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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C
  • Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C
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Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C

Herkunftsort CHINA
Markenname zmsh
Zertifizierung ROHS
Modellnummer 3inch
Produkt-Details
Material:
99,99995% Al2O3
Industrie:
geführtes, optisches Glas, eli-bereite Oblate
Anwendung:
semicondutor Oblate, führte Chip, optisches Glasfenster, elektronische Keramik
Farbe:
weiß oder rot oder blau
Visionslichttransmissivität:
85%
advantagement:
hohes hardness9.0, Verschleißfestigkeit,
Art:
einzelner Kristall
Orientierung:
(0001), nehmen Sie kundenspezifische Achse an
Stärke:
500um±15um
Diamater:
76.2±0.1mm
Markieren: 

3 Zoll Sapphire Wafers

,

DSP SSP Sapphire Wafers

,

76.2mm Sapphire Substrate

Produkt-Beschreibung
Substrat C-Fläche 3inch Sapphire Wafers Sapphire Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001)

Chemisch ist macht Saphir einzelnes Kristallaluminiumoxyd (Al2O3), und ist in einem Sendebereich von 0,2 - 5.5µm.Sapphire nützlich und so sie ideale Materialien für fordernde Anwendungen (wie Laser-Systeme) wegen ihrer extremen Oberflächenhärte, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Dielektrizitätskonstante und Widerstand zu den allgemeinen chemischen Säuren und zu den Alkalien. Und Saphir ist auch der zweite härteste Kristall nahe bei Diamanten und, wegen ihrer strukturellen Stärke, können Saphirfenster viel dünn gemacht werden als andere allgemeine dielektrische Fenster mit verbesserter Beförderung.
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Wir können kundengebundene Berufsdienstleistung in der Zeit erbringen und die Zusammenarbeit und Unterstützung des Gerätes der der Entwicklung neuer Produkte gewähren und Technologie.

Material-Saphir (Al2O3)
Dichte (20°C) Kg/m3                 3.98×103
Crystal Structure                         sechseckig
Kristallgitterkonstante          a=4.785Å c=12.991 Å
Mohs-Härte                            9
Schmelzpunkt                               2045°C
Siedepunkt                                3000°C
Ausdehnungskoeffizient    α=5.8×10 -6 /K
Spezifische Wärme                          0.418W.s/g/k
Thermisches conductio                  25.12W/m/k (@100°C)
Brechungskoeffizient (Nd)               no=1.768ne=1.76
dn/dt                                         13×10-6/K (@633nm)
Tranmission                            T≈85% (0.3~5um)
Genehmigung                               11,5 (//c), 9,3 (⊥c)

Anwendungen
Sapphire Washers, Sapphire Windows, Sapphire Bearings, Sapphire Rods, Sapphire Tubes, Rubin
Saphiroblate, Haubensaphir, Saphirisolierung Film, Saphirballlinse, Saphir/karminroter Ball
 

 

  1. Stärkesaphir-Oblatenspezifikation 3inch 0.5mm
  2. Material: Einzelner Kristall Al2O3 99,999%
  3. Orientierung: C-Fläche (0001) weg von M - Achse 0.2°±0.1
  1. Durchmesser: 76.20±0.2mm oder 3inch, 2inch, 5inch, 6inch
  2. Stärke: 500±25um or1000±15um,
  3. Flache hauptsächlich22±1mm
  4.  
  5. Von der Orientierungsebene: Eine Achse ±0.1°
  6.  
  7. Frontside-Oberflächenrauigkeit: Ra<0.3nm
  8. Rückseiten-Oberflächenrauigkeit: 0.8~1.2um
  9.  
  10. (Oder doppelte Seite poliert, Seite Ra<0.2nm)
  11. TTV: <10um     BOGEN: - 10~0um      VERZERRUNG: <15um
  12. Laser Mark Series No. durch Bedarf
  13. Paket: Vakuumversiegelte Behälter mit Stickstoff füllen in einer Umwelt der Klasse 100 nach
  14. Sauberkeit: Freie sichtbare Verschmutzung

Sapphire Wafer Process Step
Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C 0
 Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C 1
 

Fläche 3inch Sapphire Wafers Substrate Dia76.2mm 0.5mm DSP SSP (0001) C 2

Probe
 


wir können andere Materialien Kristall-seimconductor Oblaten wie wie GaN, sic, GaAs, InP, MgO etc. auch zur Verfügung stellen.
 

Verpackung u. Lieferung

Verpackende Details: Verpackung, KASTEN, KARTONE durch Kassette 25pcs im Reinigungsraum vacuumize vorbei

Lieferungs-Details: 3-20 Tage nachdem Auftrag des festen Fahrradreifens, der Ihr pament tubesrecieving ist, auszusenden ist.

 

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Rm5-616, No.851, Dianshanhu-Allee, Qingpu-Bereich, Shanghai-Stadt, CHINA
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