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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

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Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Silicon Carbide Wafer 10 X 10 X 0.5mm

Großes Bild :  Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: 10X10X0.5mmt DSP 4H-N
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 10PCS
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten
Lieferzeit: 2weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000PCS/month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: sic Kristall Größe: 10x10mm
Stärke: 350um Oberfläche: CMP am Sigesicht
Farbe: Transparent Art: 4h-n
Widerstandskraft: 0.015~0.028ohm.cm Ra: <0>
Hervorheben:

Sic Oblate 4H-SEMI

,

10x10x0.5mm sic Substrat

,

Transparente Silikon-Karbid-Oblate

10x10x0.5mm sic 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Silikon-Karbid-Oblate

Hohe Kristallqualität für fordernde Leistungselektronik

Wie Transport, Energie und industrielle Märkte entwickeln, verlangen Sie nach zuverlässigem, Hochleistungsleistungselektronik fortfährt zu wachsen. Um den Bedarf an verbesserter Halbleiterleistung zu erfüllen, schauen Geräthersteller zu den Halbleiter mit großer Bandlücke-Materialien, wie unserem sic Hauptgrad 4H von des Silikonkarbids 4H n en-artig Oblaten (sic).

Zuverlässig und bereit

ZMSH-Angebot-Geräthersteller ein konsequentes, Substrat der hohen Qualität für das Entwickeln von leistungsstarken Starkstromgeräten. Unsere sic Substrate werden aus Kristallbarren vom hochwertigsten unter Verwendung der eigenen hochmodernen körperlichen Wachstumstechniken des Dampftransportes (PVT) produziert. Moderne OblatenProduktionstechniken werden verwendet, um Barren in Oblaten umzuwandeln, um die konsequente, zuverlässige Qualität sicherzustellen, die Sie benötigen.

Hauptmerkmale

  • Optimizes visierte Leistung und Gesamtkosten des Besitzes für Leistungselektronikgeräte der nächsten Generation an
  • Oblaten des großen Durchmessers für verbesserte Kostendegression in der Halbleiterherstellung
  • Toleranzbereichniveaus, zum des spezifischen Gerätherstellungsbedarfs zu erfüllen
  • Hohe Kristallqualität
  • Niedrige Defektdichten

Sortiert für verbesserte Produktion

Mit der 150 Millimeter-Oblatengröße bieten wir Herstellern die Fähigkeit an, die verbesserte Kostendegression wirksam einzusetzen, die mit 100 Millimeter Gerätherstellung verglichen wird. Unsere Oblaten 150 Millimeter sic durchweg ausgezeichnete mechanische Eigenschaften anbieten, um Kompatibilität mit den vorhandenen und sich entwickelnden Gerätherstellungsprozessen sicherzustellen.

Besonders angefertigt, um Ihren Bedarf zu erfüllen

Unser sic Material kann besonders angefertigt werden, um die Leistungs- und Kostenbedingungen des Gerätentwurfsbedarfs zu erfüllen. Wir haben die Fähigkeit, zum von Oblaten der hohen Qualität für Geräte der nächsten Generation mit den niedrigen Defektdichten, die wie MPD-≤ 0,1 cm zu produzieren so niedrig sind-2, TSD-≤ 400 cm2 und BPD-≤ 1.500 cm-2.

Lernen Sie mehr von unserem technischen pdf auf 150 Millimeter-Silikon-Karbid-Oblaten

Spezifikation
Eigentum
4H-SiC, einzelner Kristall
6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter
a=3.076 Å c=10.053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge
ABCB
ABCACB
Mohs-Härte
≈9.2
≈9.2
Dichte
3,21 g/cm3
3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm
keine = 2,61
Ne = 2,66
keine = 2,60
Ne = 2,65
Dielektrizitätskonstante
c~9.66
c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit
a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)
a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Bandlücke
eV 3,23
eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld
3-5×106V/cm
3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit
2.0×105m/s
2.0×105m/s

Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 0Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 1

Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 2Silikon-Karbid-Oblate 10 x 10 x 0.5mm 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC 3

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß.

Q: Wie man zahlt?

(1) T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram und
Versicherungszahlung auf und ETC….
(2) Bank-Gebühr: West-Union≤USD1000.00),
T/T -: über 1000usd bitte durch t/t

Q: Was ist, Zeit zu liefern?

(1) für Inventar: die Lieferfrist beträgt 5 Arbeitstage.
(2) für kundengebundene Produkte: die Lieferfrist beträgt 7 bis 25 Arbeitstage. Entsprechend der Quantität.

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basieren.

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Mr. Wang

Telefon: +8615801942596

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