Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll

Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll

Zusammenfassung von Anodiebindungsanlagen zur Thermo-Kompression

Die Thermocompression Anodic Bonding Equipment integriert eine Dual-Process-Bindungstechnologie, die Thermocompression und Anodebindung kombiniert.speziell für die metallisierte Verpackung von 2 bis 8 Zoll Wafern (e.g., Si/Cu/Al-Ge-Systeme) mit einer maximalen Betriebstemperatur von 600°C. Thermocompressionsanodische Bindungsanlage durch präzise Steuerung von Temperatur-, Druck- und Spannungsparametern,Es erreicht eine hochfeste hermetische Dichtung zwischen den Wafern, so dass es für Verpackungsanwendungen geeignet ist, die eine hohe Temperaturbeständigkeit und Zuverlässigkeit erfordern, wie z. B. MEMS-Geräte und Leistungshalbleiter.Der Hauptvorteil liegt in der gleichzeitigen Fähigkeit zur Diffusionsbindung von Metallen (Thermo-Kompression) und zur Verbindung von Glas-Silizium-Schnittstellen (Anodenbindung).

Technische Spezifikationen für das Waferverbindungssystem

Die Thermocompression Anodic Bonding-Ausrüstung unterstützt die Verarbeitung von 2 bis 8" Wafer mit einer maximalen Betriebstemperatur von 600°C, einem Druckbereich von 5 bis 200 kN und einem Vakuum von ≤5×10−3 Pa.Anodische Thermo-Kompressions-Bindungsgeräte mit einem hochpräzisen geschlossenen Kreislauf-Steuerungssystem für die Temperatur (± 1 °C), Druck (Schwankung ≤±1%) und Spannung (0-2000 V, einstellbar für die Anodenbindung) Kompatibel mit Materialsystemen wie Si, Cu und Al-Ge,speziell für hermetische Verpackungen (Leckrate ≤1×10−8 Pa·m3/s) in MEMS und Leistungseinrichtungen ausgelegt.

Thermische Druckbindung

Au-Si-Bindung:

Arbeitsprinzip:

Anodische Thermo-Kompressions-Bindungsgeräte:

Ausrichtung der Thermo-Kompressionsbindung (Genauigkeit < 2 μm)

Anwendungen

· Verpackung von MEMS-Geräten: Thermocompression Anodic Bonding Equipment ermöglicht eine hermetische Verkapselung von mikroelektromechanischen Systemen und gewährleistet eine langfristige Betriebssicherheit.

· Leistungshalbleiterverpackung: Thermocompression Anodic Bonding Equipment ermöglicht eine hochtemperaturbeständige und thermisch leitfähige Schnittstellenbindung für Hochleistungschips.

· Sensor-Hermetische Verpackung: Die Thermocompression Anodic Bonding Equipment bietet eine feuchtigkeits-/oxidationssichere Schutzkapselung für umweltempfindliche Sensoren.

· Optoelektronische Integration: Thermocompression Anodic Bonding Equipment ermöglicht die heteromaterielle Bindung zwischen optischen und elektronischen Komponenten zur Steigerung der photoelektrischen Umwandlungseffizienz.

BearbeitungswirkungAnodische Verbindung von Glas zu Silizium.