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2-Zoll-Zn-dotierter Galliumarsenid (GaAs)-Wafer für LED- und Laserdiodenanwendungen

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December 29, 2025
Kategorieverbindung: GaAs-Oblate
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#Indiumarsenmetalloblate #gaas-Oblate #Substrat laalo3
Memorandum: Sie fragen sich, wie dieses Hochleistungshalbleitermaterial im Vergleich zu anderen Optionen abschneidet? In diesem Video bieten wir einen detaillierten Rundgang durch den 2-Zoll-Zn-dotierten Galliumarsenid (GaAs)-Wafer und stellen seine wichtigsten Eigenschaften und den Herstellungsprozess vor. Sie werden sehen, wie das VGF-Kristallwachstumsverfahren und die Zinkdotierung stabile p-Typ-Eigenschaften liefern, wodurch es sich ideal für die Herstellung von LEDs, Laserdioden und optoelektronischen Geräten eignet. Wir demonstrieren außerdem die polierten Oberflächen, Ausrichtungsoptionen und Qualitätskontrollen des Wafers, die eine zuverlässige Leistung sowohl in Forschungs- als auch in Produktionsumgebungen gewährleisten.
Zugehörige Produktmerkmale:
  • Hergestellt unter Verwendung der Vertical Gradient Freeze (VGF)-Kristallwachstumsmethode für eine hochwertige Kristallstruktur.
  • Die Zinkdotierung sorgt für stabile und gleichmäßige elektrische Eigenschaften des p-Typs für eine zuverlässige Geräteleistung.
  • Verfügt über eine (100) Kristallausrichtung mit Optionen für 2°, 6° oder 15° Abweichung von der (110) Fehlausrichtung.
  • Bietet eine kontrollierte Trägerkonzentration im Bereich von (0,3 - 1,0) × 10¹⁸ cm⁻³ für konsistente elektrische Eigenschaften.
  • Bietet eine niedrige Ätzgrubendichte von ≤ 5.000 cm⁻² und eine hohe Hall-Mobilität von 1.500 - 3.000 cm²/V*s.
  • Beinhaltet polierte Oberflächen (P/P oder P/E) mit strenger Kontrolle von Ebenheit, Biegung und Krümmung für eine erweiterte Verarbeitung.
  • Unterstützt optionale Ausrichtungsflächen, Kerbkonfigurationen und Lasermarkierung auf der Rückseite für eine flexible Identifizierung.
  • Geeignet für den direkten Einsatz in epitaktischen MBE- oder MOCVD-Wachstumsprozessen mit geringer Partikelkontamination.
FAQ:
  • Ist dieser GaAs-Wafer für die LED- und Laserdiodenfertigung geeignet?
    Ja. Die elektrischen Eigenschaften des Zn-dotierten p-Typs unterstützen in Kombination mit der (100)-Ausrichtung und der kontrollierten Trägerkonzentration eine stabile Lichtemission und eine konsistente Geräteleistung bei der Herstellung von LEDs und Laserdioden.
  • Kann dieser Wafer direkt für epitaktisches Wachstum verwendet werden?
    Ja. Der Wafer wird mit polierten Oberflächen, geringer Partikelverunreinigung und strenger Ebenheitskontrolle geliefert, was den direkten Einsatz in epitaktischen MBE- oder MOCVD-Wachstumsprozessen ermöglicht.
  • Können die Wafer-Spezifikationen an unterschiedliche Prozessanforderungen angepasst werden?
    Ja. Optionen wie Orientierungsflächen, Kerbenkonfiguration, Lasermarkierung auf der Rückseite, Oberflächenbeschaffenheit und ausgewählte elektrische Parameter können auf Anfrage angepasst werden, um spezifische Geräte- und Prozessanforderungen zu erfüllen.
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