Modelliertes Saphirsubstrat (PSS) Einkristall Saphir Al2O3 für die Herstellung von LED 2 Zoll / 4 Zoll / 6 Zoll
Patterned Sapphire Substrate (PSS) ist ein Substrat, auf dem Mikro- und Nanostrukturen durch Lithographie und Ätztechniken gebildet werden.Es wird hauptsächlich in der Herstellung von LEDs (Lichtdioden) verwendet, um die Effizienz der Lichtentnahme durch Oberflächenmusterkonstruktion zu verbessern, wodurch die Helligkeit und Leistung der LED verbessert werden.
mit einer Breite von mehr als 20 mm,Eigenschaften
Ein gemusterterter Saphir-Substrat (PSS) ist ein Prozess, bei dem auf dem Saphir-Substrat ein spezifisches Mikrometermuster wie Kuppel, Kegel oder Pyramidenform erstellt wird.Ungleichmäßige Muster auf Saphirsubstraten können Lichtstreuung oder Brechung hervorrufen, wodurch die Lichteffizienz verbessert wird.
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Kristallstruktur
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Hexagonal
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Gitterkonstante
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a=4,76Å c=12,99Å
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Dichte ((g/cm)3)
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3.98
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Schmelzpunkt ((°C)
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2040
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Mohs-Härte
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9
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Dielektrische Konstante
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9.3 ((Eine Ebene) 11.5 ((C-Ebene)
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Wärmeleitfähigkeit ((W/cm.K)
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0.46
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Thermische Ausdehnung
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6.7*10-6/k(C-Ebene) 5,0*10-6Ein Flugzeug.
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Brechungsindex
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1.762-1.777
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Übertragung
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Prüfprobe:Saphir:D76,2*4 mm
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UV:200~380nm 74%~84%
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Sichtbares Licht: 380 ~ 760 nm 85%
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Infrarot: 760~1000 nm 85%
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Ferninfrarot:> 1000 nm 80% ~ 100%
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- Eigenschaften des Materials:Das Substrat besteht aus Einkristallsafir (Al2O3), der eine hohe Härte, hohe Hitzebeständigkeit und chemische Stabilität aufweist.
- Oberflächenstruktur:Die Oberfläche wird lithographiert und geätzt, um periodische Mikronano-Strukturen wie Zapfen, Pyramiden oder hexagonale Arrays zu bilden.
- Optische Eigenschaften:Durch die Oberflächenmusterung wird die gesamte Lichtreflexion an der Schnittstelle reduziert und die Effizienz der Lichtentnahme verbessert.
- thermische Leistung:Das Saphirsubstrat hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und eignet sich für Hochleistungs-LED-Anwendungen.
- Größenspezifikation:Die gängigen Größen sind 2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm) und 6 Zoll (150 mm).
mit einer Breite von mehr als 20 mm,Parameter
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Artikel 1
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- Das ist ein sehr schönes Stück.
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Durchmesser
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50.8 ± 0,1 mm
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100.0 ± 0,2 mm
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150.0 ± 0,3 mm
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Stärke
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430 ± 25 μm
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650 ± 25 μm
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1000 ± 25 μm
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Oberflächenorientierung
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C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels zur M-Achse (10-10) 0,2 ± 0,1°
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C-Ebene (0001) außerhalb des Winkels zur A-Achse (11-20) 0 ± 0,1°
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Primäre flache Orientierung
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A-Ebene (11-20) ± 1,0°
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Primärflächige Länge
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16.0 ± 1,0 mm
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30.0 ± 1,0 mm
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47.5 ± 2,0 mm
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R-Flugzeug
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Um 9 Uhr.
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Vorderflächenveredelung
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Mustergestalt
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Rückenoberflächenbearbeitung
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SSP: Feinschmiede, Ra=0,8-1,2um; DSP: Epipoliert, Ra<0,3nm
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Lasermarkierung
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Rückseite
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TTV
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≤ 8 μm
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≤ 10 μm
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≤ 20 μm
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Bogen
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≤ 10 μm
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≤ 15 μm
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≤ 25 μm
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WARP
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≤ 12 μm
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≤ 20 μm
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≤ 30 μm
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Grenze ausgeschlossen
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≤ 2 mm
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Musterspezifikation
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Formstruktur
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Kuppel, Kegel, Pyramide
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Musterhöhe
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10,6 bis 1,8 μm
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Musterdurchmesser
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20,75 bis 2,85 μm
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Musterraum
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00,1-0,3 μm
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Spezifikationen für die Anpassung:
* Nanometergeformtes Saphirsubstrat (NPSS).
* Saphir PSS verschiedener Ausrichtung.
Kernvorteil
· Die Effizienz der Extraktion hervorheben:Die Oberflächenmusterung reduziert den Lichtverlust und verbessert die Lichtwirksamkeit der LEDs erheblich.
· Ausgezeichnete Materialeigenschaften:Das Saphirsubstrat weist eine hohe Härte, hohe Temperaturbeständigkeit und chemische Stabilität auf und eignet sich für raue Prozessumgebungen.
· starke Kompatibilität:Hohe Gitter-Matching mit GaN (Galliumnitrid) Epitaxieschicht, geeignet für ein qualitativ hochwertiges Epitaxiesystem.
· Langlebigkeit und hohe Zuverlässigkeit:Das Saphirsubstrat ist verschleiß- und korrosionsbeständig und verlängert so die Lebensdauer des Geräts.
• Umweltschutz und Energieeinsparung:Verbesserung der LED-Effizienz, Verringerung des Energieverbrauchs im Einklang mit dem Trend der grünen Fertigung.
PPSS-Substrat mit Muster
- LED-Herstellung: Häufig in LEDs mit hoher Helligkeit wie Beleuchtung, Hintergrundbeleuchtung und Bildschirmen verwendet.
- Laserdioden: Zur Herstellung hocheffizienter Laserdioden für Kommunikations- und Medizinprodukte.
- Leistungselektronik: Wird zur Herstellung effizienter Leistungselektronik wie GAN-basierter HEMT verwendet.
- Optoelektronische Geräte: zur Herstellung effizienter Lichtdetektoren, Solarzellen und anderer optoelektronischer Geräte verwendet.
ZMSH Mustersafir-Substrat (PSS) Anzeige
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