Markenbezeichnung: | ZMSH |
Modellnummer: | 4H-Semi-SIC |
MOQ: | 25pcs |
Preis: | Verhandelbar |
Lieferzeit: | in 30 Tage |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Beschreibung:
Semi-isolierendes 4H-SiC (semi-isolierend 4H-SIC) ist eine spezielle Art von Siliziumkarbidmaterial. In der Kristallstruktur weist 4H-Halbleiter-SIC Halbleitereigenschaften auf, während semi-isoliertes 4H-Halbleiter-Siliziumkarbid höhere Widerstandseigenschaften aufweist und Eigenschaften zeigt, die Isolatoren ähneln. Semi-isoliertes 4H-Halbleiter-Siliziumkarbid hat wichtige Anwendungen in der Halbleiter Geräteherstellung, insbesondere in Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen. Aufgrund seiner höheren Widerstandseigenschaften kann semi-isoliertes Silizium karbid als Widerstand, Isolationsschicht oder Substrate verwendet werden, um Stromverbindungen und Interferenzen zwischen Geräten zu reduzieren."4H" gibt die Kristallstruktur von Siliziumkarbid an. 4H-Siliziumkarbid ist eine Form der Kristallstruktur, in der Silizium- und Kohlenstoffatome eine stabile Kristallstruktur bilden.
Eigenschaften:
Eigenschaften |
Beschreibungen |
Hochtemperatureigenschaft |
4H-Halbleiter-Siliziumkarbid hat ausgezeichnete Hochtemperatureigenschaften und kann in Hochtemperaturumgebungen arbeiten. |
Hochdruckbeständigkeit |
4H-Halbleiter-Siliziumkarbid hat eine hohe Durchbruchfeldstärke und Spannungsfestigkeit. Dies macht es für Hochspannungsanwendungen wie Leistungselektronik geeignet. |
Hochfrequenzgang |
4H-Halbleiter-Siliziumkarbid hat eine hohe Elektronenmobilität und geringe Kapazitätseigenschaften, was Hochgeschwindigkeitsschalten und verlustarme Leistungsumwandlung ermöglicht. |
Geringer Ein-Aus-Verlust |
4H-Semi-SIC hat einen geringen Ein-Aus-Verlust, d. h. weniger Energieverlust im leitenden Zustand, wodurch Wärmeverluste bei der Energieumwandlung reduziert werden. |
Hohe Strahlungsbeständigkeit |
4H-Semi-SIC hat eine hohe Strahlungsbeständigkeit und kann in Hochstrahlungsumgebungen eine stabile Leistung aufrechterhalten. |
Gute Wärmeleitfähigkeit |
4H-Semi-SIC hat eine gute Wärmeleitfähigkeit und kann Wärme effektiv übertragen und verteilen. |
Hohe chemische Beständigkeit |
4H-Semi-SIC hat eine hohe Beständigkeit gegen chemische Korrosion und Oxidation, um eine stabile Leistung in rauen Umgebungen aufrechtzuerhalten. |
Technische Parameter:
|
Produktion |
Forschung |
Dummy |
Typ |
4H |
4H |
4H |
Spezifischer Widerstand (Ohm·cm) |
≥1E9 |
100% Fläche>1E5 |
70% Fläche>1E5 |
Durchmesser |
150± 0,2 mm |
150± 0,2 mm |
150± 0,2 mm |
Dicke |
500±25μm |
500±25μm |
500±25μm |
Achse |
<0001> |
<0001> |
<0001> |
TTV |
≤5μm |
≤10μm |
≤20μm |
LTV (5 mm * 5 mm) |
≤3μm |
≤5μm |
≤10μm |
Durchbiegung |
-25μm~25μm |
-35μm~35μm |
-45μm~45μm |
Verzug |
≤35μm |
≤45μm |
≤55μm |
Ra (5um*5um) |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
Mikropipetendichte |
≤1ea/cm2 |
≤10ea/cm2 |
≤15ea/cm2 |
1. Hochreines 4H-Semi-SIC-Substrat kann in Leistungselektronikgeräten verwendet werden.
2. Hochreines 4H-Semi-SIC kann zur Herstellung optoelektronischer Geräte verwendet werden.
3. Hochreines 4H-Semi-SIC kann als Hochfrequenz-Leistungsverstärker Geräte verwendet werden.
4. Hochreines 4H-Semi-SIC kann zur Herstellung effizienter Solarzellen verwendet werden.
5. Hochreines 4H-Semi-SIC kann zur Herstellung von LED-Geräten (Light Emitting Diode) verwendet werden.
6. Hochreines 4H-Semi-SIC hat wichtige Anwendungen in Hochtemperatur-Elektronikgeräten.
7. Hochreines 4H-Semi-SIC kann zur Herstellung verschiedener Arten von Sensoren verwendet werden
FAQ:
F: Was ist die Zertifizierung von HPSI 4h-semi SIC?
A: Die Zertifizierung von HPSI 4h-semi SIC ist ROHS.
F: Wie lautet der Markenname von HPSI 4h-semi SIC?
A: Der Markenname von HPSI 4h-semi SICist ZMSH.
F: Wo ist der Herkunftsort von HPSI 4h-semi SIC?
A: Der Herkunftsort von HPSI 4h-semi SIC ist CHINA.
F: Was ist das MOQ von HPSI 4h-semi SIC auf einmal?
A: Das MOQ von HPSI 4h-semi SIC ist 25 Stück auf einmal.
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