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Saphir-Oblate
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| Herkunftsort | CHINA |
| Markenname | zmkj |
| Zertifizierung | Cz/ Rohs/ GSG |
| Modellnummer | 4.125/6.125/6inch/8inch |
einzelner Kristall Al2O3 6inch Sapphire Wafer Orientation 0001
C-Flächen-einfache oder doppelte Seite 4inch Sapphire Wafer polierte einzelnen Kristall Al2O3
Fläche einzelner Crystal Sapphire Wafer 4inch Dia100mm A
Achse einzelner Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates 2inch Dia50mm C
8inch Durchmesser 159mm einzelner Crystal Sapphire Wafer For Epi - bereite Träger
der Cflächenc$r-achse 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch Saphiroblate (1-102) (10-10), dia200mm-Saphirsubstrate, saphiroblate der doppelten Seite der C-Achse 2-6inch Polierfür geführtes epi-bereites, Saphirsubstrate, optische Kristalllinse Al2O3, doppelte Seite polierte SSP-Oberfläche 8" Sapphire Carrier
Orientierung
Ein-Flächensaphirsubstrate - werden normalerweise für die hybriden Mikroelektronischen Anwendungen benutzt, die eine einheitliche Dielektrizitätskonstante erfordern und in hohem Grade Eigenschaften isolieren.
C-Flächensubstrate - neigen Sie, für lll-V und ll-Vl Mittel, wie GaN, für helle blaue und grüne LED und die Laserdioden verwendet zu werden.
R-Flächensubstrate - diese werden für die hetero-Epitaxial- Absetzung des Silikons verwendet in Mikroelektronischen IC-Anwendungen bevorzugt.
Eigenschaft
Spezifikationen von Sapphire Wafer, 6 Zoll, C-Fläche (0001), Hauptgrad
| Material | Hoher Reinheitsgrad, >99.99%, einzelnes Kristallal2O3 |
| Maß | 150,0 Millimeter +/- 0,05 Millimeter |
| Stärke | 1300 um +/- 25 um (SSP), 600 um +/- 25 um (DSP) |
| Orientierung | C-Fläche (0001) weg vom Grad Fläche 0,2 +/- 0,05 M (1-100) |
| Flache hauptsächlichorientierung | Ein-Fläche +/- 1 Grad |
| Gesamtstärke-Veränderung (TTV) | <20um> |
| Bogen | <25um> |
| Verzerrung | <25um> |
| Thermische Expansions-Koeffizient | 6,66 x 10-6 / °C Ähnlichkeit zu c-Achse, 5 x 10-6/°C |
| Durchschlagsfestigkeit | 4,8 x 105 V/cm |
| Dielektrizitätskonstante | 11,5 (1 MHZ) entlang c-Achse, 9,3 Senkrechtes (1 MHZ) zu c-Achse |
| Dielektrischer Verlust-Tangente (alias Verlustfaktor) | weniger als 1 x 10- 4 |
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Beförderung: |
88% +/- 1% @460 Nanometer |
Elektrische Eigenschaften des Saphirs
Widerstandskraft, Ohm x cm bei °C 200-500: 1011 - 1016
Dielektrizitätskonstante: 10,0
Durchschlagsfestigkeit, V/cm: 4 x 105
Verlusttangente: 1 x 10-4
Anwendung
Produktanzeige
Verpackung von Saphiroblaten
FAQ:
Q: Was ist Ihr MOQ?
: (1) für Inventar, ist das MOQ 10pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 25pcs oben.
Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?
: (1) nehmen wir DHL, Fedex, EMS etc. an.
(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.
Q: Was ist die Lieferfrist?
Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Q: Haben Sie Standardprodukte?
: Unsere Standardprodukte in stock.as wie 4inch 0.65mm, 0.5mm Polieroblate.
Q: Wie man zahlt?
: 50%deposit, gelassen vor Lieferung T/T,
Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?
: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihr optisches besonders anfertigen
Komponenten basiert auf Ihrem Bedarf.
Treten Sie mit uns jederzeit in Verbindung
