logo
Startseite ProdukteSic Substrat

6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse

Ich bin online Chat Jetzt

6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse

6" High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Semiconductor Wafers LED 5G D Grade
6" High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Semiconductor Wafers LED 5G D Grade 6" High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Semiconductor Wafers LED 5G D Grade 6" High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Semiconductor Wafers LED 5G D Grade

Großes Bild :  6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: 4H-Semi-SIC
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 25pcs
Preis: Verhandelbar
Verpackung Informationen: kundengebundener Kasten
Lieferzeit: in 30 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: HPSI 4h-Semi SIC Zulassung: D
Durchmesser: 150 ± 0,2 mm Stärke: 500 ± 25 μm
LTV: ≤ 10 μm ((5 mm*5 mm) TTV: ≤ 20 μm
Bogen: -45 μm bis 45 μm Verzerrung: ≤ 55 μm
Widerstandskraft: 70% Fläche > 1 E5ohm·cm
Hervorheben:

Halbleiterwafer für die Herstellung von Scheinprodukten

,

Silizium-4H-Semi-SIC-Substrat

,

LED-Halbleiterwafern

6 High Purity Silicon 4H-Semi SIC Dummy Grade Halbleiter Wafer 5G LED

Beschreibung:

Halbisolierende 4H-SiC4H-SIC) ist eine spezielle Art von Siliziumkarbidmaterial.In der Kristallstruktur weist 4H-HalbleitersIC Halbleiter-Eigenschaften auf, während halbisoliertes 4H-Halbleitersiliziumcarbid höhere Widerstandsmerkmale aufweist.mit ähnlichen Eigenschaften wie Isolatoren.Halbisoliert4H-Halbleiter Siliziumkarbidhat wichtige Anwendungen inHalbleiterdie Herstellung von Geräten, insbesondere für Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen.Halbisoliertes Silizium Karbidmit einer Breite von mehr als 10 mm,Substratezur Verringerung von Stromverbindungen und Störungen zwischen Geräten.4 Uhr nachtszeigt die Kristallstruktur vonSiliziumkarbid.4H-Siliciumcarbidist eine Form der Kristallstruktur, in der Silizium und Kohlenstoffatome eine stabile Kristallstruktur bilden.

Eigenschaften:

Eigenschaften

Beschreibungen

Eigenschaft bei hohen Temperaturen

4H-Halbleiter siliziumkarbid weist hervorragende hochtemperaturbedingte Eigenschaften auf und kann in hochtemperaturbedingten Umgebungen arbeiten.

Hochdruckbeständigkeit

4H-Halbleiter Siliziumkarbid weist eine hohe Aufspaltungsstärke und Spannungsbeständigkeit auf, was es für Hochspannungsanwendungen wie Leistungselektronik geeignet macht.

Hohe Requenz-Reaktion

4H-Halbleiter siliziumkarbid hat eine hohe Elektronenmobilität und geringe Kapazitätseigenschaften, was eine schnelle Schaltung und eine Leistungsumwandlung mit geringem Verlust ermöglicht.

Niedriger Betriebsverlust

4H-Semi-SIC hat einen geringen An-Aus-Verlust, d. h. weniger Energieverlust im leitfähigen Zustand, wodurch der Wärmeverlust bei der Energieumwandlung verringert wird.

Hohe Strahlungsbeständigkeit

4H-Semi-SIC hat eine hohe Strahlungsbeständigkeit und kann in Hochstrahlungsumgebungen eine stabile Leistung aufrechterhalten.

Gute Wärmeleitfähigkeit

4H-Semi-SIC hat eine gute Wärmeleitfähigkeit und kann Wärme effektiv übertragen und dispergieren.

Hohe chemische Beständigkeit

4H-Semi-SIC hat eine hohe Beständigkeit gegen chemische Korrosion und Oxidation, um eine stabile Leistung in rauen Umgebungen zu erhalten.

Technische Parameter:

Produktion

Forschung

Du Dummkopf.

Typ

4H

4H

4H

Widerstand (ohm·cm)

≥1E9

100% Fläche>1E5

70% Fläche>1E5

Durchmesser

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

Stärke

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Achse

Der Wert der

Der Wert der

Der Wert der

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

LTV ((5mm*5mm)

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

Verbeugen

- 25 μm bis 25 μm

- 35 μm bis 35 μm

-45 μm bis 45 μm

Warpgeschwindigkeit

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

Ra ((5um*5um)

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Mikropipendichte

≤1ea/cm2

≤10ea/cm2

≤15ea/cm2

Anwendungen:


1.Hochreine 4H-Semi-SIC-Substrat kann in Leistungselektronikgeräten verwendet werden.


2. Hochreine 4H-Semi-SICs können zur Herstellung optoelektronischer Geräte verwendet werden.


3. Hochreine 4H-Semi-SICs können als Hochfrequenz-Leistungsverstärker eingesetzt werden.

4. Hohe Reinheit 4H-Semi-SIC kann verwendet werden kann, um effiziente Solarzellen herzustellen.


5. Eine hochreine 4H-Semi-SIC kann zur Herstellung von LED-Geräten (Lichtdioden) verwendet werden.


6. Hochreine 4H-Semi-SIC hat wichtige Anwendungen in hochtemperaturen elektronischen Geräten.


7. Hohe Reinheit 4H-Semi-SIC kann verwendet werden kann verwendet werden, um verschiedene Arten von Sensoren herzustellen

6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse 0

Sonstige verwandte Erzeugnisse:

4H-N SIC:

6" hochreines Silizium 4H-Semi-SIC Halbleiterwafer von Dummy-Klasse LED 5G-D-Klasse 1

Häufig gestellte Fragen:

F: Was ist die Zertifizierung vonHPSI 4h-Semi-SIC?

A: Die Zertifizierung vonHPSI 4h-Semi-SICist ROHS.

F: Was ist der Markenname vonHPSI 4h-Semi-SIC?

A: Der Markenname vonHPSI 4h-Semi-SICist ZMSH.

F: Wo ist der Ursprungsort vonHPSI 4h-Semi-SIC?

A: Herkunftsort vonHPSI 4h-Semi-SICist China.

F: Welches ist das MOQ vonHPSI 4h-Semi-SIC gleichzeitig?

A: Die MOQ vonHPSI 4h-Semi-SICist 25 Stück auf einmal.

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)