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Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

Markenbezeichnung:	ZMSH
Modellnummer:	High-Precision Single-Side Polishing Equipment
MOQ:	3
Preis:	by case
Lieferzeit:	3-6 months
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Place of Origin:

CHINA

Zertifizierung:

rohs

Ability:

50mm/100mm/150mm/200mm

Power voltage:

3×16+2*10 (㎜²)

Compressed air source:

0.5-0.6MPa

Optimum Machining Size:

50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)

Materials:

Si Wafers/SiC/Sapphire

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Hervorheben:

Einseitige Polieranlagen für Si-Wafer

SiC-Waferpoliermaschine

Ausrüstung zum Polieren von Saphirmaterial

Produkt-Beschreibung

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung Zusammenfassung

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphir-Materialien

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung ist ein spezialisiertes Präzisionsbearbeitungswerkzeug, das für harte und spröde Materialien (z. B. Halbleiter-Siliziumwafer, Siliziumkarbid, Galliumarsenid, Saphir, Quarz, Keramik) entwickelt wurde. Durch unidirektionales Rotationsschleifen und chemische Synergie wird eine ultrahohe Oberflächenveredelung mit einer Ebenheit von ≤0,01 mm und einer Oberflächenrauheit Ra ≤0,4 nm erreicht. Diese Ausrüstung wird häufig beim Ausdünnen von Halbleiterwafern, beim Polieren von optischen Linsen, bei der Verarbeitung von Keramikdichtungskomponenten eingesetzt und unterstützt sowohl die Einzelstück- als auch die Chargenverarbeitung, wodurch die Effizienz und Konsistenz erheblich verbessert werden.

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien 0

Technische Parameter der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Kategorien	Artikel
Polierscheibe	Durchmesser	820 (mm)	914 (mm)	1282 (mm)	1504 (mm)
Keramikplatten	Durchmesser	305 (mm)	360 (mm)	485 (mm)	576 (mm)
	Optimale Bearbeitungsgröße	50-100 (mm)	50-150 (mm)	150-200 (mm)	200 (mm)
Leistung	Polierscheibe	11	11	18,5	30
	Poliermittel	/	0,75×4	2,2×4	2,2
Drehzahl	Polierscheibe	80	65	65	50
	Poliermittel	/	65	65	50
Fähigkeit	50 mm	72	/	/	/
	100 mm	20	28	56	/
	150 mm	/	12	24	/
	200 mm	/	4	12	20
Spannung	3×16+2*10 (㎜²)
Druckluftquelle	0,5-0,6 MPa
Größe	/	1920×1125×1680 (mm)	1360×1330×2798 (mm)	2234×1780×2759 (mm)	1900×1900×2700 (mm)
Gewicht	/	2000 kg	3500 kg	7500 kg	11826 kg

Funktionsweise der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

1. Mechanisches Schleifen:

Die obere Polierscheibe dreht sich mit 0–90 U/min (einstellbar) und poliert in Kombination mit Schleifmitteln (Diamant, Siliziumkarbid) die Werkstückoberfläche durch Reibung, wodurch Oxidschichten und Mikrodefekte entfernt werden.

2. Druckregelung:

Elektropneumatische Proportionalventile und Zylinder ermöglichen eine präzise Druckeinstellung (15–1500 kg) und passen sich so an unterschiedliche Materialhärten an.

3. Kühlung & Schmierung:

Ein rezirkulierendes Kühlwassersystem (0,1–0,2 MPa) hält eine konstante Temperatur (10–25°C) aufrecht, um thermische Verformungen zu unterdrücken, während es Poliersuspension zur verbesserten Materialabtragung liefert.

4. Bewegungssteuerung:

Ein Frequenzumrichter treibt die Drehung der unteren Scheibe an. SPS und HMI ermöglichen die Regelung von Geschwindigkeit, Druck und Zeitparametern im geschlossenen Regelkreis mit voreingestellten Prozessrezepten und One-Click-Umschaltung.

Merkmale der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Merkmalskategorie

Technische Details

Hochsteifer Rahmen

Integrierte Guss-Schmiede-Struktur, 50 % höhere Verformungsbeständigkeit; Vierpunkt-Hydraulikstützsystem gewährleistet Vibrationen <0,01 mm bei hohen Geschwindigkeiten.

Internationale Komponenten

Kernteile (z. B. Getriebe, Lager) verwenden Germany SEW, Japan THK, Switzerland SKF und erreichen <0,005 mm Übertragungsgenauigkeit; Siemens SPS + Schneider-Umrichter für stufenlose Drehzahlregelung von 0–180 U/min.

Intelligente Schnittstelle

10-Zoll-Industrie-Touchscreen unterstützt voreingestellte Rezepte (Grobpolieren, Feinpolieren, Scheibenreparatur), Echtzeitüberwachung (Druck/Temperatur/Geschwindigkeit) und automatische Abschaltalarme (Fehlerrate <0,05 %).

Flexible Konfiguration

Polierscheibengrößen von φ300 mm bis φ1900 mm, für Werkstücke von 3–1850 mm; Leistungsoptionen von einem einzelnen Motor (7,5 kW) bis zu mehreren Motoren (insgesamt 30 kW), unterstützt Vakuumansaugung und mechanische Klemmung.

Anwendungen der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien 3

1. Halbleiterindustrie:

Wafer-Ausdünnung: Siliziumkarbid-Wafer-Ausdünnung mit ±0,5 μm Dickentoleranz für 8-Zoll-Wafer.
Galliumarsenid/Blau-Saphir-Polieren: Oberflächenrauheit Ra <0,4 nm für LEDs und Lasergeräte.

2. Optik & Präzisionsgeräte:

Optische Gläser/Quarzlinsen: Spiegelähnliche Oberfläche (λ/20 für λ=632,8 nm) für Kameralinsen und Mikroskopobjektive.
Keramikdichtungsringe: Ebenheit <0,035 mm für Hochdruckhydraulikpumpen und Kernventile.

3. Elektronik & Neue Energie:

Keramiksubstrate/IGBT-Module: Dickenkonsistenz <3 μm zur Verbesserung der Wärmeableitung.
Lithiumbatterie-Elektroden: Rauheit Ra <10 nm zur Reduzierung des Innenwiderstands und der Wärmeentwicklung.

4. Luft- und Raumfahrt & Verteidigung:

Wolframstahl-Lager/Titandichtungen: Parallelität <2 μm für extreme Temperatur-/Druckumgebungen.
Infrarot-Fensterglas: Streuarme Eigenschaften für Teleskope und Lenkflugkörpersysteme.

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Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung FAQ

1. F: Was sind die wichtigsten Vorteile Ihrer hochpräzisen Einseiten-Polierausrüstung?

A: Erreicht Submikron-Präzision mit hoher Effizienz, ideal für Siliziumwafer, SiC und Saphir in der Halbleiterfertigung.

2. F: Welche Halbleitermaterialien kann diese Einseiten-Poliermaschine verarbeiten?

A: Speziell entwickelt für Siliziumwafer, Siliziumkarbid (SiC) und Saphirsubstrate.

Tag: #Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung, #Kundenspezifisch, #Si-Wafer/SiC/Saphir-Materialien

Umbauten:

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Gallium-Nitrid-Oblate

Saphir-Oblate

Sic Substrat

Saphir optisches Windows

IC-Siliziumscheibe

Synthetischer Saphir Rod

Fixierter Quarz-Platte

Saphir-Teile

Synthetischer Edelstein

Halbleiter-Ausrüstung

Oblate LiNbO3

Indium-Phosphid-Oblate

keramisches Substrat

Laborverpackung

GaAs-Oblate

Einzelheiten zu den Produkten

Hochpräzise einseitige Polierausrüstung für Si-Wafer/SiC/Saphirmaterialien

Einseitige Polieranlagen für Si-Wafer

SiC-Waferpoliermaschine

Ausrüstung zum Polieren von Saphirmaterial

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung Zusammenfassung​

Technische Parameter der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Funktionsweise der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung​

Merkmale der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung​

Anwendungen der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung​

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung FAQ

4 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen

8 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen

6 Zoll SiC Ingot wachsenden Ofen

Drahtsägeanlagen für vertikales/horizontales/Mehrdraht-Schneiden für Saphir/Keramik/Marmor-Materialien

Ausrüstung zum Schneiden von Keramiken Ein- oder Mehrdraht-Diamantdrahtschneiden

Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung Zusammenfassung

Funktionsweise der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Merkmale der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung

Anwendungen der Hochpräzisions-Einseiten-Polierausrüstung