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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

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2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector
2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector 2 Inch 6H - Semi Silicon Carbide Wafer Low Power Consumption For Detector

Großes Bild :  2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmsh
Modellnummer: 2inch-6h

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2ST
Preis: 200usd/pcs by FOB
Verpackung Informationen: in den Kassetten einzelnen Oblatenbehältern
Lieferzeit: Innerhalb 15days
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Durchkontaktierung
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: sic einzelner Kristall Industrie: Halbleiterwafer,
Anwendungen: Gerät, epi-bereite Oblate, 5G, Leistungselektronik, Detektor, Farbe: grün, blau, weiß
Kundenspezifische: O.K. Typ: 6H-N
Markieren:

sic wafer

,

sic substrate

Oblate 2inch 6H-Semi sic, kundengebundene sic Substrate, Oblaten 2inch 6H-N sic, sic Kristallbarren, Silikon-Karbid-Oblate

 

Über Kristall des Silikon-Karbids sic
  1.    Advantagement
  2. • Niedrige Gitterfehlanpassung
  3. • Hohe Wärmeleitfähigkeit
  4. • Leistungsaufnahme der geringen Energie
  5. • Ausgezeichnete vorübergehende Eigenschaften
  6. • Hohe Bandlücke

 

Verwendungsgebiete

  • 1 Schottky-Dioden der Hochfrequenz- und der hohen Leistungelektronischen geräte, JFET, BJT, PiN,
  •     Dioden, IGBT, MOSFET
  • 2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich verwendet in GaN/im sic blauen LED-Substratmaterial (GaN/sic) LED 

SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN

 

Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge ABCB ABCACB
Mohs-Härte ≈9.2 ≈9.2
Dichte 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61

Ne = 2,66

keine = 2,60

Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante c~9.66 c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K

c~3.7 W/cm·K@298K

 
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K

c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K

c~3.2 W/cm·K@298K

Bandlücke eV 3,23 eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit 2.0×105m/s 2.0×105m/s

 

Standardspezielles.

 

Durchmesser 2inch Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation  
Grad Nullmpd-Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad  
 
Durchmesser 50,8 mm±0.2mm  
 
Stärke 330 μm±25μm oder 430±25um  
 
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N/4H-SI auf Achse: <0001>±0.5° für 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Micropipe-Dichte cm2 ≤0 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100  
 
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm  
 
Primärebene {10-10} ±5.0°  
 
Flache hauptsächlichlänge 18,5 mm±2.0 Millimeter  
 
Flache zweitenslänge 10.0mm±2.0 Millimeter  
 
Flache zweitensorientierung Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°  
 
Randausschluß 1 Millimeter  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer  
 
CMP Ra≤0.5 Nanometer  
 
Sprünge durch Licht der hohen Intensität Kein 1 gewährt, ≤2 Millimeter Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm  
 
 
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤3%  
 
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein Kumulativer Bereich ≤2% Kumulativer Bereich ≤5%  
 
 
Kratzer durch Licht der hohen Intensität 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer  
 
 
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder  
 

 

 

2 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor 02 Zoll 6H - halb Leistungsaufnahme der Silikon-Karbid-Wafer-geringen Energie für Detektor 1

ZMKJ-Dose stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie zur Verfügung. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Zoll des Durchmessers 2-6 sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 

 

Verpackung und Lieferung

 

>Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie.

Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß! Fast durch einzelne Oblatenkassetten oder Kassette 25pcs im Reinigungsraum mit 100 Graden.

 

Kontaktdaten
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Ansprechpartner: Wang

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