4H-N Typ SiC Substrat 10x10mm Wafer für Leistungselektronik

4H-N Typ SiC Substrat 10×10mm Kleine Wafer anpassbare Form und Abmessungen

Die SiC 10×10 kleine Wafer ist ein hochleistungsfähiges Halbleiterprodukt, das auf der Grundlage des Halbleitermaterials Siliziumcarbid (SiC) der dritten Generation entwickelt wurde.Hergestellt unter Verwendung von physikalischen Dampftransporten (PVT) oder chemischen Hochtemperaturdampfdeponierungen (HTCVD), bietet es zwei Polytypoptionen: 4H-SiC oder 6H-SiC. Mit einer Dimensionstoleranz von ±0,05 mm und einer Oberflächenrauheit von Ra < 0,5 nm,Das Produkt ist sowohl in der N- als auch in der P-Doped-Version erhältlich., mit einem Widerstandsbereich von 0,01-100Ω·cm. Jede Wafer wird einer strengen Qualitätsprüfung unterzogen,einschließlich Röntgendiffraktion (XRD) zur Prüfung der Gitterintegrität und optischer Mikroskopie zur Feststellung von Oberflächenfehlern, um die Einhaltung der Qualitätsstandards für Halbleiter zu gewährleisten.

SiC-Substrat 10 × 10 mm Technische Spezifikation

SiC-Substrat 10 × 10 mm Schlüsseltechnische Merkmale

• Außergewöhnliche thermische Behandlung:SiC-Substrat 10×10mm Wärmeleitfähigkeit bis zu 490 W/m·K, dreimal höher als bei Silizium, was die Betriebstemperatur des Geräts erheblich senkt und die Systemzuverlässigkeit verbessert.

• Überlegene elektrische Eigenschaften:SiC-Substrat 10×10mm Aufbruchfeldstärke von 2-4 MV/cm, zehnmal so hoch wie bei Silizium, unterstützt einen höheren Spannungsbetrieb; Elektronsättigungs-Driftgeschwindigkeit erreicht 2×10^7 cm/s,ideal für Hochfrequenzanwendungen.

• Extreme Anpassungsfähigkeit an die Umwelt:SiC-Substrat 10 × 10 mm hält bei Temperaturen bis 600 °C eine stabile Leistung bei einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,0 × 10^-6/K,Sicherstellung der Abmessungsstabilität bei hohen Temperaturen.

• Ausgezeichnete mechanische Leistung:Vickers-Härte von 28-32 GPa, Biegefestigkeit von mehr als 400 MPa und außergewöhnliche Verschleißfestigkeit, SiC-Substrat 10 × 10 mm bietet eine 5-10-mal längere Lebensdauer als herkömmliche Materialien.

• Anpassungsdienste:SiC-Substrat 10 × 10 mm maßgeschneiderte Lösungen zur Verfügung für Kristallorientierung (z. B. 0001, 11-20), Dicke (100-500μm) und Dopingkonzentration (10^15-10^19 cm^-3) basierend auf Kundenanforderungen.

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SiC-Substrat 10 × 10 mm Kernanwendungsbereiche

 

1.Antriebsstränge für Fahrzeuge mit neuer Energie:SiC-Substrat 10 × 10 mm wird in SiC-MOSFETs und Dioden für Automobilindustrie verwendet, wodurch die Invertereffizienz um 3-5% verbessert und die Reichweite von EV verlängert wird.

 

 

2.5G-Kommunikationsinfrastruktur:SiC-Substrat 10×10mm dient als Substrat für HF-Leistungsverstärker (RF PA), unterstützt Anwendungen im Millimeterwellenband (24-39GHz) und senkt den Stromverbrauch der Basisstation um mehr als 20%.

 

 

3.Ausrüstung für intelligente Netze:SiC-Substrat 10 × 10 mm, angewendet in Hochspannungs-Gleichstromsystemen (HGÜ) für Festkörpertransformatoren und Leistungsschalter, um die Leistungseffizienz zu erhöhen.

 

 

4.Industrieautomation:SiC-Substrat 10 × 10 mm ermöglicht Hochleistungsmotoren mit Schaltfrequenzen von mehr als 100 kHz, wodurch die Gerätegröße um 50% reduziert wird.

 

 

5.Luft- und Raumfahrttechnik:SiC-Substrat 10 × 10 mm erfüllt die Zuverlässigkeitsanforderungen für Satelliten-Leistungssysteme und Flugzeugmotorsteuerungssysteme in extremen Umgebungen.

 

 

6.High-End-optoelektronische Geräte:SiC-Substrat 10 × 10 mm ist das ideale Substratmaterial für UV-LEDs, Laserdioden und andere optoelektronische Komponenten.