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Quadratischer Saphir Substrat 10×10×1mm, C-Ebene, DSP, hochreines Einkristall Al₂O₃

Markenbezeichnung:	ZMSH
MOQ:	10
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai

Material:

Hochreines >99,99 %, einkristallines Al₂O₃

Dimension:

10 × 10 mm

Dicke:

1 mm (andere Stärken auf Anfrage möglich)

Orientierung:

C-Ebene (0001) zu M (1-100) 0,2° ± 0,1° abweichend

Gitter-Parameter:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Dichte:

30,98 g/cm3

Wärmeleitkoeffizient:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-Achse), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-Achse)

Dielektrische Stärke:

4,8×10⁵ V/cm

Dielektrizitätskonstante:

11,5 (‖C-Achse), 9,3 (⊥C-Achse) bei 1 MHz

Tangente des dielektrischen Verlustes:

< 1×10⁻⁴

Wärmeleitfähigkeit:

40 W/(m·K) bei 20°C

Hervorheben:

C-Fläche Sapphire Substrate

Einzelkristall Saphir Substrat

Quadratischer Saphir Substrat

Produkt-Beschreibung

Saphir-Substrat (DSP)Übersicht

Das doppelseitig polierte Saphir-Substrat (DSP) wird aus hochreinem (>99,99 %) Einkristall-Aluminiumoxid (Al₂O₃) hergestellt. Mit beidseitiger Präzisionspolitur auf atomare Glätte (Ra < 0,3 nm) bietet dieses Material ausgezeichnete optische Transparenz, mechanische Festigkeit und thermische Stabilität. Es wird häufig in optischen Fenstern, Laserkomponenten, Halbleiterepitaxie und wissenschaftlichen Forschungsanwendungen eingesetzt.

Saphir-Substrat (DSP)Wichtige Spezifikationen

Parameter	Spezifikation
Material	Hochrein >99,99 %, Einkristall Al₂O₃
Abmessung	10 × 10 mm
Dicke	1 mm (andere Dicken auf Anfrage erhältlich)
Orientierung	C-Ebene (0001) bis M (1-100) 0,2° ± 0,1° versetzt
Gitterparameter	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Dichte	3,98 g/cm³
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,66 × 10⁻⁶ /°C (\|\|C-Achse), 5 × 10⁻⁶ /°C (⊥C-Achse)
Dielektrische Festigkeit	4,8 × 10⁵ V/cm
Dielektrizitätskonstante	11,5 (\|\|C-Achse), 9,3 (⊥C-Achse) @ 1 MHz
Dielektrischer Verlustfaktor	< 1 × 10⁻⁴
Wärmeleitfähigkeit	40 W/(m·K) bei 20 °C
Oberflächenqualität	Doppelseitig poliert (DSP), Ra < 0,3 nm (AFM) auf beiden Seiten
Ebenheit	≤ λ/10 @ 633 nm (typisch)
Parallelität	< 10 Bogensekunden

Saphir-Substrat (DSP)Merkmale & Vorteile

Doppelseitige optische Politur für ausgezeichnete Ebenheit und Parallelität
Hohe Transparenz von UV- bis IR-Bereichen
Überlegene Härte (Mohs 9) und Kratzfestigkeit
Hervorragende thermische und chemische Stabilität
Ausgezeichnete dielektrische und isolierende Leistung
Kundenspezifische Größen und Orientierungen auf Anfrage erhältlich

Saphir-Substrat (DSP)Anwendungen

Optische Fenster und Schutzabdeckungen
Infrarot- und UV-Spektroskopie
Laseroptik und Photonik-Komponenten
GaN/AlN-Epitaxie-Substrat
Hochleistungs- und HF-Elektronikgeräte
Forschungslabore und Halbleiterprüfung

Umbauten:

kundenspezifisches Saphirglas

Saphirsubstrat

Saphiroptik

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