Produkt-Details
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: Mikrofluidische Laserausrüstung
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Min Bestellmenge: 1
Preis: by case
Lieferzeit: 5 bis 10 Monate
Zahlungsbedingungen: T/T
Zweck:: |
Mikrofluidische Laserausrüstung |
Volumen der Arbeitsplatte:: |
300*300*150 |
Positionierungsgenauigkeit μm:: |
+/-5 |
Wiederholte Positionsgenauigkeit μm:: |
+/-2 |
Typ der numerischen Steuerung:: |
DPSS Nd:YAG |
Wavelength:: |
532/1064 |
Zweck:: |
Mikrofluidische Laserausrüstung |
Volumen der Arbeitsplatte:: |
300*300*150 |
Positionierungsgenauigkeit μm:: |
+/-5 |
Wiederholte Positionsgenauigkeit μm:: |
+/-2 |
Typ der numerischen Steuerung:: |
DPSS Nd:YAG |
Wavelength:: |
532/1064 |
Die Mikrojet-Lasertechnologie ist eine fortschrittliche und weit verbreitete Verarbeitungstechnologie für Verbundwerkstoffe, die einen Wasserstrahl "so dünn wie ein Haar" mit einem Laserstrahl kombiniert,und leitet den Laser genau auf die Oberfläche des bearbeiteten Teils durch totale innere Reflexion ähnlich wie traditionelle optische FasernDer Wasserstrahl kühlt die Schneidfläche kontinuierlich ab und entfernt effektiv das durch die Verarbeitung entstehende Pulver.
Als kalte, saubere und kontrollierte Lasertechnologie löst die Mikrojetlasertechnologie effektiv die großen Probleme, die mit trockenen Lasern verbunden sind, wie thermische Schäden, Verunreinigungen,Verformung, Detritusablagerung, Oxidation, Mikrokreche und Verjüngung.
1. Lasertypen
Diodenpumpter fester Nd:YAG-Laser. Die Pulsbreite beträgt us/ns und die Wellenlänge beträgt 1064 nm, 532 nm oder 355 nm. Durchschnittlicher Laserleistungsspielraum 10-200 W.
2. Wasserstrahlsystem
Niederdruck reines deionisiertes gefiltertes Wasser. Der Wasserverbrauch des ultrafeinen Wasserstrahls beträgt nur 1 Liter/Stunde bei 300 bar Druck. Die daraus resultierende Kraft ist vernachlässigbar (< 0,1 N).
3- Schnüffeln.
Die Düsengröße beträgt 30-150 mm, das Material der Düse ist Saphir oder Diamant.
4. Hilfssystem
Hochdruckpumpen und Wasseraufbereitungsanlagen.
| Volumen der Arbeitsplatte | 300*300*150 | 400*400*200 |
| Lineare Achse XY | Linearmotor | Linearmotor |
| Lineare Achse Z | 150 | 200 |
| Positionierungsgenauigkeit μm | +/-5 | +/-5 |
| Wiederholte Positionierungsgenauigkeit μm | +/-2 | +/-2 |
| Beschleunigung G | 1 | 0.29 |
| Numerische Steuerung | 3 Achsen /3+1 Achsen /3+2 Achsen | 3 Achsen /3+1 Achsen /3+2 Achsen |
| Typ der numerischen Steuerung | DPSS Nd:YAG | DPSS Nd:YAG |
| Wellenlänge nm | mit einem Durchmesser von | mit einem Durchmesser von |
| Nennleistung W | 50/100/200 | 50/100/200 |
| Wasserstrahl | 40 bis 100 | 40 bis 100 |
| Druckbar der Düse | 50 bis 100 | 50 bis 600 |
| Abmessungen (Werkzeugmaschine) (Breite * Länge * Höhe) mm | 1445*1944*2260 | 1700*1500*2120 |
| Größe (Steuerfach) (W * L * H) | 700 x 2500 x 1600 | 700 x 2500 x 1600 |
| Gewicht (Einrichtung) T | 2.5 | 3 |
| Gewicht (Steuerfach) KG | 800 | 800 |
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Verarbeitungskapazität |
Oberflächenrauheit Ra≤1,6um Öffnungsgeschwindigkeit ≥ 1,25 mm/s Schnittumfang ≥ 6 mm/s Lineare Schneidgeschwindigkeit ≥ 50 mm/s |
Oberflächenrauheit Ra≤1,2um Öffnungsgeschwindigkeit ≥ 1,25 mm/s Schnittumfang ≥ 6 mm/s Lineare Schneidgeschwindigkeit ≥ 50 mm/s |
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Für Galliumnitridkristalle, Halbleitermaterialien mit ultraweiten Bandbreiten (Diamant/Galliumoxid), Raumfahrtspezialmaterialien, LTCC-Kohlenstoffkeramik, Photovoltaik,Verarbeitung von Scintillatorkristallen und anderen Stoffen. Anmerkung: Die Verarbeitungskapazität variiert je nach Materialeigenschaften
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1. Waferschneiden (Dicing)
Materialien: Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und andere harte und zerbrechliche Materialien zum Waferschneiden.
Anwendung: Ersetzen von traditionellen Diamantklingen, reduzieren Kantenbruch (Kantenbruch < 5 μm, Klingen Schneiden in der Regel > 20 μm).
Schnittgeschwindigkeit um 30% erhöht (z. B. Schnittgeschwindigkeit von SiC-Wafer bis zu 100 mm/s).
Stealth Dicing: Lasermodifikation im Waferinneren, Flüssigkeitsstrahlunterstützte Trennung, geeignet für ultradünne Wafer (< 50 μm).
2- Splitterbohrung und Mikrohöhlverarbeitung
Anwendung: Durch Silizium (TSV) Bohren für 3D-IC. Thermische Mikroholl-Array-Bearbeitung für Leistungseinrichtungen wie IGBTs.
Technische Parameter:
Aperture-Bereich: 10 μm bis 200 μm, Tiefe bis Breite Verhältnis bis 10:1.
Die Porenwandrauheit (Ra) < 0,5 μm ist besser als bei der direkten Laserablation (Ra> 2 μm).
3. Erweiterte Verpackung
Anwendung: RDL (Rewiring Layer) Fensteröffnung: Laser + Jet entfernt die Passivierungsschicht, blockiert das Pad.
Verpackungen auf Waferebene (WLP): Epoxydruckkunststoffe (EMC) für Fan-Out-Verpackungen.
Vorteile: Vermeidung der durch mechanische Belastung verursachten Splitterverformung und Erhöhung der Ausbeute auf mehr als 99,5%.
4. Verarbeitung von Halbleitern
Material: GaN, SiC und andere Breitband-Gap-Halbleiter.
Anwendung: Gate-Notch-Etching von HEMT-Geräten: Flüssigkeitsstrahl steuert die Laserenergie, um die thermische Zersetzung von GaN zu vermeiden.
Laserbrennen: Mikro-Jet-Lokalheizung zur Aktivierung der Ionenimplantationszone (z. B. SiC-MOSFET-Quelle).
5- Reparatur von Defekten und Feinabstimmung
Anwendungsbereich: Laserfusion von redundanten Schaltungen im Speicher (DRAM/NAND).
Abstimmung von Mikrolinsen-Arrays für optische Sensoren wie ToF.
Genauigkeit: Genauigkeit der Energiesteuerung ±1%, Fehler der Reparaturposition < 0,1 μm.
1F: Wofür wird die Mikrojet-Laser-Technologie eingesetzt?
A: Die Microjet-Lasertechnologie wird für hochpräzises Schneiden, Bohren und Strukturieren von Halbleitern (z. B. SiC-Wafer, TSV-Bohrungen) und fortschrittliche Verpackungen mit geringer thermischer Schädigung eingesetzt.
2F: Wie verbessert der Microjet-Laser die Halbleiterherstellung?
A: Er ermöglicht eine Submikrongenauigkeit mit nahezu null Wärmeschäden, ersetzt mechanische Klingen und reduziert Defekte bei spröden Materialien wie GaN und SiC.
Tag: #Laser-Mikrobearbeitungsausrüstung Microjet, #Laser-Verarbeitungstechnologie, #Halbleiter-Waferverarbeitung, #Microjet-Lasertechnologie, #Der Siliziumkarbid-Ball ist rund, #Wafer-Dick,#Metallverbundwerkstoff
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