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4-Zoll C-Plane SSP Saphirwafer für GaN / III-Nitrid-Epitaxie

Markenbezeichnung:	ZMSH
MOQ:	10 Stk
Preis:	Pricing is subject to market fluctuations
Lieferzeit:	2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T

Einzelheiten

Produkt-Beschreibung

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Herkunftsort:

China

Durchmesser:

100 mm/4 Zoll

Dicke:

650 ± 15 Mikrometer

Orientierung:

C-Ebene (0001) ± 0,3°

Bogen:

<15>

Rauheit der Vorderseite:

<0,2 nm

Hitzebeständigkeit:

>1500°C

Verpackung Informationen:

Anpassbar

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Stück/Monat

Hervorheben:

4-Zoll-C-Plattform-SSP-Saphirwafer

SSP-Saphirwafer für die GaN-Epitaxie

III-Nitrid-Epitaxy-Saphirwafer

Produkt-Beschreibung

Produktbeschreibung

4-Zoll C-Plane SSP Saphirwafer für GaN / III-Nitrid-Epitaxie

Übersicht

Wir produzieren 5N (99,999%) Reinheit monokristallines Al₂O₃ für fortschrittliche Halbleiter-, optoelektronische und optische Anwendungen.

Diese Substrate sind einseitig poliert für exzellente Oberflächenglätte (Ra ≤ 0,2 nm). Diese Substrate bieten außergewöhnliche thermische Stabilität (>1500 °C), hohe optische Transmission (~86–89% bei 550 nm) und enge Dickenuniformität (TTV ≤20 µm). Sie sind ideal für LED-Epitaxie, GaN- und III-Nitrid-Halbleiterbauelemente sowie für Hochtemperatur- oder optische Anwendungen.

4-Zoll C-Plane SSP Saphirwafer für GaN / III-Nitrid-Epitaxie 1

Hauptmerkmale

Hochreiner [5N (99,999%) Reinheit] Einkristall-Saphir (Al₂O₃)
C-Plane-Orientierung (0001) mit enger ±0,3°-Toleranz
Einseitig polierte (SSP) Oberfläche, Vorderseite Ra < 0,2 nm
Exzellente Ebenheit und geringe Durchbiegung (<15 µm)
Hohe thermische und chemische Stabilität für raue Umgebungen
Kundenspezifische Achse, Durchmesser und Dicke verfügbar

Spezifikationen

Parameter	Spezifikation
Durchmesser	100 mm ± 0,3 mm (4 Zoll)
Orientierung	C-Plane (0001), ±0,3°
Dicke	650 µm ± 15 µm
Durchbiegung	<15 µm
Vorderseite	Einseitig poliert (Ra < 0,2 nm)
Rauheit der Rückseite	1,0 ± 0,2µm
TTV (Gesamt-Dickenvariation)	≤ 20 µm
LTV (Lokale Dickenvariation)	≤ 20 µm
Verzug	≤ 20 µm
Material	>99,999% hochreines Al₂O₃

Mechanische und thermische Eigenschaften

Mohs-Härte: 9 (nur von Diamant übertroffen)
Wärmeleitfähigkeit: 25 W/m·K
Schmelzpunkt: 2045°C
Geringe Wärmeausdehnung sorgt für Dimensionsstabilität

Anwendungen

Substrat für GaN, AlN und III-V- oder II-VI-Epitaxie
Herstellung von blauen, grünen, weißen und UV-LEDs
Laserdiode (LD)-Substrate
Infrarot (IR) optische Komponenten und Fenster
Hochpräzisionsoptik und Mikroelektronik
Uhrgläser & Smartphone-Abdeckungen

Warum C-Plane Saphir wählen?

Saphirsubstrate sind ideal für hochleistungsfähige optische und elektronische Anwendungen. Saphir bietet außergewöhnliche Härte (Mohs 9), hohe thermische Stabilität bis ca. 1500 °C und ausgezeichnete chemische Beständigkeit, eine perfekte Wahl für anspruchsvolle Umgebungen wie während der MOCVD- und MBE-Kristallwachstumsprozesse. Seine C-Plane-Struktur ist auch relativ kompatibel mit der Kristallstruktur von III-Nitriden, was die epitaktische Ausrichtung und das gleichmäßige Kristallwachstum erleichtert.

Verpackung und Versand

25 Wafer in einer Kassettenbox mit Vakuumbeutel oder kundenspezifischer Methode auf Anfrage

FAQ

F: Was ist der Bereich der optischen Transmission?
A: Transparent von ca. 200 nm (UV) bis ca. 5000 nm (mittleres IR).

F: Ist der Wafer leitfähig?
A: Nein — Saphir ist ein Isolator, ideal zur Vermeidung von Leckströmen in Elektronik.

F: Kann der Wafer angepasst werden?

A: Ja, wir akzeptieren kundenspezifische Durchmesser, Dicken und Achsenorientierungen gemäß den Kundenspezifikationen.

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