1.Kristallstruktur:Silizium ist ein typischer elementarer Halbleiter mit einer regelmäßigen Diamantkristallstruktur und einer geordneten Anordnung von Atomen, die eine gute Grundlage für seine elektronischen Eigenschaften bietet.

2.Elektronische Eigenschaften:Die Bandbreite von Silizium beträgt etwa 1,12 eV, die sich zwischen dem Isolator und dem Leiter befindet, und kann unter Einwirkung eines externen elektrischen Feldes Elektronen-Lochpaare erzeugen und neu kombinieren.so dass sie gute Halbleiter-Eigenschaften aufweist.

3.Doping:Silizium kann durch Einbeziehung von Verunreinigungselementen der Gruppe III (z. B. B) oder V (z. B. P, As) angepasst werden, um seinen Leitwert und seinen Widerstand anzupassen,für die Herstellung verschiedener Halbleitergeräte.

4.Oxidierbarkeit:Silizium kann bei hohen Temperaturen chemisch mit Sauerstoff reagieren, um einen dichten und gleichförmigen Siliziumdioxid (SiO2) -Film zu bilden, der die Grundlage für siliziumbasierte integrierte Schaltkreisverfahren bildet.

5.Mechanische Eigenschaften:Silizium weist eine hohe Härte, Festigkeit und chemische Stabilität auf, was für das spätere Schneiden, Polieren und andere Verarbeitungsprozesse günstig ist.

6.Größe und Größe:Wafer können in Scheiben mit einem Durchmesser von 2 bis 12 Zoll hergestellt werden, um den Anforderungen verschiedener Prozesse gerecht zu werden.

Technische Parameter

1.integrierte Schaltungen:Siliziumwafer sind die Kernträger für die Herstellung verschiedener digitaler integrierter Schaltungen (z. B. CPUs, Speicher) und analoger integrierter Schaltungen (z. B. Betriebsverstärker und Sensoren).

2.Solarzellen:Siliziumwafer werden zu Solarzellmodulen hergestellt, die in der verteilten Photovoltaik-Stromerzeugung und Stromversorgung weit verbreitet sind.

3.Mikroelektromechanische Systeme (MEMS):MEMS-Geräte wie Mikroaktoren und Sensoren werden mit Hilfe der mechanischen Eigenschaften und Mikrofabrikationstechniken von Siliziummaterialien hergestellt.

3.Leistungselektronik:Herstellung einer breiten Palette von Leistungshalbleitergeräten mit Silizium-basierter Hochtemperaturverträglichkeit und hoher Leistungsfähigkeit.

4.Sensoren:Sensoren auf Siliziumbasis werden in elektronischen Geräten, industrieller Steuerung, Automobilelektronik und anderen Bereichen wie Drucksensoren, Beschleunigungssensoren usw. weit verbreitet.

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Häufig gestellte Fragen