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Einkristall-quadratisches Saphirsubstrat (C-Ebene, SSP) 10x10 mm einseitig poliert

Markenbezeichnung:	ZMSH
MOQ:	10
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

Shanghai

Material:

Hochreines >99,99 %, einkristallines Al₂O₃

Dimension:

10 × 10 mm

Dicke:

1 mm (andere Stärken auf Anfrage möglich)

Orientierung:

C-Ebene (0001) zu M (1-100) 0,2° ± 0,1° abweichend

Gitter-Parameter:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Dichte:

30,98 g/cm3

Wärmeleitkoeffizient:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖C-Achse), 5×10⁻⁶ /°C (⊥C-Achse)

Dielektrische Stärke:

4,8×10⁵ V/cm

Dielektrizitätskonstante:

11,5 (‖C-Achse), 9,3 (⊥C-Achse) bei 1 MHz

Tangente des dielektrischen Verlustes:

< 1×10⁻⁴

Wärmeleitfähigkeit:

40 W/(m·K) bei 20°C

Polieren:

Einseitig poliert (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); Rückseite feingeschliffen Ra = 0,8–1,2 μm

Hervorheben:

SSP Saphirsubstrat

Einkristall-quadratisches Saphirsubstrat

C-Ebenen-Saphirsubstrat

Produkt-Beschreibung

Einkristall-Quadrat-Saphir-Substrat (C-Ebene, SSP) 10x10 mm Einseitig Poliert

Quadrat-Saphir-Substrat (SSP) Produktbeschreibung

Das quadratische Saphir-Substrat (SSP) besteht aus hochreinem (>99,99 %) Einkristall-Al₂O₃ und bietet ausgezeichnete mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und optische Transparenz. Mit C-Ebenen-Orientierung (0001) und einseitig polierter (SSP) Oberfläche ist es ideal für Epitaxie, die Herstellung von GaN-basierten LEDs, optische Komponenten und Hochtemperatur- oder Vakuumanwendungen.

Quadrat-Saphir-Substrat (SSP) - Hauptspezifikationen

Parameter	Spezifikation
Material	Hochrein >99,99 %, Einkristall Al₂O₃
Abmessung	10 × 10 mm
Dicke	1 mm (andere Dicken auf Anfrage erhältlich)
Orientierung	C-Ebene (0001) bis M (1-100) 0,2° ± 0,1° Off
Gitterparameter	a = 4,785 Å, c = 12,991 Å
Dichte	3,98 g/cm³
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,66 × 10⁻⁶ /°C (\|\|C-Achse), 5 × 10⁻⁶ /°C (⊥C-Achse)
Dielektrische Festigkeit	4,8 × 10⁵ V/cm
Dielektrizitätskonstante	11,5 (\|\|C-Achse), 9,3 (⊥C-Achse) @ 1 MHz
Dielektrischer Verlustfaktor	< 1 × 10⁻⁴
Wärmeleitfähigkeit	40 W/(m·K) bei 20 °C
Polieren	Einseitig poliert (SSP), Ra< 0,3 nm (AFM); Rückseite feingeschliffen Ra = 0,8–1,2 µm

Quadrat-Saphir-Substrat (SSP) Merkmale & Vorteile

Außergewöhnliche chemische und thermische Stabilität
Hohe optische Transparenz und Oberflächenebenheit
Geringer dielektrischer Verlust und hohe Wärmeleitfähigkeit
Hervorragende mechanische Härte und Kratzfestigkeit
Erhältlich in kundenspezifischen Größen, Orientierungen und Dicken

Quadrat-Saphir-Substrat (SSP) Anwendungen

GaN- und AlN-Epitaxie
Herstellung von LEDs und Laserdioden
Optische und Infrarot-Fenster
Hochleistungs-HF- und Mikrowellengeräte
Forschung und Halbleitertests

Umbauten:

kundenspezifisches Saphirglas

Saphirsubstrat

Saphiroptik

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