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| Herkunftsort | China |
| Markenname | ZMSH |
| Zertifizierung | rohs |
| Modellnummer | SIC010 |
Aus der Perspektive der Terminalanwendungsschicht haben Silikonkarbidmaterialien eine breite Palette von Anwendungen in der Hochgeschwindigkeitsschiene, Kfz-Elektronik, intelligente Gitter, photo-voltaische Inverter, industrielle elektromechanische, Rechenzentren, weiße Waren, Unterhaltungselektronik, Kommunikation 5G, zukünftige Anzeigen und andere Felder, mit enormem Marktpotenzial.
Silikonkarbid hat eine große Auswahl mögliche Anwendungen angeboten. Es kann auf den Gebieten wie Hochgeschwindigkeitsschiene, Kfz-Elektronik, intelligenten Gitter, photo-voltaischen Invertern, industriellen elektromechanischen, Rechenzentren, weißen Waren, Unterhaltungselektronik, Kommunikation 5G und zukünftigen Anzeigen verwendet werden. Alle diese Felder kommen mit einem enormen und viel versprechenden Marktpotenzial.
Im Hinblick auf Anwendung wird es in Niederspannung, Mittelspannung und Hochspannungsfelder unterteilt:
Niederspannungsfeld
Etwas Unterhaltungselektronik kann durch Niederspannungssilikonkarbidlichter besonders angetrieben werden. Zum Beispiel in Xiaomi und in Huawei, ist schnelle Ladegeräte mit Galliumnitridgeräten gestartet worden.
Mittelspannungsfeld
Silikonkarbid kann in der Spannung benutzt werden, die, besonders in der Kfz-Elektronik und in den Schienendurchfahrtstromnetzsystemen größer als 3300v ist. Tesla schuf ein Modell 3, das das früheste Produkt ist, das Silikonkarbidgeräte wirksam einsetzte. Was seine Diode und MOSFEF-Produkte anbetrifft, sie sind gefördert worden und angewendet worden im Markt.
Hochspannungsfeld
Silikonkarbid bietet viele einzigartigen Vorteile an, die mit anderen Materialien verglichen werden, aber bis jetzt, hat kein reifes Produkt auf dem Hochspannungsgebiet gestartet. Die Welt ist noch in einem Stadium der Forschung und Entwicklung. Elektro-Mobile sind das viel versprechendste Anwendungsgebiet und Toyotas Elektroantriebmodul ist ein großes Beispiel von, wie Silikonkarbid benutzt werden kann. Das Volumen dieser Geräte ist 50% verglichen mit Silikon basiertem IGBTs kleineres und ihre Energiedichte ist weit höher. Optimaler Teilplan kann erzielt werden und mehr Raum kann für andere neue Systeme freigegeben werden.
4H-SiC und 6H-SiC sind bothTypes von Kristallen, die in den verschiedenen Durchmessern gefunden werden. 4H-SiC ist 50.8mm (2 Zoll) im Durchmesser, während 6H-SiC bis 200mm (8 Zoll) im Durchmesser ist. Beide Kristalle werden mit Stickstoff (N) lackiert und sind tatsächlich oder HPSI kurz. Die Widerstandskraft in 4H-SiC ist .015 bis .028 ohm*cm, während 6H-SiC eine Widerstandskraft von vorbei ohm*cm 1E7 hat.
Die Stärkestrecke 4H-SiC und 6H-SiC ist mit beiden identisch, die zwischen 250um-15,000um (15mm) sind. Wenn sie kommt, aufzutauchen Ende, können beide Kristalle einfache oder doppelte Seiten sein polierten. Die stapelnde Reihenfolge für 4H-SiC ist ABCB, während 6H-SiC eine Reihenfolge von ABCACB hat. Die Dielektrizitätskonstante für 4H-SiC ist 9,6 und 6H-SiC ist 9,66.
Die Elektronenbeweglichkeit von 4H-SiC ist 800 cm2/V*S, das mit 400 cm2/V*S für 6H-SiC verglichen wird. Und schließlich, ist die Dichte beider Kristalle die selbe bei 3,21 * 103 kg/m3.
Substrat SIC010 ZMSHS sic ist ein leistungsstarkes Gerät, das die Bedingungen von Spitzenanwendungen erfüllt und zuverlässige Leistung liefert. Es ist in den Entwürfen weitverbreitet, die hohe Leistung, hohe Temperatur und Hochfrequenz erfordern. Dieses sic Substrat ist für Gebrauch in der Leistungselektronik, in der Optoelektronik und in anderen Anwendungen perfekt. Seine Größe kann besonders angefertigt werden von 0.5x0.5mm bis 10x10mm und seine Dehnfestigkeit ist größer als 400MPa. Sie hat eine Widerstandskraftstrecke 0.015~0.028ohm.cmor, das größer ist, als 1E7ohm.cm und seine Oberfläche Si-Gesicht CMP und C-Gesicht Wartungstafel sein können.
Dieses sic Substrat SIC010 von ZMSH ist konformes RoHS und die Mindestbestellmenge ist 10pc. Sie ist zu konkurrenzfähigen Preisen verfügbar und seine Lieferfrist ist innerhalb 30days. Sie nimmt Zahlung über T/T an und seine Versorgungsfähigkeit ist 1000pc/month.
Markenname: ZMSH
Vorbildliches Number: SIC010
Ursprungsort: CHINA
Bescheinigung: ROHS
Mindestbestellmenge: 10pc
Preis: Durch Fall
Verpackendetails: Kundengebundener Plastikkasten
Lieferfrist: In 30 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungs-Fähigkeit: 1000pc/Month
Größe: O.K. besonders angefertigt
Substrat-Art: Substrat
Thermische Expansions-Koeffizient: 4,5 X 10-6/K
Oberfläche: Si-Gesicht CMP; C-Gesicht Parlamentarier;
Widerstandskraft: 0.015~0.028ohm.cm; oder >1E7ohm.cm;
Spezielle Eigenschaften: Silikon-Karbid-Oblaten, sic Laser-Ausschnitt
Wir sind stolz, technische Unterstützung und Services für unsere Substratprodukte sic anzubieten. Unser technisches Support - Team kann Sie mit Produktauswahl, -installation und -störungssuche unterstützen. Wir bieten auch eine breite Palette von Services, einschließlich Produktdemonstrationen, Produktschulung und Vor-Ort-Installation und Wartung an.
Unser technisches Support - Team ist verfügbares 24/7, und wir werden an der Lieferung des höchsten Standes des Kundendiensts festgelegt. Wir bemühen uns, zu garantieren, dass unsere Kunden vollständig mit unseren Produkt und Service zufrieden sind.
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