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Ionenstrahlätzmaschine für Si/SiO2/Metallmaterialien

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	Ionenstrahl -Ätzmaschine
MOQ:	3
Preis:	by case
Lieferzeit:	3-6 Monate
Zahlungsbedingungen:	T/t

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

rohs

Arbeitsmaterial:

Au (Gold), Pt (Platin), Cu (Kupfer)

Anwendungen:

Semiconductor Manufacturing, optische Geräte

Vorteil:

Hohe Präzision, nicht selektive Ätzen

Präzision:

10 Nanometer oder weniger

Ätzmaterial:

Si/SiO2/Metalle

Verpackung Informationen:

Packung im Reinigungsraum von 100 Grad

Hervorheben:

Si/SiO2 Ionenstrahlätzmaschine

Ätzanlage für Metallmaterialien

Halbleiter-Ionenstrahlätzer

Produkt-Beschreibung

Einführung in Ion Beam Ätzanlagen

Ion Beam Ätzmaschine für Si/SiO2/Metall Materialien

Ionenstrahlätzen, auch bekannt als Ionenstrahlfräsen, ist eine nicht-selektive und anisotrope Trockenätztechnologie. Ihr Kernprinzip beinhaltet die Verwendung eines breiten, kollimierten Hochenergie-Ionenstrahls, der von einer Ionenquelle erzeugt wird, um die Werkstückoberfläche in einer Vakuumumgebung zu bombardieren und dadurch Material durch physikalisches Sputtern zu entfernen. Im Gegensatz zum Plasmaätzen ist die Probe nicht direkt dem Plasma ausgesetzt, wodurch elektrische Schäden und Kontaminationen durch das Plasma vermieden werden und eine bessere Prozesskontrolle ermöglicht wird.

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Zusammenfassung und Analyse der wichtigsten Subsysteme in Ionenstrahlätzsystemen

Ein Ionenstrahlätzsystem besteht typischerweise aus den folgenden wichtigen Subsystemen:

Subsystem	Kernfunktion	Wichtige technische Punkte und Auswirkungen
Vakuumsystem	Bereitstellung einer Hochvakuumumgebung	Bestimmt die Prozessreinheit, die Strahlstabilität und die ultimative Präzision.
Ionenquelle	Erzeugung und Extraktion des Ionenstrahls	Bestimmt die Ätzrate, Gleichmäßigkeit, verfügbare Gastypen und die Zuverlässigkeit der Ausrüstung (HF-Quelle vs. Kaufman-Quelle).
Probentisch	Sichern und Manipulieren von Proben	Die Rotationsfunktion ist der Schlüssel zur Erzielung von anisotropem Ätzen; Temperaturkontrolle beeinflusst das Prozessfenster.
Steuerungssystem	Vollautomatisierte Prozesskontrolle	Gewährleistet die Wiederholbarkeit und Präzision des Prozesses; Endpunkterkennung verbessert die Prozessfähigkeit.
Neutralisator	Neutralisierung der Ionenstrahlladung	Verhindert Ladungsschäden an isolierenden Materialien; unerlässlich für das Ätzen von dielektrischen Materialien.

Grundprinzipien des Ionenstrahlätzens

Ionenstrahlätzen (IBE) ist eine fortschrittliche Mikro-/Nanofabrikationstechnologie, die einen Hochenergie-Ionenstrahl verwendet, um Material von der Oberfläche zu entfernen und eine präzise Musterübertragung zu ermöglichen.

Das Prinzip des Ionenstrahlätzens beinhaltet einen Hochenergie-Ionenstrahl (typischerweise Argonionen), der von einer Ionenquelle erzeugt wird und die Materialoberfläche vertikal oder in einem schrägen Winkel bombardiert. Die Hochenergieionen kollidieren mit Atomen auf der Materialoberfläche, wodurch Atome herausgeschleudert werden und Material Schicht für Schicht entfernt wird, wodurch das Ätzen erreicht wird. Diese Ätzmethode kann ohne chemische Reaktionen durchgeführt werden und gehört zu einem physikalischen Ätzprozess.

Strukturschema der Ionenstrahlätzanlage

Verarbeitungsfähigkeiten:

Materialien: Au (Gold), Pt (Platin), Cu (Kupfer), Ta (Tantal), AlN (Aluminiumnitrid), Si (Silizium), SiO₂ (Siliziumdioxid) und andere Dünnschichtmaterialien.

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Prozessablauf:

Vorbereitung: Platzieren Sie die zu ätzende Probe in einer Vakuumkammer und reinigen Sie die Oberfläche.
Maskenvorbereitung: Bedecken Sie die zu ätzenden Bereiche mit einer Maske (z. B. Fotolack oder Metalldünnschicht), um die nicht geätzten Bereiche zu schützen.
Ionenstrahlerzeugung: Aktivieren Sie die Ionenquelle, um einen Hochenergie-Ionenstrahl zu erzeugen, typischerweise unter Verwendung von Argongas.
Ätzprozess: Steuern Sie die Energie, den Winkel und die Belichtungszeit des Ionenstrahls, um die Probe zu ätzen.
Maskenentfernung: Nach Abschluss des Ätzens entfernen Sie die Schutzmaske, um die endgültige strukturierte Struktur zu erhalten.

Schematische Darstellung des Ionenstrahlätzprozesses

Anwendungsszenarien für Ionenstrahlätzanlagen

1. Halbleiterherstellung: Wird zur Erstellung feiner Schaltkreise und Muster in der Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet.

2. Optische Geräte: Wird in der Präzisionsbearbeitung optischer Komponenten angewendet, z. B. Oberflächenbehandlung von Gittern und Linsen.

3. Nanotechnologie: Herstellung von Nanostrukturen und -geräten, wie z. B. Nanoporen und Nanodrähten.

4. Materialwissenschaft: Wird zur Untersuchung der physikalischen und chemischen Eigenschaften von Materialoberflächen und zur Herstellung von Funktionsoberflächenmaterialien verwendet.

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Vorteile von Ionenstrahlätzanlagen

1. Vorteile:

Hohe Präzision:Ermöglicht hochpräzises Ätzen im Nanomaßstab.

Nicht-selektives Ätzen:Fähig, verschiedene Materialien gleichmäßig ohne chemische Selektivität zu ätzen.

Glatte Oberfläche:Führt zu einer glatten Oberfläche nach dem Ätzen mit reduzierter Rauheit.

Isotropes und anisotropes Ätzen:Ermöglicht das Ätzen in verschiedenen Richtungen durch Steuerung des Ionenstrahlwinkels.

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Fallstudie zum Ionenstrahlätzen (IBE)

2. Materialien, die geätzt werden können:

Metalle:Gold, Silber, Kupfer, Aluminium usw.
Halbleitermaterialien:Silizium (Si), Galliumarsenid (GaAs) usw.
Isoliermaterialien:Siliziumoxid (SiO₂), Siliziumnitrid (Si₃N₄) usw.
Andere Materialien:Polymere, Keramiken usw.

3. Ätzpräzision:

Die Präzision des Ionenstrahlätzens hängt hauptsächlich von der Fokussierungsfähigkeit des Ionenstrahls, der Auflösung der Maske und der Steuerung der Ätzzeit ab. Sie erreicht typischerweise eine Präzision von 10 Nanometern oder sogar höher, abhängig von den spezifischen Prozessparametern und den Gerätebedingungen.

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IonenstrahlätzanlagenFAQ

1. F: Was ist Ionenstrahlätzen?
A: Ionenstrahlätzen (IBE) ist ein Trockenätzverfahren, das Material durch physikalisches Sputtern der Zieloberfläche mit einem breiten, kollimierten Strahl von Hochenergieionen in einem Hochvakuum entfernt.

2. F: Was ist der Unterschied zwischen Ionenstrahlätzen und reaktivem Ionenätzen?
A: Der Hauptunterschied besteht darin, dass IBE ein rein physikalischer Prozess ist, bei dem die Probe von der Ionenquelle getrennt ist, während RIE sowohl physikalische Ionenbombardierung als auch chemische Reaktionen mit der Probe direkt im Plasma kombiniert.

Tag: #Ionenstrahlätzmaschine, #Customized, #Si/SiO2/Metall Materialien

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

GaAs-Oblate

Indium-Phosphid-Oblate

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