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Saphir-Oblate
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| Herkunftsort | CHINA |
| Markenname | zmkj |
| Zertifizierung | Cz/ Rohs/ GSG |
| Modellnummer | 4.125/6.125/6inch/8inch |
Flächeneinzelne Kristallsaphiroblate 8inch 0,725 dia100mm c
C-Flächen-einfache oder doppelte Seite 4inch Sapphire Wafer polierte einzelnen Kristall Al2O3
Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer 4inch Dia100mm A
Achse einzelner Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates 2inch Dia50mm C
8inch Durchmesser 159mm einzelner Crystal Sapphire Wafer For Epi - bereite Träger
der Cflächenc$r-achse 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch Saphiroblate (1-102) (10-10), dia200mm-Saphirsubstrate, saphiroblate der doppelten Seite der C-Achse 2-6inch Polierfür geführtes epi-bereites, Saphirsubstrate, optische Kristalllinse Al2O3, doppelte Seite polierte SSP-Oberfläche 8" Sapphire Carrier
Produktbeschreibung
Die 8-Zoll-Saphirwafers können Chip-Herstellern ermöglichen, mehr Produktivität bereitzustellen, die ihnen hilft, hinunter Kosten drastisch zu fahren.
CRYSCORE wird qualifiziert, 8-Zoll-epi-bereite Saphirwafers zu liefern. Die allgemeine Stärke ist μm 1300 μm und 1500.
Im Allgemeinen hat diese Reihe der Poliersaphiroblate eine Kerbe anstelle einer bedeutenden Ebene, aber flach mit kundenspezifischer Länge ist auch verfügbar. Unsere Saphiroblaten werden in Klasse 100 Cleanroom durch Reinstwasser mit Qualität über *cm 18MΩ gesäubert und verpackt dann in den sauberen Kassetten.
Elektrische Eigenschaften des Saphirs
Widerstandskraft, Ohm x cm bei °C 200-500: 1011 - 1016
Dielektrizitätskonstante: 10,0
Durchschlagsfestigkeit, V/cm: 4 x 105
Verlusttangente: 1 x 10-4
Eigenschaft
Spezifikationen von Sapphire Wafer, 6 Zoll, C-Fläche (0001), Hauptgrad
| Material | Hoher Reinheitsgrad, >99.99%, einzelnes Kristallal2O3 |
| Maß | 200,0 Millimeter +/- 0,05 Millimeter |
| Orientierung | C-Fläche (0001) weg vom Grad Fläche 0,2 +/- 0,05 M (1-100) |
| Flache hauptsächlichorientierung | Ein-Fläche +/- 1 Grad |
| Gesamtstärke-Veränderung (TTV) | <20um> |
| Bogen | <25um> |
| Verzerrung | <25um> |
| Thermische Expansions-Koeffizient | 6,66 x 10-6 / °C Ähnlichkeit zu c-Achse, 5 x 10-6/°C |
| Durchschlagsfestigkeit | 4,8 x 105 V/cm |
| Dielektrizitätskonstante | 11,5 (1 MHZ) entlang c-Achse, 9,3 Senkrechtes (1 MHZ) zu c-Achse |
| Dielektrischer Verlust-Tangente (alias Verlustfaktor) | weniger als 1 x 10- 4 |
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Beförderung: |
88% +/- 1% @460 Nanometer |
Elektrische Eigenschaften des Saphirs
Widerstandskraft, Ohm x cm bei °C 200-500: 1011 - 1016
Dielektrizitätskonstante: 10,0
Durchschlagsfestigkeit, V/cm: 4 x 105
Verlusttangente: 1 x 10-4
Anwendung
Produktanzeige
Verpackung von Saphiroblaten
Verwandte Produkte
FAQ:
Q: Was ist Ihr MOQ?
: (1) für Inventar, ist das MOQ 10pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 25pcs oben.
Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?
: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.
(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.
Q: Was ist die Lieferfrist?
Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Q: Haben Sie Standardprodukte?
: Unsere Standardprodukte in stock.as wie 4inch 0.65mm, 0.5mm Polieroblate.
Q: Wie man zahlt?
: 50%deposit, gelassen vor Lieferung T/T,
Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?
: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihr optisches besonders anfertigen
Komponenten basiert auf Ihrem Bedarf.
Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung
