Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

Waferverbindungsanlage Raumtemperatur Bindungsin Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

Übersicht über das Waferbindungssystem

Wafer-Bindungsausrüstung ist eine High-End-Bindungsausrüstung, die speziell für die Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) -Stromgeräten entwickelt wurde und 2 bis 12-Zoll-Wafer-Spezifikationen unterstützt.Waferbindungstechnik umfasst fortschrittliche Technologien für die direkte Bindung bei Raumtemperatur und die Oberflächenbindung, mit spezieller Optimierung für heterogene SiC-SiC- und SiC-Si-Bindungsverfahren.mit einem integrierten optischen Ausrichtungssystem mit hoher Präzision (≤ ± 2 μm) und einer geschlossenen Temperatur-/Druckregelung, gewährleistet eine hohe Bindfestigkeit (≥ 2 J/m2) und eine überlegene Schnittstellenuniformität, die für die Herstellung von Leistungshalbleitern erforderlich sind.

Technische Spezifikationen für das Waferverbindungssystem

Kernfunktionsparameter:

Intelligentes Steuerungssystem:

·HMI für die industrielle Berührung

·≥ 50 aufbewahrte Prozessrezepte

·Echtzeit-Temperatur-Druck-Rückkopplung in geschlossenem Kreislauf

Sicherheitsschutzsystem:

·Dreifachverriegelungsschutz (Druck/Temperatur/Vakuum)

·Notbremssystem

·Kompatibilität mit Reinräumen der Klasse 100

Erweiterte Funktionen:

·Optionales waferbearbeitendes Robotergerät

·Unterstützung des SECS/GEM-Kommunikationsprotokolls

·Integriertes Prüfmodul für die Inline-Kontrolle

Wafer Bonding Equipment ist speziell für Forschung und Entwicklung und Massenproduktion von Halbleitern der dritten Generation entwickelt worden.Modulare Architektur der Waferbindungsausrüstung ermöglicht eine zuverlässige Bindung für SiC-basierte LeistungseinrichtungenDie innovative Plasmavorbehandlungstechnologie verbessert die Bindungsfestigkeit der Oberflächen deutlich (≥ 5 J/m2), während die ultrahohe Vakuumumgebung kontaminationsfreie Bindungsoberflächen gewährleistet.Die intelligente Temperatur-Druckregelung, kombiniert mit einer Submikron-Ausrichtungsgenauigkeit, bietet Bindungslösungen auf Waferebene für HEMT, SBD und andere Geräte.

Fotografie

Kompatible Materialien

Anwendungen

· Verpackung des MEMS-Geräts: Die Waferbindungsanlage eignet sich für die hermetische Abdichtung mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) wie Beschleunigungsmessgeräte und Gyroskopen.

· CIS-Bildsensoren: Waferbindungsausrüstung ermöglicht eine Niedertemperaturbindung zwischen CMOS-Wafern und optischen Glassubstraten.

· 3D-IC-Integration: Wafer Bonding Equipment unterstützt die Stacking-Bindung bei Raumtemperatur für durch-Silizium- (TSV-) Wafer.

· Verbundene Halbleitergeräte: Waferbindungsausrüstung erleichtert die Übertragung der epitaxialen Schicht für GaN/SiC-Stromgeräte.

• Biochipherstellung: Wafer Bonding Equipment stellt Niedertemperaturverpackungslösungen für Mikrofluidische Chips bereit.

Bearbeitungswirkung- Ich weiß.Bindung von LiNbO-3-Wafer und SiC-Wafer

(a) Foto von LiNbO3/SiC-Wafern, die bei Raumtemperatur gebunden sind. (b) Foto von 1 × 1 mm-Chips.

(a) Querschnittsbild der TEM-Schnittstelle für LiNbO3/SiC-Bindungen (b) Vergrößerte Ansicht von (a)