistenz Ausgezeichnet; gegen die meisten Säuren/Alkalien resistent
Elektrische Widerstandsfähigkeit > 1014 Ω·cm
Verpackung Reinraum der Klasse 100


Anwendungen


1. Halbleiter und LED-Fertigung

  • Rohstoffe für polierte Saphirwaffen

  • GaN, AlN, Ga2O3-Epitaxie

  • Mikro-LED-Substrate

  • Komponenten von HF- und Leistungseinrichtungen


2. Optische und Infrarotkomponenten

  • Infrarot-Fensterflächen

  • Hochtemperatur-Ansichtspunkte

  • Laserschutzfenster

  • Platten-Optische Substrate


3. Verbraucherelektronik

  • Kameraobjektivdeckel (nach Polieren)

  • Fingerabdrucksensoren

  • Smartwatch und tragbare Abdeckplatten


4Industrie und Wissenschaft

  • Hochdruckbeobachtungsfenster

  • Barcode-Scanner-Fenster

  • Sichtpunkte für Halbleitergeräte


5Luft- und Raumfahrt und Verteidigung

  • IR-Suchfenster

  • Optikkuppel

  • Materialien für Hochgeschwindigkeitsradome

  • Fenster für raue Umgebungen


ZMSH-Verarbeitungskapazität


ZMSH erbringt End-to-End-Bearbeitungsleistungen für Saphir:

  • Kristallwachstum (KY/CZ)

  • Orientierung und Schneiden

  • Schleifen / Schleifen / Ausdünnen

  • CMP-Superpolieren

  • Schrägstellen und Kantenformen

  • Schritt-, Schlitz-, Loch- und individuell geformte Bearbeitung

  • Ultradünne und großflächige Saphirverarbeitung

Wir bietenEin-Stopp-Lösungenvon rohem Rohmaterial bis hin zu gebrauchsfertigen Saphirkomponenten.


Häufig gestellte Fragen


1Was ist der Unterschied zwischen einem rohen Wafer und einem fertigen Wafer?


Eine Rohwaferleere ist unpoliert und behält ihre Schnittrauschheit; fertige Wafer werden präzise geschliffen und CMP-poliert.


2- Kann man das Leerbild anpassen?


Ja, Größe, Ausrichtung, Dicke und Oberflächenverhältnisse können angepasst werden.


3Ist Saphir für Infrarotfenster geeignet?


Ja, es hat eine hohe Durchlässigkeit von UV bis mittlere Infrarot (0,15-5,5 μm).


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