0.3mm DSP Sapphire Wafer Substrate Customized Thickness

Der Kyropoulos-Prozess (KY-Prozess) für Kristallwachstum des Saphirs wird z.Z. von vielen Firmen in China verwendet, um Saphir für die Elektronik- und Optikindustrien zu produzieren.

, Aluminiumoxyd von hohem Reinheitsgrad wird in einem Tiegel an über 2100 Grad Celsius geschmolzen. Gewöhnlich wird der Tiegel vom Wolfram oder vom Molybdän hergestellt. Ein genau orientiertes Impfkristall wird in die flüssige Tonerde eingetaucht. Das Impfkristall wird langsam aufwärts gezogen und wird gedreht möglicherweise gleichzeitig. Indem man genau die Temperaturgradienten, Rate des Ziehens und Rate der Temperaturabnahme steuert, ist es möglich, ein großes, Einzelkristall, ungefähr Stab zu produzieren von der Schmelze.

Nach einzelnem Kristallsaphir werden Boules gewachsen, werden sie in zylinderförmige Stangen Kern-gebohrt, werden die Stangen oben in die gewünschte Fensterstärke geschnitten und poliert schließlich zum gewünschten Oberflächenende.

Sapphire Windows werden vom einzelnen Kristallsaphir hergestellt und machen sie ideal für fordernde Anwendungen (wie Laser-Systeme) wegen ihrer extremen Oberflächenhärte, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Dielektrizitätskonstante und Widerstand zu den allgemeinen chemischen Säuren und zu den Alkalien. Saphir ist der zweite härteste Kristall nahe bei Diamanten und, wegen ihrer strukturellen Stärke, können Saphirfenster viel dünn gemacht werden als andere allgemeine dielektrische Fenster mit verbesserter Beförderung. Chemisch ist Saphir einzelnes Kristallaluminiumoxyd (Al2O3), und ist in einem Sendebereich von 0,2 - 5.5µm nützlich.
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Wir können kundengebundene Berufsdienstleistung in der Zeit erbringen und die Zusammenarbeit und Unterstützung des Gerätes der der Entwicklung neuer Produkte gewähren und Technologie.

Anwendungen
Sapphire Washers, Sapphire Windows, Sapphire Bearings, Sapphire Rods, Sapphire Tubes, Rubin
Saphiroblate, Haubensaphir, Saphirisolierung Film, Saphirballlinse, Saphir/karminroter Ball

Material: Einzelner Kristall Al2O3 99,999%

Orientierung: C-Fläche 4°off (0001) zu M - Achse ±0.1°,

Von der Orientierungsebene: Eine Achse ±0.1°

Frontside-Oberflächenrauigkeit: Ra<0.3nm

Rückseiten-Oberflächenrauigkeit: 0.8~1.2um

(Oder doppelte Seite poliert, Seite Ra<0.3nm)

TTV: <15um

BOGEN: - 15~0um

VERZERRUNG: <15um

Laser Mark Series No. durch Bedarf

Paket: Vakuumversiegelte Behälter mit Stickstoff füllen in einer Umwelt der Klasse 100 nach