4" 4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate

4H-Semi-Hochreine SIC-Wafer Halbleiter EPI-Substrate

Beschreibung der HP 4H-Semi-SIC:

1Die hochreinen, halbisolierenden 4H-SiC (Siliziumkarbid) -Wafer sind sehr ideale Halbleitermaterialien.

2Halbisolierte 4H-SiC-Blätter werden durch hochtemperaturspezifische Pyrolyse, Kristallwachstum und Schneidverfahren hergestellt.

3Hochreine halbisolierte 4H-SiC-Blätter weisen geringere Trägerkonzentrationen und höhere Isolierfähigkeiten auf.

4. 4H-SiC ist ein hexagonales Gitter. Diese Kristallstruktur verleiht 4H-SiC hervorragende physikalische und elektrische Eigenschaften.

5Das Verfahren erfordert eine hohe Reinheit der Rohstoffe und eine hohe Präzision, um eine gleichbleibende Struktur der Siliziumwafer zu gewährleisten.

Eigenschaftenvon HP 4H-Semi-SIC:

Das hochreine halbisolierte 4H-SiC-Blatt (Siliziumkarbid) ist ein ideales Halbleitermaterial:

1Bandbreite: Im Allgemeinen hat 4H-SiC eine breite Bandbreite von etwa 3,26 Elektronenvolt (eV).

2Aufgrund seiner thermischen Stabilität und isolierenden Eigenschaften kann 4H-SiC in einem breiten Temperaturbereich betrieben werden.

3.4H-SiC hat eine hohe Strahlungsbeständigkeit, die in Kernenergie- und Hochenergiephysik-Experimenten verwendet wird.

44H-SiC weist eine hohe Härte und mechanische Festigkeit auf, wodurch es eine ausgezeichnete Stabilität und Zuverlässigkeit aufweist.

5. 4H-SiC hat eine hohe Elektronenmobilität im Bereich von 100-800 Quadratzentimetern / (Volt · Sekunde) (cm ^ 2 / (V · Sekunden).

6Hohe Wärmeleitfähigkeit: 4H-SiC hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit von etwa 490-530 Watt/m-Kelle (W/m·K).

7. Hochspannungsbeständigkeit: 4H-SiC weist eine hervorragende Spannungsbeständigkeit auf und eignet sich somit für Hochspannungsanwendungen.

 

Technische Parameter vonHP 4H-Semi-SIC:

Hochreine halbisolierte 4H-SiC-Blätter (Siliziumkarbid) werden in vielen Bereichen weit verbreitet:

1Optoelektronische Geräte: Halbisoliertes 4H-SiC wird in der Herstellung optoelektronischer Geräte weit verbreitet.

2. RF- und Mikrowellengeräte: Die hohe Elektronenmobilität und die geringen Verlustmerkmale des halbisolierten 4H-SiC.

3Andere Bereiche: Halbisoliertes 4H-SiC hat auch Anwendungen in anderen Bereichen, z. B. in Bestrahlungsdetektoren.

4Aufgrund der hohen Wärmeleitfähigkeit und der ausgezeichneten mechanischen Festigkeit von 4H-Semi-SiCbei extremen Temperaturen.

5. Leistungselektronische Geräte: Halbisoliertes 4H-SiC wird in der Herstellung von Hochleistungsgeräten weit verbreitet.

Andere verwandte Produkte HP 4-H-Semi-SIC:

4H-N SIC

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