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keramisches Substrat
Created with Pixso. Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T
Einzelheiten
Herkunftsort:
Shanghai, China
Material:
Hochreines Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit:
99,9%
Farbe:
Schwarz
Dichte:
3,0–3,2 g/cm³
Poissons Verhältnis:
0,15–0,21
Frakturschärfe:
2–4 MPa·m^1/2
Vickers Härte:
21–28 GPa
Biegefestigkeit:
400–600 MPa
Druckfestigkeit:
MPa 2200
Elastizitätsmodul:
400–450 GPa
Wärmeausdehnung (20–1000 °C):
4–4,6×10^-6/K
Wärmeleitfähigkeit:
100–230 W/m·K
Maximale Betriebstemperatur:
1300–1650°C
Elektrischer Widerstand:
1–4×10^5 Ω·cm
Hervorheben:

Silikonkarbid-Keramik-Wafer-Tablett

,

mit einem Gehalt an Kohlenwasserstoffen von mehr als 10 GHT

,

Keramikfach für die Bearbeitung von Wafern

Produkt-Beschreibung

Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern


Produktübersicht


Das Silicon Carbide (SiC) Ceramic Tray ist ein leistungsstarkes Tray, das zur Unterstützung von Halbleiterwafern und anderen Materialien in hochtemperaturen und chemisch aggressiven Umgebungen entwickelt wurde.Bekannt für seine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, hohe thermische Stabilität und mechanische Festigkeit, sorgt das SiC-Tray für eine gleichbleibende Leistung und eine zuverlässige Unterstützung für kritische Prozesse wie Epitaxie, Diffusion, Oxidation,mit einer Breite von mehr als 20 mm,.


SiC-Träger werden in der Halbleiterherstellung, in der Fertigung von fortschrittlichen Keramikprodukten, in der chemischen Verarbeitung, in der Elektronik, in der Optik, in der Luft- und Raumfahrt, im Automobilbau und in der Herstellung von Medizinprodukten eingesetzt.


Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern 0Keramisches Tray aus Siliziumkarbid zur Verarbeitung von Halbleiterwafern 1


Spezifikationen



Eigentum Wert
Material hochreines Siliziumkarbid (SiC)
Reinheit 990,9%
Farbe Schwarz
Dichte 3.0·3,2 g/cm3
Poisson-Verhältnis 0.15 ̊0.21
Bruchfestigkeit 2·4 MPa·m^1/2
Vickers-Härte 21° 28° GPa
Flexuralstärke 400 ∼ 600 MPa
Druckfestigkeit 2200 MPa
Elastizationsmodul 400-450 GPa
Thermische Ausdehnung (20~1000°C) 4'4,6 × 10^-6/K
Wärmeleitfähigkeit 100 ‰ 230 W/m·K
Höchstbetriebstemperatur 1300°C bis 1650°C
Elektrische Widerstandsfähigkeit 1×4 × 10^5 Ω·cm
Aussehen Glatte, gleichmäßige, schwarze Tabelle mit geringer Porosität



Herstellungsmethoden:Druckloses Sintern, Heißpressen, CVD-Beschichtung, Reaktionsgebunden.


Wesentliche Merkmale


  1. Hohe thermische Stabilität: Beibehalten von Leistung bei extremen Temperaturen, geeignet für Sintern und Halbleiterverarbeitung.

  2. Mechanische Festigkeit: Hohe Härte und Tragfähigkeit verhindern Verformungen oder Risse.

  3. Chemikalienbeständigkeit: Sie widersteht starken Säuren, Alkalien und korrosiven Chemikalien.

  4. Wärmeleitfähigkeit: effiziente Wärmeübertragung bei gleichmäßigen Verarbeitungstemperaturen.

  5. Niedrige thermische Ausdehnung: Gewährleistet die Stabilität der Abmessungen bei thermischem Zyklus.

  6. Elektrische Isolierung: Bietet eine zuverlässige Isolierung für elektronische Anwendungen.

  7. CVD-Beschichtungsmöglichkeiten: Erhältlich für eine verbesserte Verschleißfestigkeit und thermischen Stoßschutz.

  8. Anpassbare Größen und Formen: Unterstützt spezifische Prozessanforderungen.


Anwendungen


  • Halbleiterherstellung:Unterstützt LED- und Waferchips bei Epitaxie-, Diffusions- und Oxidationsprozessen.

  • mit einer Breite von mehr als 20 mm,Bietet eine stabile Unterstützung für Keramik und Metalle beim Sintern.

  • Chemische Verarbeitung:Handhabung aggressiver Chemikalien in Industrie- oder Laborumgebungen.

  • Elektronik und Optik:Unterstützt Substrate und optische Komponenten, die eine präzise thermische Steuerung erfordern.

  • Luft- und Raumfahrt:Leichtgewichtige, robuste Trays für Bauteile, die eine thermische Steuerung und Korrosionsbeständigkeit benötigen.

  • Herstellung von Medizinprodukten:Geeignet für chemikalienresistente und sterilisierbare Tabellen.

  • Batterienproduktion und Solarindustrie:Unterstützt Hochtemperaturprozesse für Lithium-Ionen-Batterien und Photovoltaikzellen.

  • Laboratorium und FuE:Ideal für Experimente mit hoher Hitze oder korrosiven Materialien.

  • Pulvermetallurgie und Glas- und Keramikindustrie:Gewährleistet einheitliche Heizung und zuverlässige Prozesssteuerung.


Vorteile


  • Hohe Reinheit und chemische Trägheit verringern das Kontaminationsrisiko.

  • Stabile mechanische Eigenschaften unter extremen Bedingungen.

  • Ausgezeichnete Verschleißbeständigkeit für den langfristigen Gebrauch.

  • Leichtgewichtig, aber langlebig für eine einfache Handhabung.

  • Vielseitig für verschiedene industrielle Anwendungen.


Verpackung



Alle Keramikfächer aus Siliziumkarbid sind sorgfältig verpackt, um Schäden während der Lagerung und des Transports zu minimieren, um sicherzustellen, dass die Produkte in pristinem Zustand ankommen.


Häufig gestellte Fragen



1 Können SiC-Keramikfächer bei der Herstellung von Halbleitern extremen Temperaturen standhalten?


Ja, SiC-Keramik-Träger sind so konzipiert, dass sie kontinuierlichen Betriebstemperaturen von bis zu 1650°C standhalten, was sie ideal für Hochtemperaturprozesse wie Epitaxie, Diffusion,und Oxidation bei der Herstellung von Halbleitern und LED.


2 Wie beständig sind SiC-Träger gegen Korrosion und Chemikalien?


SiC-Treys bieten eine hervorragende chemische Beständigkeit gegen starke Säuren, Alkalien, Plasma und andere ätzende Umgebungen, was sie für die Verwendung in der Halbleiterverarbeitung sehr zuverlässig macht.chemische Reaktionsgefäße, und andere raue Industrieumgebungen, in denen die Materialintegrität von entscheidender Bedeutung ist.


3 Können SiC-Träger in Größe, Form und Beschichtung angepasst werden?


Ja, SiC-Keramik-Träger können individuell angepasst werden, um spezifische Anforderungen zu erfüllen, einschließlich Abmessungen, Dicke und Oberflächenveredelung.Wir bieten CVD-Beschichtungen für eine verbesserte Verschleißfestigkeit und eine verbesserte Wärmeschlagfestigkeit an, abhängig von Ihren Anforderungen.


Zusammenfassung



ZMSH Silicon Carbide Ceramic Trays kombinieren thermische, chemische und mechanische Exzellenz, um eine zuverlässige Plattform für Halbleiterwafer und fortschrittliche Fertigungsprozesse zu bieten.Ihre hohe Präzision, Korrosionsbeständigkeit und thermische Stabilität machen sie zu wesentlichen Komponenten in modernen Hightech-Industrien.



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