Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend

Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend

Beschreibung:

Galliumphosphat GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur,ist ein orange-gelbes halbtransparentes Kristallmaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2.26 eV (300K), das aus 6N 7N hochreinem Gallium und Phosphor synthetisiert und mittels der Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -Technik zu einem einzigen Kristall gewachsen ist.Der Galliumphosphatkristall wird mit Schwefel oder Tellurium doppiert, um einen Halbleiter des Typs n zu erhalten, und Zink doped als p-Typ-Leitfähigkeit für die weitere Herstellung in gewünschte Wafer, die Anwendungen in optischen Systemen, elektronischen und anderen optoelektronischen Geräten hat.Single Crystal GaP Wafer kann Epi-Ready für Ihre LPE vorbereitet werden, MOCVD und MBE-Epitaksialanwendung.n-Typ oder undoped Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation in Größe 2′′ und 3′′ (50mm) angeboten werden kann, 75 mm Durchmesser), Orientierung <100>,<11> mit Oberflächenveredelung aus geschnittenem, poliertem oder epi-bereitem Verfahren.

Eigenschaften:

Breite Bandbreite geeignet für die Ausstrahlung spezifischer Wellenlängen von Licht.GaP Wafer Exzellente optische Eigenschaften, die die Produktion von LEDs in verschiedenen Farben ermöglichen.
Hohe Effizienz bei der Erzeugung von roten, gelben und grünen Lichtern für LEDs. Höhere Lichtabsorptionsfähigkeit bei bestimmten Wellenlängen.Gute elektrische Leitfähigkeit für Hochfrequenzgeräte. GaP Wafer Geeignete thermische Stabilität für zuverlässige Leistung. Chemische Stabilität geeignet für Halbleiterherstellungsprozesse.GaP Wafer Günstige Gitterparameter für das epitaxiale Wachstum zusätzlicher Schichten. Fähigkeit, als Substrat für Halbleiterdeposition zu dienen. GaP Wafer Robustes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Ausgezeichnete optoelektronische Fähigkeiten für Photodetektoren.Vielseitigkeit bei der Entwicklung optischer Geräte für bestimmte Wellenlängenbereiche

Technische Parameter:

Anwendungen:

Galliumphosphid-Einzelkristall kann durch Schneiden, Epitaxie und andere Verfahren zu festen lichtemittierenden Geräten hergestellt werden, seine Lebensdauer ist lang, ist halbpermanent.Dieses Gerät hat sich rasch entwickelt und wird in Instrumenten weit verbreitet., Computer und elektronische Uhren usw. für digitale Anzeige- oder Anzeigeleuchte, kann es rotes oder grünes Licht usw. emittieren (die Lichtwellenlänge variiert je nach Doping).Frühe Lichtstrahlgeräte aus Galliumarsenid benötigten einen Strom von 100 Milliampere, um 20 Millilumen pro Wort zu emittierenDas gleiche aus Galliumphosphid hergestellte Lichtstrahlgerät benötigt nur 10 Milliampere Strom, um 20 Millilumen zu emittieren.Der Wirkungsgrad von Galliumphosphid-Lichtstrahlrohren, hergestellt nach der Zwei-Schicht-Epitaxy-Methode, beträgt 4-5%.Wingloff ist der Ansicht, daß der wichtigste Faktor, der die Wirksamkeit von Lichteinrichtungen mit Galliumphosphat beeinflusst, die Verwerfungsdichte im Kristall ist.und der Lichtwirkungsgrad ist niedrig, wenn die Verlagerungsdichte hoch ist.

Andere Erzeugnisse:

mit einer Breite von mehr als 20 mm,

Häufige Fragen:

F: Welcher Markenname trägt dieGaP-Wafer?

A: Der Markenname desGaP-Waferist ZMSH.

F: Was ist die Zertifizierung derGaP-Wafer?

A: Die Zertifizierung derGaP-Waferist ROHS.

F: Wo ist der Ursprungsort derGaP-Wafer?

A: Herkunftsort derGaP-Waferist China.

F: Welches ist das MOQ derGaP-Wafer auf einmal?

A: Die MOQ derGaP-Waferist 25 Stück auf einmal.