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Einzelheiten zu den Produkten

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keramisches Substrat
Created with Pixso. SiC-Keramik-Tray für LED-Wafer-Epitaxy- und ICP-Etschverfahren

SiC-Keramik-Tray für LED-Wafer-Epitaxy- und ICP-Etschverfahren

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Shanghai, China
Material:
Hochreines Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit:
99,9%
Dichte:
3,0–3,2 g/cm³
Poissons Verhältnis:
0,15–0,21
Frakturschärfe:
2–4 MPa·m^1/2
Vickers Härte:
21–28 GPa
Biegefestigkeit:
400–600 MPa
Druckfestigkeit:
MPa 2200
Elastizitätsmodul:
400–450 GPa
Wärmeausdehnung (20–1000 °C):
4–4,6×10^-6/K
Wärmeleitfähigkeit:
100–230 W/m·K
Maximale Betriebstemperatur:
1300–1650°C
Elektrischer Widerstand:
1–4×10^5 Ω·cm
Hervorheben:

SiC-Keramik-Wafer-Tablett

,

LED-Epitaxy-Keramik-Substrat

,

ICP-Etsch-Keramikfach

Produkt-Beschreibung

SiC-Keramik-Tray für LED-Wafer-Epitaxy- und ICP-Etschverfahren


Produktübersicht


Das SiC Ceramic Tray ist eine leistungsstarke Lösung, die für die Unterstützung von Halbleiterwafern und anderen Materialien in hochtemperaturen und chemisch aggressiven Umgebungen entwickelt wurde.Bekannt für seine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, überlegene thermische Stabilität und mechanische Festigkeit, bietet das SiC-Tray eine gleichbleibende Leistung und eine zuverlässige Unterstützung für kritische Prozesse wie Epitaxie, Diffusion, Oxidation,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.


SiC-Träger sind in Branchen wie der Halbleiterherstellung, der fortschrittlichen Keramik, der chemischen Verarbeitung, der Elektronik, der Optik, der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der Herstellung von Medizinprodukten unerlässlich.


Spezifikationen


Eigentum Wert
Material hochreines Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit 990,9%
Farbe Schwarz
Dichte 3.0·3,2 g/cm3
Poisson-Verhältnis 0.15 ̊0.21
Bruchfestigkeit 2·4 MPa·m^1/2
Vickers-Härte 21° 28° GPa
Flexuralstärke 400 ∼ 600 MPa
Druckfestigkeit 2200 MPa
Elastizationsmodul 400-450 GPa
Thermische Ausdehnung (20~1000°C) 4'4,6 × 10^-6/K
Wärmeleitfähigkeit 100 ‰ 230 W/m·K
Höchstbetriebstemperatur 1300°C bis 1650°C
Elektrische Widerstandsfähigkeit 1×4 × 10^5 Ω·cm
Aussehen Glatte, gleichmäßige, schwarze Tabelle mit geringer Porosität




Haupteigenschaften von SiC-Keramik-Trägern


    • Hohe thermische Stabilität: Beibehalten die Leistung bei extremen Temperaturen, so dass sie ideal für Hochtemperaturprozesse wie Sintern und Halbleiterfertigung geeignet sind.

    • Außergewöhnliche mechanische Festigkeit: Hohe Härte und ausgezeichnete Tragfähigkeit verhindern Verformungen oder Risse unter Belastung.

    • Überlegene chemische Beständigkeit: Widerstandsfähig gegen starke Säuren, Alkalien und andere ätzende Chemikalien, so dass sie in rauen Umgebungen zuverlässig ist.

    • Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Effiziente Wärmeübertragung ermöglicht eine gleichmäßige Temperaturverteilung und optimiert die Prozesssteuerung.

    • Niedrige thermische Expansion: Beibehält die Dimensionsstabilität während des thermischen Zyklus und verringert so das Risiko von Verformungen.

    • Elektrische Isolierung: Bietet eine zuverlässige Isolierung und eignet sich somit für elektronische Anwendungen.

    • CVD-Beschichtungsoptionen: Verfügbar, um die Verschleißfestigkeit zu erhöhen und einen zusätzlichen Schutz vor thermischem Schock zu bieten.

    • Anpassbare Größen und Formen: zugeschnitten, um spezifische Prozessanforderungen für verschiedene industrielle Anwendungen zu erfüllen.


Anwendungen von SiC-Keramik-Trägern


    • Herstellung von Halbleitern: Wesentlich für die Unterstützung von LED- und Waferchips bei Prozessen wie Epitaxie, Diffusion und Oxidation.

    • Hochtemperatursinterierung: Bietet eine stabile Unterstützung für Keramik und Metalle bei Sinterprozessen bei erhöhten Temperaturen.

    • Chemische Verarbeitung: Sicherer Umgang mit aggressiven Chemikalien in Industrie- und Laborumgebungen.

    • Elektronik und Optik: Für Substrate und optische Komponenten, die eine präzise thermische Steuerung erfordern.

    • Luft- und Raumfahrt: Leichtgewichtige, aber robuste Trays sind ideal für Bauteile, die eine überlegene thermische Steuerung und Korrosionsbeständigkeit erfordern.

    • Herstellung von Medizinprodukten: Perfekt für Tablettenträger, die chemikalienbeständig und sterilisierbar sein müssen.

    • Batterienproduktion und Solarindustrie: Unterstützt Hochtemperaturprozesse, die für Lithium-Ionen-Batterien und Photovoltaikzellen von entscheidender Bedeutung sind.

    • Laboratorium und FuE: geeignet für Versuche mit hoher Hitze oder der Exposition gegenüber ätzenden Stoffen.

    • Pulvermetallurgie und Glas-/Keramikindustrie: Sorgt für eine einheitliche Heizung und eine zuverlässige Prozesssteuerung in der Hochtemperaturherstellung.


Vorteile vonSiC-Keramik-Träger


    • Hohe Reinheit und chemische Trägheit: Minimiert das Risiko einer Kontamination, ideal für Präzisionsanwendungen.

    • Stabilität unter extremen Bedingungen: Beibehält mechanische Festigkeit und Integrität auch in rauen Umgebungen.

    • Außergewöhnliche Verschleißfestigkeit: für den langfristigen Gebrauch ausgelegt, bietet Langlebigkeit und reduziert den Bedarf an häufigen Austausch.

    • Leicht und langlebig: Einfach zu handhaben, ohne dabei auf Stärke und Leistung zu verzichten.

    • Vielseitig für verschiedene Branchen: Anpassungsfähig für eine Vielzahl von Anwendungen, von der hochtechnologischen Fertigung bis hin zur Forschung und Entwicklung.


Zusammenfassung


ZMSH SiC Keramik-Trays bieten eine Kombination aus thermischer, chemischer und mechanischer Exzellenz, was sie zu einer unverzichtbaren Komponente in fortschrittlichen Fertigungsprozessen macht.Korrosionsbeständigkeit, und thermische Stabilität sorgen für Zuverlässigkeit in Branchen wie Halbleiterproduktion, Luft- und Raumfahrt, Medizinprodukte und mehr.Bereitstellung dauerhafter Lösungen in anspruchsvollen Umgebungen.


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