Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität

Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität

Technischer Überblick über Waferverdünnungsgeräte

Die Wafer Thinning Equipment ermöglicht das präzise Ausdünnen von 4-12 Zoll brechen Halbleitermaterialien, darunter Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs) und Saphirsubstrate.mit einer Dickenregelungsgenauigkeit von ±1 μm und einer Gesamtdickenvariation (TTV) von ≤2 μm, um die strengen Anforderungen der Fertigung fortgeschrittener Verpackungen und Leistungseinrichtungen zu erfüllen. Waferverdünnungsgeräte durch optimierte Koordinierung der Schleifparameter und Polierprozesse sorgt die Ausrüstung für eine präzise Anpassung an verschiedene Materialeigenschaften,insbesondere die Herausforderungen der Ausdünnung von Breitbandhalbleitern wie SiCDie Waferverdünnungsanlage garantiert eine minimale Dicke und eine geringe Oberflächenrauheit.integriert mit automatisierter Echtzeitdickenüberwachung zur Erhaltung stabiler und zuverlässiger Verarbeitungsleistung.

Spezifikationen für Waferverdünnungsgeräte

Vorteile:

·Reife und stabile Verarbeitungstechnologie
·Hochpräzisionsschleifen mit Spindeln im Einspeisungsbereich mit höherer Bearbeitungsgenauigkeit
·Benutzerfreundliche Bedienung und ergonomische Schnittstelle Mensch-Maschine
·Präzisionssteuerung der Z-Achse über importierte Kugelschrauben, Linearleitungen und hochgenaue Servomotoren (Mindestauflösung: 0,1 μm/s)
·Hohe Steifigkeit Luftlagerspindel in Kombination mit hochpräziser Wafer-Schuck-Anlage und Dickenmessgerät sorgt für Prozessstabilität und Zuverlässigkeit

Funktionen:

·Aufzeichnung des Betriebstages
·Kompatibilität mit 4"-12" Wafermaterial
·Echtzeit-Hochpräzisionsmessung der Kontaktdicke
·Spindelwasserkühlsystem
·Voll-Automatik-/Halb-Automatikbetriebsmodus

WaferverdünnungsgeräteFoto

                  

Anwendungen

· Herstellung von Silizium-basierten Stromgeräten: Waferverdünnungsgeräte ermöglichen Waferverdünnungsverfahren für DSC und andere Silizium-Stromgeräte;

• Verpackung von Halbleitergeräten: Die Waferverdünnungsgeräte unterstützen die Verdünnung von GaAs/GaN-basierten Komponenten auf Substratebene.

· Verarbeitung von Siliziumkarbidgeräten: Wafer-Verdünnungsgeräte liefern eine präzise Verdünnung von SiC-Blöcken/Wafern für die Anforderungen von Leistungsmodulen;

BearbeitungswirkungWaferverdünnungsgeräte

·Hochgeschwindigkeitsverdünnung für SiC-, GaN-, Saphir-, GaAs- und InP-Wafer

·Automatisierte Vorausrichtung und Dicke

·Hohe Steifigkeit, geringe Vibrationsspindel mit minimalem Dreh-/Umdreh-Schwanken (verstellbares Kriechen/schnelles Einspeisen)